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          浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心 50mm 厚 6 英寸碳化硅單晶生長成功,且晶體質(zhì)量達(dá)到業(yè)界水平

          作者:瀟公子 時(shí)間:2022-07-29 來源:IT之家 收藏

          IT之家 7 月 28 日消息,據(jù)杭州國際科創(chuàng)中心發(fā)布,近日杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室和硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在浙江省“尖兵計(jì)劃”等研發(fā)項(xiàng)目的資助下,成功生長出厚度達(dá)到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。該重要進(jìn)展意味著,碳化硅襯底成本有望大幅降低,半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展或?qū)⒂瓉戆l(fā)展新契機(jī)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202207/436807.htm

          據(jù)介紹,碳化硅(SiC)單晶作為寬禁帶半導(dǎo)體材料,對(duì)高壓、高頻、高溫及高功率等半導(dǎo)體器件的發(fā)展至關(guān)重要。目前,國內(nèi)碳化硅單晶的直徑已經(jīng)普遍能達(dá)到 6 英寸,但其厚度通常在~20-30 mm 之間,導(dǎo)致一個(gè)碳化硅晶錠切片所獲得的碳化硅襯底片的數(shù)量相當(dāng)有限。

          科研人員表示,增加碳化硅單晶厚度主要挑戰(zhàn)在于其生長時(shí)厚度的增加及源粉的消耗對(duì)生長室內(nèi)部熱場(chǎng)的改變。針對(duì)挑戰(zhàn),浙江大學(xué)通過設(shè)計(jì)碳化硅單晶生長設(shè)備的新型熱場(chǎng)、發(fā)展碳化硅源粉的新技術(shù)、開發(fā)碳化硅單晶生長的新工藝,顯著提升了碳化硅單晶的生長速率,成功生長出了厚度達(dá)到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。而且碳化硅單晶的晶體質(zhì)量達(dá)到了業(yè)界水平。




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