高性價比4.8W雙組輸出IGBT驅(qū)動電源:QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列
一、產(chǎn)品介紹
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202210/439816.htm隨著新能源行業(yè)的發(fā)展,IGBT /SiC MOSFET作為充電樁設(shè)備、光伏SVG系統(tǒng)中的關(guān)鍵半導體器件組成部分,市場對其應(yīng)用條件和性能提出更高的要求,對于驅(qū)動方案的要求也隨之提高。日前,金升陽推出了IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動電源QA-R3/QA_C-R3系列產(chǎn)品,以及滿足更加嚴苛的應(yīng)用需求的驅(qū)動電源QA_H-R3/QA_HC-R3系列產(chǎn)品。
為打造更具有高性價比的驅(qū)動電源,金升陽基于自主IC設(shè)計平臺升級開發(fā)出內(nèi)部采用非對稱式電壓輸出形式的QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列產(chǎn)品,以期為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案。
二、產(chǎn)品優(yōu)勢
①5000VAC高可靠隔離電壓,滿足加強絕緣
基于自主IC設(shè)計平臺,此系列產(chǎn)品能提供兩組隔離輸出電壓,輸出1-輸出2隔離電壓高達3750VAC,同時輸入-輸出隔離電壓高達5000VAC,遠優(yōu)于市場上常規(guī)產(chǎn)品,且滿足加強絕緣設(shè)計要求,整體可靠性得到極大提升。
②滿足1700VDC長期絕緣要求(使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET)
QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列驅(qū)動電源基于IEC-61800-5-1標準要求,實現(xiàn)長期絕緣電壓(持續(xù)放電)滿足1700V,且應(yīng)用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件,產(chǎn)品原副邊電氣間隙/爬電距離達22.36mm(typ.)。
③性能更優(yōu)
<1>支持雙組驅(qū)動,滿足半橋式整流應(yīng)用
<2>低低紋&波噪聲:50mVpp
<3>強帶載能力:2200uF
<4>超小隔離電容:4.2pF
<5>高效率:85%
④高性價比
此系列是專門為IGBT/SIC MOSFET驅(qū)動器而設(shè)計的DC-DC模塊電源,其內(nèi)部采用了非對稱式電壓輸出形式,盡可能減小IGBT/SIC MOSFET的驅(qū)動損耗。且雙組輸出QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列的成本低于2個單組輸出產(chǎn)品合價。
三、產(chǎn)品應(yīng)用
作為IGBT/SiC MOSFET專用驅(qū)動電源,可用于光伏逆變器、電機驅(qū)動、充電樁等多種場合中IGBT/SiC MOSFET器件的驅(qū)動,以光伏SVG系統(tǒng)為例,可配合驅(qū)動芯片來共同驅(qū)動后端的IGBT器件,實現(xiàn)系統(tǒng)的有效運行。
四、產(chǎn)品特點
● 隔離電壓5000VAC(加強絕緣)
● 局部放電 1700V
● CMTI>200kV/μs
● 最大容性負載2200μF
● 超小隔離電容4.2pF(typ.)
● 效率高達85%
● 工作溫度范圍: -40℃ to +105℃
五、產(chǎn)品布局
詳細產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)請參考技術(shù)手冊:QAxx3HD2-R3QAxx3HCD2-R3
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