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          基于安森美半導(dǎo)體雙管正激NCL30125的300W電源

          作者: 時間:2022-11-28 來源:大大通 收藏

          式變換器與單管正激拓撲的大部分原理是相同的,但式的突出優(yōu)點有三:

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202211/440955.htm

          (1)變壓器儲能有釋放回路,不需要另設(shè)復(fù)位電路或復(fù)位繞組。主要原因是在開關(guān)管導(dǎo)通時,變壓器勵磁,而開關(guān)管閉合時由橋臂上的兩個二極管續(xù)流,磁芯去磁,同時磁芯能量返回直流電源。

          (2)變壓器初級電路半導(dǎo)體器件承受的電壓等于轉(zhuǎn)換器的輸入電壓Ui。而單管正激需要高得多的耐壓器件。

          (3)相對于其他多管的變換器拓撲而言,兩只開關(guān)管無直通短路的危險。因兩只開關(guān)管在橋的對角線上,正常工作時就是兩管同時開通,同時關(guān)斷,此時變壓器初級繞組承受電壓,所以沒有直通危險。而全橋和半橋拓撲則有直通的危險。

          目前市面上雙管正激方案都是采用單管控制器加變壓器或光耦來實現(xiàn)上管驅(qū)動,ON Semiconductor新推出雙管正激方案,上管與下管驅(qū)動分離,并通過控制復(fù)位MOS可解決開機之前MOS中點電壓(HB)不為0的issue。

          ?場景應(yīng)用圖

          ?展示板照片

          ?方案方塊圖

          ?核心技術(shù)優(yōu)勢

          1. 上管與下管驅(qū)動分離,省去上管驅(qū)動變壓器及其周邊期間,整體成本降低 2. 電源架構(gòu)簡化,可減少電源尺寸,實現(xiàn)小型化 3. 通過控制復(fù)位MOS可解決開機之前MOS中點電壓(HB)不為0的issue。

          ?方案規(guī)格

          1. 輸入電壓:180V~264V

          2. 輸入電流:2A @ 180Vin & 滿載

          3. 輸入頻率:47~63Hz

          4. 輸出功率:300W

          5. 效率:88.4% @ 230Vin & 板端測試

          6. 輸出電壓/電流:12V/25A

          7. 待機功耗:<0.3W @ 230Vin



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