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          詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝

          作者: 時間:2023-03-06 來源:安森美 收藏

          電源應(yīng)用中的 大多是表面貼裝器件 (SMD),包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力,同時尺寸較小,從而有助于實現(xiàn)更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力,但有時散熱效果并不理想。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202303/444047.htm


          由于器件的引線框架(包括裸露漏極焊盤)直接焊接到覆銅區(qū),這導(dǎo)致熱量主要通過PCB進行傳播。而器件的其余部分均封閉在塑封料中,僅能通過空氣對流來散熱。因此,熱傳遞效率在很大程度上取決于電路板的特性:覆銅的面積大小、層數(shù)、厚度和布局。無論電路板是否安裝到散熱器上,都會導(dǎo)致這種情況的發(fā)生。通常器件的最大功率能力無法達到最優(yōu)情形,是因為 PCB 一般不具有高的熱導(dǎo)率和熱質(zhì)量。為解決這個問題并進一步縮小應(yīng)用尺寸,業(yè)界開發(fā)了一種新的 封裝,即讓 的引線框架(漏極)在封裝的頂部暴露出來(例如圖 1 所示)。


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          圖 1. 頂部散熱封裝


          頂部散熱的布局優(yōu)勢


          雖然傳統(tǒng)功率 SMD 有利于實現(xiàn)小型化解決方案,但出于散熱考慮,它們要求在電路板背面其下方的位置不能放置其他元器件。電路板的一些空間無法使用,導(dǎo)致最終的電路板整體尺寸較大。而頂部散熱器件可以繞過此問題:其散熱是通過器件頂部進行的。這樣,MOSFET 下方的板面位置就可以放置元器件了。


          該空間可用于布置如下元器件(但不限于此):


          ●   功率器件

          ●   柵極驅(qū)動電路

          ●   支持元器件(電容、緩沖器等)


          反過來,還能縮小電路板尺寸,減少柵極驅(qū)動信號的路徑,實現(xiàn)更理想的解決方案。


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          圖 2. PCB 器件空間


          與標準 SMD 器件相比,頂部散熱器件除了可以提供更多的布局空間外,還能減少熱量交疊。頂部散熱封裝的大部分熱傳播都直接進入散熱器,因此 PCB 承受的熱量較小。有助于降低周圍器件的工作溫度。


          頂部散熱的熱性能優(yōu)勢


          與傳統(tǒng)的表面貼裝 MOSFET 不同,頂部散熱封裝允許將散熱器直接連接到器件的引線框架。由于金屬具有高熱導(dǎo)率,因此散熱器材料通常是金屬。例如大多數(shù)散熱器是鋁制的,其熱導(dǎo)率在 100-210 W/mk 之間。與通過 PCB 散熱的常規(guī)方式相比,這種通過高熱導(dǎo)率材料散熱的方式大大降低了熱阻。熱導(dǎo)率和材料尺寸是決定熱阻的關(guān)鍵因素。熱阻越低,熱響應(yīng)越好。


          Rθ = 絕對熱阻


          Δx = 與熱流平行的材料的厚度


          A = 垂直于熱流的橫截面積


          k = 熱導(dǎo)率


          除了提高熱導(dǎo)率外,散熱器還提供更大的熱質(zhì)量——這有助于避免飽和,或提供更大的熱時間常數(shù)。這是因為頂部安裝的散熱器的尺寸可以改變。對于一定量的熱能輸入,熱質(zhì)量或熱容與給定溫度變化成正比。


          Cth = 熱容,J/K


          Q = 熱能,J


          ΔT = 溫度變化,K


          PCB 往往具有不同的布局,并且銅皮厚度較低的話,導(dǎo)致熱質(zhì)量(熱容)較低和熱傳播不良。所有這些因素使得標準的表面貼裝 MOSFET 在使用時無法實現(xiàn)最佳熱響應(yīng)。從理論上講,頂部散熱封裝擁有直接通過高熱質(zhì)量、高導(dǎo)熱性源散熱的優(yōu)勢,因此其熱響應(yīng) (Zth (C°/W)) 會更好。在結(jié)溫升幅一定的情況下,更好的熱響應(yīng)將支持更高的功率輸入。這樣,對于相同的 MOSFET 芯片,采用頂部散熱封裝的芯片比采用標準 SMD 封裝的芯片將擁有更高的電流和功率能力。


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          圖 3. 頂部散熱封裝(上)和 SO8FL 封裝(下)的散熱路徑


          熱性能比較的測試設(shè)置


          為了演示和驗證頂部散熱的熱性能優(yōu)勢,我們進行了測試,比較了相同熱邊界條件下 TCPAK57 和 SO8FL 器件的芯片溫升和熱響應(yīng)。為使比較有效,兩個器件在相同的電氣條件和熱邊界下進行測試。區(qū)別在于,TCPAK57 的散熱器安裝在器件上方,而 SO8FL 器件的散熱器安裝在 PCB 的底部,位于 MOSFET 區(qū)域正下方(圖 3)。這是對器件在現(xiàn)場應(yīng)用中使用方式的復(fù)現(xiàn)。測試期間還使用了不同厚度的熱界面材料 (TIM),以驗證使用不同的熱邊界能夠優(yōu)化哪種器件封裝。整體測試按如下方式進行:對這兩個器件施加固定電流(因此是固定功率),然后監(jiān)視結(jié)溫的變化,從而得知哪個器件性能更好。


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          圖 4. 每個器件的應(yīng)用設(shè)置


          器件選擇和PCB布局


          在器件選擇方面,每種封裝中的 MOSFET 具有相同的芯片尺寸并使用相同的技術(shù)。這是為了確保每個器件在給定電流下具有相同的功耗,并使封裝級熱響應(yīng)一致。這樣,我們就能確信所測得的熱響應(yīng)差異是由于封裝差異導(dǎo)致的。出于這些原因,我們選擇使用 TCPAK57 和 SO8FL。它們采用略有不同的線夾和引線框架設(shè)計,一個有引線 (TCPAK57),一個無引線 (SO8FL)。應(yīng)當(dāng)注意的是,這些差異很小,不會對穩(wěn)態(tài)熱響應(yīng)產(chǎn)生很大影響,故可忽略。給定參數(shù)后,選定的器件如下:


          ●   NVMFS5C410N SO8FL

          ●   NVMJST0D9N04CTXG TCPAK57


          為了進一步確保所有其他熱邊界保持等效,我們設(shè)計了兩個相同的 PCB 以搭載 SO8FL 封裝或 TCPAK57 封裝。PCB 設(shè)計為 4 層板,每層含 1 盎司銅。尺寸為 122 mm x 87 mm。SO8FL 板沒有將漏極焊盤連接到電路板其他導(dǎo)電層的熱過孔(這對散熱并不是最好的);在此比較設(shè)置中,可以將其用作最糟散熱情況。


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          圖 5. PCB 的每一層

          (第 1 層顯示在左上方,第 2 層顯示在右上方,

          第 3 層顯示在左下方,第 4 層顯示在右下方)


          散熱器和熱界面材料 (TIM)


          測試過程中使用的散熱器為鋁制,專門設(shè)計用于安裝到 PCB 上。107 mm x 144 mm 散熱器為液冷式,其中 35 mm x 38 mm 散熱面積位于 MOSFET 位置正下方。通過散熱器的液體是水。水是現(xiàn)場應(yīng)用中常用的冷卻液。對于所有測試場景,其流速都設(shè)置為 0.5 gpm 的固定值。水可以提供額外的熱容,將熱量從散熱器轉(zhuǎn)移到供水系統(tǒng)中,有助于降低器件溫度。


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          圖 6. 應(yīng)用設(shè)置


          為了更好地促進 MOSFET 界面散熱,應(yīng)使用熱間隙填充物。這有助于填補界面表面可能存在的缺陷??諝庾鳛椴涣紵釋?dǎo)體,任何氣隙都會增加熱阻。測試使用的 TIM 是 Bergquist 4500CVO 填縫劑,其熱導(dǎo)率為 4.5 W/mK。使用幾種不同厚度的此這種TIM 來展示熱響應(yīng)優(yōu)化的可能性。固定的厚度通過在電路板和散熱器之間使用的精密墊片來實現(xiàn)。使用的目標厚度為:


          ●   ~200 μm

          ●   ~700 μm


          測試電路和加熱/測量方法


          選擇的板載電路配置是半橋設(shè)置,因為它代表了一種通用型現(xiàn)場應(yīng)用。兩個器件彼此靠近,這也準確反映了現(xiàn)場布局,因為較短的走線有助于減少寄生效應(yīng)。由于器件之間有熱量交疊,這對熱響應(yīng)會發(fā)揮一定的作用。


          為了能夠以較低電流值進行相關(guān)加熱,電流將通過 MOSFET 的體二極管。為確保始終如此,將柵極到源極引腳短路。給定器件的熱響應(yīng)通過如下方式獲得:先加熱半橋 FET,直到穩(wěn)態(tài)結(jié)溫(溫度不再升高),然后隨著結(jié)溫回到冷卻狀態(tài)溫度,通過一個 10 mA 小信號源監(jiān)測源漏電壓 (Vsd)。加熱過程中達到熱穩(wěn)態(tài)所需的時間與返回到無電狀態(tài)的時間相等。體二極管的 Vsd 與結(jié)溫呈線性關(guān)系,因此可以使用一個常數(shù) (mV/ C°) 比率(通過每個器件的表征來確定)將其與 ΔTj 相關(guān)聯(lián)。然后將整個冷卻期間的 ΔTj 除以加熱階段結(jié)束時的功耗,就得到給定系統(tǒng)的熱響應(yīng) (Zth)。


          19.png


          2 A 電源、10 mA 電源和 Vsd 的測量均由 T3ster 處理。T3ster 是一款商用測試設(shè)備,專門用于監(jiān)測熱響應(yīng)。它利用前面提到的方法計算熱響應(yīng)。


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          圖 7. 電路圖


          熱比較結(jié)果


          在兩種條件下測量每個器件的熱響應(yīng)結(jié)果:


          ●  200 μm TIM

          ●  700 μm TIM


          這兩次測量的目的是確定給定受控系統(tǒng)中哪種封裝具有更好的熱響應(yīng),以及哪種器件的熱響應(yīng)可以通過外部散熱方法來優(yōu)化。務(wù)必注意,這些結(jié)果并非適用于所有應(yīng)用,而是特定于所提到的熱邊界。


          使用200 μm TIM安裝到散熱器的封裝比較


          對于第一個測試操作,每個器件使用 200 μm TIM 安裝到水冷散熱器上。每個器件都接受 2 A 脈沖,直至穩(wěn)態(tài)。T3ster 監(jiān)測散熱期間的 Vsd,并將其反向關(guān)聯(lián)到該系統(tǒng)的熱響應(yīng)曲線。頂部散熱的穩(wěn)態(tài)熱響應(yīng)值為 ~4.13 C°/W ,而 SO8FL 的值為 ~25.27 C°/W。這一巨大差異與預(yù)期結(jié)果一致,因為頂部散熱封裝直接安裝到高導(dǎo)熱性、大熱容的散熱器上,實現(xiàn)了良好的熱傳播。對于SO8FL 則由于 PCB 的熱導(dǎo)率差,導(dǎo)熱效果差。


          為了幫助理解如何在應(yīng)用中利用這些優(yōu)勢,可以將熱響應(yīng)值與每個器件可以承受的功率量聯(lián)系起來。將 Tj 從 23 C° 的冷卻液溫度提高到 175 C° 的最大工作溫度所需的功率計算如下:


          21.png


          注意:此功率差異在這個特定的熱系統(tǒng)中是意料之中的。


          在該熱系統(tǒng)中,頂部散熱單元可應(yīng)對的功率量是 SO8FL 的 6 倍。在現(xiàn)場應(yīng)用中,這可以通過幾種不同的方式加以利用。下面是它的一些優(yōu)勢:


          ●  當(dāng)需要的電流一定時,由于功率能力提高,相比SO8FL 可以使用更小的散熱器。從而可能節(jié)省成本。

          ●  對于開關(guān)模式電源應(yīng)用,在保持相近的熱裕量的同時可以提高開關(guān)頻率。

          ●  可用于原本不適合 SO8FL 的更高功率應(yīng)用。

          ●  芯片尺寸一定時,頂部散熱器件相比 SO8FL 將有更高的安全裕量,在給定電流需求下運行溫度更低。


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          圖 8. 使用 200 μm TIM 的熱響應(yīng)曲線


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          圖 9. 使用 200 μm TIM 的溫度變化曲線


          使用700 μm TIM安裝到散熱器的封裝比較


          使用 700 μm 的 TIM 厚度進行了另一次測試操作。這是為了與 200 μm TIM 測試進行熱響應(yīng)變化的比較,以驗證外部散熱方法對每種封裝的影響。該測試操作得到如下熱響應(yīng)結(jié)果:頂部散熱器件為 6.51 C°/W,SO8FL 為 25.57 C°/W。對于頂部散熱,兩次 TIM 操作的差異為 2.38 C°/W,而 SO8FL 的差異為 0.3 C°/W。這意味著該外部散熱方法對頂部散熱器件影響很大,而對 SO8FL 影響很小。這也是意料之中的,因為頂部散熱器件的熱響應(yīng)以 TIM 層熱阻為主。與散熱器相比,TIM 的熱導(dǎo)率較低。因此,當(dāng)厚度增加時,熱阻會增加,導(dǎo)致 Rth 更高。


          SO8FL TIM 變化發(fā)生在電路板和散熱器之間。其器件熱量必須通過電路板傳播才能到達 TIM 和散熱器,因此厚度變化對主要熱量路徑的熱阻影響很小。所以,熱響應(yīng)的變化很小。


          TIM 厚度變化引起的這些熱響應(yīng)變化,證明了頂部散熱封裝具有整體優(yōu)勢。TCPAK57 在封裝頂部有一個裸露的引線框架,因而可以更好地控制熱量路徑的熱阻。對于特定應(yīng)用和散熱方法,可以利用這個特點來優(yōu)化熱響應(yīng)。這反過來又會提供更可控和有益的功率能力。SO8FL 和類似的 SMD 器件難以通過其所在的電路板散熱,具體情況取決于 PCB 特性。這是非易控因素,因為除了散熱之外,PCB 設(shè)計還有許多其他變量需要考慮。


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          圖 10. 使用 700 μm TIM 的溫度變化曲線


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          圖 11. 使用 700 μm TIM 的溫度變化曲線


          要點總結(jié)


          頂部散熱封裝可避免通過 PCB 進行散熱,縮短了從芯片到散熱裝置的熱量路徑,從而降低了器件的熱阻。熱阻與散熱器和熱界面材料特性直接相關(guān)。低熱阻可以帶來許多應(yīng)用優(yōu)勢,例如:


          ●  需要的電流量一定時,由于功率能力提高,相比標準 SMD 可以使用更小的頂部散熱器件。反過來,這還可能帶來成本節(jié)省。

          ●  對于開關(guān)模式電源應(yīng)用,在保持相近的熱裕量的同時可以提高開關(guān)頻率。

          ●  可用于原本標準 SMD 不適合的更高功率應(yīng)用。

          ●  芯片尺寸一定時,頂部散熱器件相比等效 SMD 器件將有更高的安全裕量,在給定電流需求下運行溫度更低。


          更強的熱響應(yīng)優(yōu)化能力。這通過改變熱界面材料和/或厚度來實現(xiàn)。TIM 越薄和/或熱導(dǎo)率越好,熱響應(yīng)就越低。熱響應(yīng)也可以通過改變散熱器特性來改變。


          頂部散熱封裝可減少通過 PCB 的熱量傳播,進而減少器件之間的熱量交疊。


          頂部散熱使得 PCB 的背面不需要連接散熱器,因此 PCB 上的元器件可以布置得更緊湊。



          關(guān)鍵詞: 安森美 MOSFET

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