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          格芯獲得3000萬美元政府基金研發(fā)GaN芯片
          
						
          
				作者：
				時間：2022-10-19
				來源：全球半導體觀察整理

				
				
				
				
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          據(jù)外媒《NBC》報道，近日，晶圓代工廠商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發(fā)和生產(chǎn)GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202210/439313.htm
          這些芯片被用于智能手機、射頻無線基礎設施、電動汽車、電網(wǎng)等領域。格芯稱，電動汽車的普及、電網(wǎng)升級改造以及5G、6G智能手機上更快的數(shù)據(jù)傳輸給下一代半導體帶來需求。
          格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。
          Caulfield在一份聲明中表示，“有了這筆新的聯(lián)邦資金，以及在2023年聯(lián)邦預算中可能獲得的進一步支持，GF完全有能力在佛蒙特州成為氮化鎵芯片制造的全球領導者?！?br/>
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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