銀河微電：功率MOSFET器件已實(shí)現(xiàn)Clip Bond技術(shù)量產(chǎn)

銀河微電12月20日在互動(dòng)平臺表示，功率MOSFET器件已實(shí)現(xiàn)Clip Bond技術(shù)的量產(chǎn)；IPM模塊已完成一款封裝的量產(chǎn)，未來將根據(jù)市場情況逐步系列化；DFN0603無框架封裝已完成工藝驗(yàn)證，性能指標(biāo)符合開發(fā)目標(biāo)要求；CSP0603封裝已完成技術(shù)開發(fā)，未來芯片線改擴(kuò)建時(shí)將進(jìn)行成果轉(zhuǎn)化。