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          意法半導體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管，具備更好的節(jié)能降噪特性
          
						
          
				作者：
				時間：2022-06-23
				來源：電子產(chǎn)品世界

				
				
				
				
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          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202206/435479.htm
          意法半導體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導通電阻和開關損耗，同時優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉換、電機控制和配電電路的能耗和噪聲。
          image.png
          新型 40V N 溝道增強型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充溝槽技術實現(xiàn)卓越的品質因數(shù)。在柵源電壓 (VGS)為 10V 時，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大導通電阻 (Rds(on))分別為 0.8毫歐和和0.75毫歐。新MOSFET的裸片單位面積(Rds(on))電阻非常低，因此可以采用節(jié)省空間且熱效率高的 PowerFLAT 5x6 封裝。
           
          意法半導體先進的STripFET F8 技術的開關速度十分出色，低芯片電容可以最大限度地降低柵漏電荷等動態(tài)參數(shù)，提高系統(tǒng)能效。設計人員可以在 600kHz 至 1MHz 范圍內選擇開關頻率，允許使用尺寸更小的電容和磁性元件，節(jié)省電路尺寸和物料清單成本，提高終端應用的功率密度。
           
          適當?shù)妮敵鲭娙莺拖嚓P的等效串聯(lián)電阻可防止漏源電壓出現(xiàn)尖峰，并確保在管子關斷時突降振蕩時間更短。 憑借這一點和體二極管的軟恢復特性， STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG發(fā)出的電磁干擾 (EMI) 低于市場上其他類似器件。此外，體寄生二極管的反向恢復電荷很小，可最大限度地減少硬開關拓撲的能量損耗。
           
          柵極閾壓 (VGS(th))在 STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 中受到嚴格控制，以確保器件之間的閾壓差異很小，以便并聯(lián)多個 MOSFET功率管，處理更大的電流。短路耐受能力也非常出色，可承受高達1000A的電流(脈沖短于10μs)。STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 分別是第一款符合工業(yè)標準和 AEC-Q101汽車標準的 STPOWER STripFET F8 MOSFET 器件，是電池供電產(chǎn)品和計算、電信、照明和通用功率轉換應用的理想選擇。
           
          STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 現(xiàn)已量產(chǎn)。

          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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