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          貿澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET，為各類電源應用提供更好的支持
          
						
          
				作者：
				時間：2022-06-09
				來源：電子產品世界

				
				
				
				
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          提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo?收購）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產品，此第四代器件具有出色的導通電阻特性，適用于主流800V總線架構中的電源解決方案，如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202206/434994.htm
           
          貿澤電子分銷的UF4C/SC SiC FET為設計人員提供了多種導通電阻和封裝選項。1200 V SiC FET的導通電阻 (RDS(on)) 值為23mΩ至70mΩ，可采用三引線TO-247-3L封裝或四引線TO-247-4L封裝。TO-247-4L封裝采用開爾文柵極，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，非常適合開關感性負載，以及任何需要標準柵極驅動的應用。
          image.png 
          UF4C/SC系列所有器件都可以用標準的0V至12V或15V柵極驅動電壓安全驅動，從而在不改變柵極驅動電壓的情況下，成為硅IGBT、FET或超級結器件的合適替代品。UF4C/SC SiC FET的其他主要特性包括：通過真正的5V閾值電壓保持良好的閾值噪聲容限、出色的反向恢復特性和內置ESD柵極保護箝位。

          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關鍵詞：
            			            SiC
                        FET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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