意法半導(dǎo)體連手MACOM 攻射頻硅基氮化鎵有成

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）和電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供貨商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司（那斯達(dá)克股票代碼：MTSI」）宣布，已成功制造出射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片。有鑒于此佳績，意法半導(dǎo)體與MACOM將繼續(xù)合作，并加強(qiáng)雙方的合作關(guān)系。

射頻硅基氮化鎵為5G和6G基礎(chǔ)建設(shè)之應(yīng)用帶來巨大的發(fā)展?jié)摿?。早期世代?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/射頻">射頻功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor，LDMOS）射頻功率技術(shù)，氮化鎵（GaN）可為射頻功率放大器帶來更優(yōu)異的射頻特性及更高的輸出功率，而且GaN可以制造在硅晶圓或碳化硅（SiC）晶圓上。

然而，在高功率應(yīng)用與射頻硅基氮化鎵對SiC晶圓的競爭下，加上其非主流的半導(dǎo)體制程，射頻硅基氮化鎵的成本可能更高。意法半導(dǎo)體和MACOM正在研發(fā)的射頻硅基氮化鎵技術(shù)有望提供具有競爭力的性能，透過整合至標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制程中以實(shí)現(xiàn)巨大規(guī)模的經(jīng)濟(jì)效益。

意法半導(dǎo)體制造的原型芯片和組件已成功達(dá)到成本和性能目標(biāo)，能夠與市面上現(xiàn)有的LDMOS和GaN-on-SiC技術(shù)有效競爭，并且即將進(jìn)入下個重要階段——認(rèn)證測試與商業(yè)化，此為，意法半導(dǎo)體計(jì)劃將于2022年達(dá)成此一里程碑。因取得這次傲人的進(jìn)展，意法半導(dǎo)體與MACOM已開始討論進(jìn)一步擴(kuò)大研發(fā)，加速先進(jìn)射頻硅基氮化鎵產(chǎn)品上市。