TrendForce：庫(kù)存難去化 內(nèi)存原廠罕見(jiàn)減產(chǎn)因應(yīng)

根據(jù)集邦科技TrendForce調(diào)查顯示，自2021年第四季起受部分消費(fèi)性電子需求走弱影響，導(dǎo)致內(nèi)存價(jià)格進(jìn)入下跌走勢(shì)。加上高通膨、俄烏戰(zhàn)事與防疫封控的沖擊，旺季不旺，致使庫(kù)存壓力已由買(mǎi)方端延伸至原廠。

為因應(yīng)前述情況，美光（Micron）上周已宣告減產(chǎn)DRAM與NAND Flash，為首家正式下調(diào)產(chǎn)能利用率的內(nèi)存大廠。NAND Flash方面，市況相較DRAM更嚴(yán)峻，隨著主流容量wafer合約均價(jià)已跌至現(xiàn)金成本，逼近各原廠虧損邊緣，鎧俠（Kioxia）繼美光后也公告自10月起減少NAND Flash產(chǎn)能利用率達(dá)30％。

DRAM方面，目前的合約價(jià)格仍高過(guò)于各主流供貨商的總生產(chǎn)成本，因此與NAND Flash相較，尚待觀察是否會(huì)有大幅減產(chǎn)的情形出現(xiàn)。美光除了提及當(dāng)前在該領(lǐng)域有微幅下調(diào)產(chǎn)能利用率外，主要在強(qiáng)調(diào)2023年度資本支出的大幅下修，以及明年度DRAM生產(chǎn)位年成長(zhǎng)僅有約5％。TrendForce認(rèn)為，依照美光的說(shuō)法，要達(dá)到如此保守的位成長(zhǎng)，代表產(chǎn)能利用率還有大幅下修空間，后續(xù)減產(chǎn)的執(zhí)行程度仍待觀察。

NAND Flash方面，美光原定自今年第四季起逐步放大232層產(chǎn)品比重，然隨著調(diào)降產(chǎn)能利用率決策落實(shí)，預(yù)估2023年美光主流制程仍會(huì)以176層為主，同時(shí)舊制程投片亦將隨之減少。鎧俠及威騰電子（WDC）原計(jì)劃在今年第四季起轉(zhuǎn)進(jìn)至162層產(chǎn)品，然由于威騰對(duì)2023年資本支出表露放緩態(tài)度，在資金難以到位且需求能見(jiàn)度差的情況下，將大幅降低162層產(chǎn)品比重，無(wú)法達(dá)成原先于2023年取代112層產(chǎn)品成為主流的計(jì)劃。

從2023年內(nèi)存供需態(tài)勢(shì)分析，由于需求展望保守，因此DRAM與NAND Flash在各季度皆呈現(xiàn)大幅度供過(guò)于求狀態(tài)，2023上半年的庫(kù)存壓力將持續(xù)快速升高。DRAM領(lǐng)域，在美光率先宣布DRAM減產(chǎn)規(guī)劃將遠(yuǎn)低于供給位成長(zhǎng)的歷史水位后，2023全年DRAM供過(guò)于求比例（Sufficiency Ratio）將由TrendForce原先預(yù)估的11.6％，收斂至低于10％，有助于改善快速惡化的庫(kù)存壓力，不過(guò)后續(xù)仍仰賴(lài)更多供貨商加入DRAM實(shí)質(zhì)減產(chǎn)行為，才能扭轉(zhuǎn)明年供需劣勢(shì)。

NAND Flash領(lǐng)域由于競(jìng)爭(zhēng)者眾多，且制造方面未有逼近物理極限的限制，故收斂供給位是當(dāng)務(wù)之急。在美光、鎧俠供給位成長(zhǎng)皆下修的情況下，2023全年NAND Flash供過(guò)于求比例將由原先預(yù)估的10.1％，大幅下降至5.6％，在更多NAND Flash供貨商在虧損考慮加入減產(chǎn)行列的預(yù)期下，庫(kù)存壓力可望在2023年第二季有所緩解，而價(jià)格跌幅預(yù)計(jì)在2023下半年出現(xiàn)收斂。