TI：運(yùn)用GaN技術(shù)可提升數(shù)據(jù)中心的能源效率

德州儀器(TI)副總裁暨臺(tái)灣、韓國(guó)與南亞總裁李原榮，26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵（GaN）技術(shù)的潛力，以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。
李原榮今日以「數(shù)據(jù)中心正在擴(kuò)建 – 以氮化鎵技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高效率」為題，分享設(shè)計(jì)工程師如何利用TI 氮化鎵技術(shù)為數(shù)據(jù)中心達(dá)成體積更小、更高功率密度的解決方案。
李原榮表示，隨著各產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者期盼透過(guò)數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新，從而也提高了運(yùn)算能力的需求，TI希望協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的潛力，以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。
他也強(qiáng)調(diào)，一直以來(lái)，TI始終致力于支持臺(tái)灣和全球客戶在不同應(yīng)用領(lǐng)域里迅速發(fā)展。
李原榮補(bǔ)充，TI 的自有產(chǎn)能和長(zhǎng)期投資，能夠快速擴(kuò)展氮化鎵等各項(xiàng)技術(shù)，以協(xié)助客戶透過(guò)實(shí)現(xiàn)更小的系統(tǒng)來(lái)滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，進(jìn)而以更高的效率處理更多數(shù)據(jù)。
而面對(duì)擴(kuò)建數(shù)據(jù)中心的有限空間和服務(wù)器持續(xù)運(yùn)行所需的大量電力，企業(yè)必須不斷提高數(shù)據(jù)中心的用電效率及功率密度。
TI的GaN FET如LMG3525R030整合快速切換驅(qū)動(dòng)器，以及內(nèi)部保護(hù)與溫度感測(cè)功能，可在有限的電路板空間中具有更高效能表現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的功率密度（100W/in3）。而 TI 的C2000實(shí)時(shí)微控制器提供復(fù)雜并具時(shí)效性的處理能力、精確控制、軟件和周邊產(chǎn)品可擴(kuò)充性等，透過(guò)支持不同電源設(shè)計(jì)與高切換頻率的特性，能充分發(fā)揮GaN型電源解決方案潛能，從而最大限度地提高電源效率。