DDR5價(jià)格漸親民，巨頭紛紛押注推動(dòng)入市

近期，DDR4和DDR5價(jià)格持續(xù)下跌，吸引了不少消費(fèi)者的持續(xù)關(guān)注。目前消費(fèi)電子疲軟還在繼續(xù)，據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，第四季度DRAM價(jià)格跌幅將擴(kuò)大至13~18%。從積極方面考量，價(jià)格的親民化或?qū)⒓铀?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/DDR5">DDR5的入世，DDR5有望加速成為行業(yè)主流。

DDR5對(duì)比DDR4的優(yōu)勢(shì)

從過(guò)往歷史看，每代DDR新標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后都需要經(jīng)過(guò)2年左右的優(yōu)化，才能實(shí)現(xiàn)性能的較為全面的穩(wěn)定提升，而后實(shí)現(xiàn)對(duì)上一代產(chǎn)品的市場(chǎng)替代則可能需要3到5年的時(shí)間。業(yè)界數(shù)據(jù)顯示，DDR3和DDR4都享有大約7年的生命周期。據(jù)悉，DDR4存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)于2012年發(fā)布，而其初代產(chǎn)品于2014年入市，直到2016年才實(shí)現(xiàn)了市場(chǎng)份額的大幅提升。

公開(kāi)資料顯示，與DDR4相比，DDR5將提供兩倍以上的有效帶寬，有助于緩解每個(gè)核心的帶寬緊縮，進(jìn)一步推動(dòng)CPU內(nèi)核數(shù)量的增加，使計(jì)算能力逐年提高。而三大廠商美光、三星、SK海力士在2021年下半年就陸續(xù)宣布量產(chǎn)DDR5產(chǎn)品。不過(guò)由于其最新款產(chǎn)品在當(dāng)時(shí)產(chǎn)能還處于爬坡期，售價(jià)還較高，性能也未發(fā)展到最優(yōu)，市場(chǎng)接受度也較低。

目前，從推出DDR5標(biāo)準(zhǔn)至今已有兩年時(shí)間，JEDEC最近也對(duì)DDR5標(biāo)準(zhǔn) (JESD79-5A)進(jìn)行了更新，包括密集型云和企業(yè)數(shù)據(jù)中心應(yīng)用驅(qū)動(dòng)的需求要求，為開(kāi)發(fā)人員提供了兩倍的性能和大大提高的能效。

為了更高的密度和更高的性能，DDR5有望采用最先進(jìn)的DRAM單元技術(shù)節(jié)點(diǎn)，例如D1z或D1a (D1α)代，這是10納米級(jí)DRAM節(jié)點(diǎn)的第3代或第4代。DDR5內(nèi)存包含多項(xiàng)創(chuàng)新和新的DIMM架構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)速度等級(jí)跳躍并支持未來(lái)擴(kuò)展。

巨頭紛紛押注DDR5

業(yè)界預(yù)測(cè)今年將是DDR5的預(yù)熱年，而從明年開(kāi)始，DDR5滲透率將大幅提升。當(dāng)下，由于電子消費(fèi)市場(chǎng)疲軟導(dǎo)致的存儲(chǔ)芯片價(jià)格不及預(yù)期，各大廠家紛紛押注技術(shù)創(chuàng)新，并聚焦于DDR5產(chǎn)品的快速推出。隨著DDR5價(jià)格的親民化，其入市速度或?qū)⒓铀佟?/p>

繼DDR5 DRAM成為英特爾“Alder Lake”第12代處理器的標(biāo)準(zhǔn)配置之后，AMD也宣布其7000系列處理器將支持DDR5內(nèi)存，并于今年9月27日正式上市。AMD表示，該平臺(tái)將不再支持DDR4，只支持DDR5產(chǎn)品，這無(wú)疑將進(jìn)一步擴(kuò)大DDR5內(nèi)存的需求。

近期，美光在DDR5產(chǎn)品的研發(fā)方面上也喜獲進(jìn)展。美光科技CEO Sanjay Merotra此前宣布，將向企業(yè)銷售服務(wù)器用DDR5 DRAM。10月初，外媒消息顯示，美光在英特爾的“Intel Innovation”活動(dòng)中也展示了最新的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)DDR5-5600內(nèi)存。

而三星則正在與AMD共同研發(fā)單條容量達(dá)512GB、甚至1TB的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品。據(jù)悉，三星在與AMD的探討中，找到了DDR5 DRAM的研發(fā)新方向，能夠?qū)?nèi)存核心容量提高到32Gb，將堆棧層數(shù)提升至8H，多種技術(shù)之下可以實(shí)現(xiàn)32Gb、3DS、8H堆棧，內(nèi)存單條容量可提升到512GB甚至1TB，這也意味著系統(tǒng)內(nèi)存容量可提升至32TB。

近日，三星在Samsung Foundry Forum 2022活動(dòng)中表示，今年三星將進(jìn)入1bnm工藝階段，內(nèi)存芯片容量將達(dá)到24Gb（3GB）-32Gb（4GB），原生速度將在6.4-7.2Gbps，新一代GDDR7顯存將在明年問(wèn)世。此外，三星計(jì)劃2026年推出DDR6內(nèi)存，2027年實(shí)現(xiàn)原生10Gbps的速度。