2028年自研7nm光刻機！俄羅斯真有這個能耐？

2028年實現(xiàn)光刻機自研，可支持7nm芯片制造！俄羅斯真有這個能耐？

在芯片規(guī)則不斷的升級之下，各個國家不再相信基于美技術體系的國際產(chǎn)業(yè)鏈，而中、俄是產(chǎn)業(yè)被限制最嚴重的國家，因此在技術的自研上反應也是最強烈的，在中企相繼傳出好消息之后，俄科學院也官宣了好消息。

根據(jù)海外傳來的消息，俄科學院IPF RAS已經(jīng)全力參與光刻設備的研發(fā)，后續(xù)將會有整套的半導體設備誕生，并且其還高調宣稱：“自研的光刻機將在2028年商用，并且可用于7nm左右的芯片量產(chǎn)！”

這就讓人納悶了，目前俄國依靠自主化的產(chǎn)業(yè)鏈，就連90nm工藝都無法完成，此前更是宣稱實現(xiàn)28nm工藝，也要等到2023年，如今卻宣稱2028年就能實現(xiàn)7nm工藝了，這真的有可能嗎？

俄半導體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀

在當前的特殊形勢之下，俄半導體的現(xiàn)狀要比中國更加嚴峻，在芯片規(guī)則的不斷升級之下，蘋果、高通、AMD、英特爾、臺積電、三星等等企業(yè)相繼斷供，可以說整個國家的芯片供應渠道都被切斷了，俄科學院只能緊急啟動了自研計劃。

在早前俄羅斯曾公布了一項計劃，預計會在2022年底完成90nm芯片的自主化，在2023年實現(xiàn)28nm芯片自研自產(chǎn)，但顯然這樣的預估過于保守了，從技術角度上來講，利用8年時間實現(xiàn)這個目標難度不大。

俄羅斯科學院也并非浪得虛名，在很多的頂尖技術上都曾和老美掰過手腕，就拿航天航空技術來講，國際很多國家的衛(wèi)星發(fā)射都要依賴于俄羅斯，但可惜進入到21實際之后，國家整體經(jīng)濟蕭條，沒有那么多的資金用于科研項目，才導致如今的困局出現(xiàn)。

如果沒有外來的芯片進入，俄羅斯?jié)M打滿算僅能制造出65nm的芯片，并且這還要依賴于海外的半導體設備才能實現(xiàn)的，因此可以說目前的形勢相當嚴峻，而光刻機是核心的芯片制造設備，自然是首要攻克的目標。

根據(jù)俄科學院IPF RAS的介紹，他們將會利用6年的時間制造出工業(yè)原型，首臺alpha 機器將會在2024年誕生，其也透露初期階段的工作，主要是完善系統(tǒng)的全面性，重心并不在于設備上的突破。

到了2026年新研發(fā)的Beta將實現(xiàn)對于alpha的替代，到達這個階段所有的系統(tǒng)都差不多整備完畢了，基本上許多的操作流程都能實現(xiàn)自動化了，屆時在分辨率和生產(chǎn)力上也將得到很大的提升，這個階段就可以實現(xiàn)設備的融合調試，將集成運用到實際技術操作流程中。

最后就到了最為關鍵的光源融入階段，這也是光刻機最為核心的技術，好在俄羅斯在X射線光源技術上，有著完全自主可控的技術，此前也證實了相應的可行性，在進行改良升級之后，一整套的光刻機就能夠正常投入使用了！

俄科學院能成功嗎？

在面臨全面制裁之后，俄國內的芯片極度短缺，所有的芯片圓晶廠都停止了供應，雖然本土對制程工藝要求不高，但面對僅能實現(xiàn)的65nm制程工藝，針對現(xiàn)階段的工藝水平確實不夠看，俄科學院也加大的對人才的培養(yǎng)，試圖擺脫這樣的困境。

俄羅斯科學院院士也表態(tài)：“ASML近20年來追求的是生產(chǎn)效率，EUV曝光機很好的幫助全球半導體廠商實現(xiàn)了技術精進，但目前的俄羅斯并不需要太先進的工藝，根據(jù)自己實際需求跟進就好！”

但在這樣的消息傳出之后，海外媒體沒有一家看好俄羅斯，都認為這樣的計劃不可能實現(xiàn)，畢竟此前沒有任何的技術基礎，6年時間完成7nm芯片光刻機的突破，顯然是有點不切實際了，就連ASML都用了將近20余年的時間。

而中國參與光刻機的研發(fā)，也已經(jīng)有很長一段時間了，至今還未能達到28nm的水平，因此基本上是不可能的，況且光有光刻機還不夠，還需要需要配套設備，以目前俄羅斯的狀態(tài)，想要從國際供應鏈獲取根本不可能。

而且除了有設備之外，還需要晶圓廠的配合，目前俄羅斯本土并沒有這樣的企業(yè)，因此按照此前2030年實現(xiàn)28nm芯片自主化，相對而言還是比較符合實際現(xiàn)狀的。

俄科學院下諾夫哥羅德代表團所演示的光刻設備，目前還只是設備的原型，可以說還處于“PPT”階段，后續(xù)還要進行開發(fā)、制造以及安裝，并沒有想象中的那么簡單，對此你們是怎么看的呢？