英特爾實驗室 展示嚴控8波長鐳射數(shù)組

英特爾實驗室宣布在整合光子研究取得重大進展，這是提升數(shù)據(jù)中心運算芯片之間以及整體網(wǎng)絡(luò)通訊帶寬的下個技術(shù)疆界。最新研究以領(lǐng)先業(yè)界步伐的多波長整合光學為其特色，包含展示一款全面整合至硅晶圓的8波長分布式回饋（DFB）鐳射數(shù)組，提供十分良好的±0.25分貝（dB）輸出功率均一性，以及超越業(yè)界規(guī)范的±6.5％波長間距均一性。

英特爾實驗室資深技術(shù)總監(jiān)榮海生表示，這項新研究展示出達成良好的匹配輸出功率的可能性，以及均一且高密度的波長間距。更重要的是，它可以透過英特爾晶圓廠現(xiàn)有的制造與制程控制來完成，為下一代共同封裝光學和光學運算互連的大量生產(chǎn)制造提供一個清晰的方向。

此項進展能夠制造出具備未來大量應(yīng)用所需效能的光源，例如針對人工智能（AI）和機器學習（ML）等新興網(wǎng)絡(luò)密集工作負載的共同封裝光學和光學運算互連。該鐳射數(shù)組以英特爾的12吋硅光子制程制造，并為未來大規(guī)模生產(chǎn)制造和廣泛部署做好準備。

Gartner預(yù)估，硅光子占據(jù)所有高帶寬數(shù)據(jù)中心通訊頻道的比例，將從2020年不到5％提升至2025年的20％以上，整體潛在市場規(guī)模達26億美元。低功耗、高帶寬和更高速的數(shù)據(jù)傳輸需求正在不斷成長，驅(qū)動著硅光子的需求，以便支持數(shù)據(jù)中心與其它更進一步的應(yīng)用。

光連接從1980年代開始取代銅線，這是因為透過光纖進行的光傳輸提供高帶寬的固有特性，有別于透過金屬線進行的電脈沖傳輸。從那時起，隨著零組件尺寸和成本的降低，該技術(shù)變得更加有效率，帶領(lǐng)使用光學互連的網(wǎng)絡(luò)解決方案在過去幾年取得突破性進展，一般而言此情況發(fā)生在交換器、數(shù)據(jù)中心，以及其它高效能運算環(huán)境之中。

隨著逐漸逼近電氣互連效能限制，在同一封裝整合緊鄰的芯片電路和光學組件，能夠提升能源效率同時達成更遠的連接距離，確保輸入／輸出（I/O）接口的未來。這些光子技術(shù)是透過英特爾工廠中現(xiàn)有的制程技術(shù)所達成，享有大規(guī)模制造利于成本下降的優(yōu)勢。

近期使用高密度波長分波多任務(wù)（DWDM）技術(shù)的共同封裝光學解決方案，已印證提升帶寬的同時，還能夠大幅度縮減光學芯片的物理尺寸。然而直到現(xiàn)在，制造具備波長間距均一性與功耗的DWDM光源仍十分困難。

這項新突破確保了光源具備一致的波長分離，并維持均一的輸出功率，進而滿足光學運算互連和DWDM通訊的要求之一。使用光學互連的次世代運算I/O，能夠為將來的高帶寬AI和ML工作負載的極端需求量身打造。

這款8波長DFB數(shù)組采用英特爾的商用12吋混合（hybrid）硅光子平臺進行設(shè)計與制造，該平臺亦被用來制造量產(chǎn)光學收發(fā)器。這項創(chuàng)新是大量生產(chǎn)互補式金屬氧化物半導體（CMOS）的晶圓廠當中，其雷射制造能力的重大進展，并使用與制造12吋硅晶圓相同的微影技術(shù)以及嚴格的制程控制。

在這項研究之中，英特爾于三五族晶圓接合制程之前，使用先進的微影技術(shù)在硅當中定義波導光柵（waveguide grating）。與3吋或4吋三五族晶圓廠制造的傳統(tǒng)半導體雷射相比，這項技術(shù)達成更好的波長均一性。此外由于緊密地整合雷射，該數(shù)組在環(huán)境溫度變化時也能夠維持其通道間距。

身為硅光子技術(shù)的先驅(qū)，英特爾致力于開發(fā)解決方案，滿足網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)建設(shè)日益成長的更高效率、更豐富資源等需求。此外，作為未來的光學運算互連小芯片（chiplet）產(chǎn)品的一部份，8波長整合雷射數(shù)組技術(shù)的許多方面正由英特爾硅光子產(chǎn)品部門實作當中。即將推出的產(chǎn)品可在CPU、GPU和內(nèi)存等各種運算資源之間，提供具能源效率、高效能的多Tb/s互連。整合雷射數(shù)組是欲達成緊湊且具成本效益的解決方案，抑是支持大量生產(chǎn)制造與部署不可或缺的一環(huán)。