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          什么是快閃存儲器?快閃存儲器磨損平衡介紹!

          作者: 時(shí)間:2022-11-14 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          存儲器是一類存儲介質(zhì),根據(jù)實(shí)現(xiàn)的技術(shù)和用途不同,存儲器具有很多不同的分類。為增進(jìn)大家對存儲器的認(rèn)識,本文將對快的相關(guān)內(nèi)容予以介紹。如果你對存儲器、快具有興趣,不妨和小編一起來繼續(xù)往下閱讀哦。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202211/440369.htm


          從智能手機(jī)、筆記型電腦、以及與各種云端應(yīng)用相關(guān)的服務(wù)器,快儲存已經(jīng)在我們的現(xiàn)實(shí)世界中無處不在??扉W存儲器技術(shù)已經(jīng)如此普遍,我們大多數(shù)人甚至都沒有意識到快閃存儲器技術(shù)本質(zhì)上并不是一種可靠的儲存媒介。實(shí)際上,快閃存儲器單元的使用壽命有限,快閃存儲器的特性意味著需要強(qiáng)大的磨損平衡(Wear-Leveling)技術(shù)以便使其有更好的性能表現(xiàn)。

          業(yè)界的好消息是,現(xiàn)代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點(diǎn),并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言,控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要,借由選擇合適的快閃存儲器控制器進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。

          這對于終端用戶和設(shè)備制造商來說是項(xiàng)重大的裨益,因?yàn)橹灰x用合適的高品質(zhì)控制器,低成本、高容量、多級單元的MLC快閃存儲器儲存器就可以大幅使用在更關(guān)鍵的應(yīng)用中。

          由于當(dāng)今接觸到的所有電子設(shè)備幾乎都在使用快閃存儲器儲存器,我們很容易忘記這項(xiàng)技術(shù)本身其實(shí)是一種苛求完美的媒介,面臨許多可靠性的挑戰(zhàn)。

          P/E次數(shù)有限為最大挑戰(zhàn)雖然快閃存儲器儲存單元可讀取接近無限次數(shù),但是它們被編程或擦除(P/E)的次數(shù)卻很有限??扉W存儲器被編程或擦除的耐久性取決于快閃存儲器儲存器的類型,一般來說,對于SSD或eMMC等大多數(shù)采用NAND快閃存儲器儲存設(shè)備而言,其中所使用的是商用MLC型快閃存儲器儲存器,通常每個(gè)單元只有數(shù)千個(gè)編程或擦除周期。

          盡管快閃存儲器在讀取時(shí)沒有太多問題,但快閃存儲器寫入過程的涉入程度更高??扉W存儲器可以在頁面級寫入,大小以千位元為單位。數(shù)據(jù)在正確寫入之前,頁面必須要維持凈空。不幸的是,快閃存儲器儲存器每次只能擦除一個(gè)區(qū)塊,其大小為百萬位元。因此,寫入快閃存儲器儲存器之前首先需要擦除包含頁面在內(nèi)的大區(qū)塊存儲器。由于更新快閃存儲器某個(gè)單元就必須更新區(qū)塊中的所有單元,如此將縮短總體使用壽命。此過程通常被稱為寫入擴(kuò)增(Write AmplificaTIon)。

          為了減少快閃存儲器儲存器單元的磨損,所有快閃存儲器儲存設(shè)備必須使用磨損平衡技術(shù)。這些技術(shù)旨在驅(qū)動(dòng)器上均勻地分散磨損,以最大幅度提高系統(tǒng)的耐久性。在DRAM、SRAM或未使用的快閃存儲器單元中的臨時(shí)緩沖區(qū)都可用來跟蹤驅(qū)動(dòng)器下一步要寫入的位置以及需要擦除的舊位置。

          快閃存儲器驅(qū)動(dòng)器的另一個(gè)主要問題是電源故障保護(hù)。臨時(shí)緩沖區(qū)包含驅(qū)動(dòng)器下一步應(yīng)該寫入的數(shù)據(jù)以及必須擦除的舊位置等訊息,這些訊息儲存在容易流失的存儲器中,在此情況下,突然斷電會(huì)導(dǎo)致緩沖區(qū)被擦除,使得傳送數(shù)據(jù)失敗造成災(zāi)難性的損失。

          隨著光刻制程尺寸的降低以及快閃存儲器儲存器密度和性能的提高,影響快閃存儲器可靠性的最后一個(gè)問題是不斷增加的錯(cuò)誤數(shù)量。最初的快閃存儲器驅(qū)動(dòng)器使用單級單元(SLC)快閃存儲器,其中每個(gè)單元儲存一位元,但現(xiàn)代快閃存儲器驅(qū)動(dòng)器通常將一個(gè)快閃存儲器單元分成多個(gè)位元,即MLC/TLC快閃存儲器。每個(gè)物理單元支持更多字節(jié)以增大儲存密度,但是會(huì)降低每個(gè)字節(jié)開/關(guān)狀態(tài)之間的閾值。這不僅會(huì)增大誤碼率,而且降低使用壽命。隨著光刻制程尺寸的減小,快閃存儲器密度會(huì)進(jìn)一步提高,錯(cuò)誤率也會(huì)增大。

          高級控制器技術(shù)提升可靠度盡管快閃存儲器儲存可靠性面臨著上述挑戰(zhàn),但我們?nèi)匀荒軌驅(qū)⑵溆糜谌粘5南M(fèi)類、商業(yè)類甚至關(guān)鍵任務(wù)性的應(yīng)用,這方面主要得益于先進(jìn)的快閃存儲器控制器技術(shù)。這些控制器結(jié)合了在磨損平衡、電源故障管理和糾錯(cuò)等方面的先進(jìn)技術(shù),使我們能夠安全可靠地使用當(dāng)今的高密度快閃存儲器。



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