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          [向?qū)捊麕а葸M(jìn)]:您能跟上寬禁帶測(cè)試要求的步伐嗎?

          作者: 時(shí)間:2023-03-15 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

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          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202303/444465.htm

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          碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來(lái)越高。在電氣方面,這些物質(zhì)比硅和其他典型半導(dǎo)體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性,而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料,所以會(huì)引發(fā)不良的導(dǎo)電性泄漏,且會(huì)隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導(dǎo)電率,相當(dāng)于半導(dǎo)體運(yùn)行失效。

          在這兩種寬禁帶材料中,GaN主要適合中低檔功率實(shí)現(xiàn)方案,大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個(gè)顯著增長(zhǎng)領(lǐng)域是它在LED照明中的應(yīng)用,而且在汽車(chē)和射頻通信等其他低功率用途中的應(yīng)用也在增長(zhǎng)。相比之下,圍繞SiC的技術(shù)比GaN發(fā)展得更好,也更適合于更高功率的應(yīng)用,如電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器、電力傳輸、大型HVAC設(shè)備和工業(yè)系統(tǒng)。

          與Si s相比,SiC器件能夠在更高的電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率和更高的溫度下工作。在這些條件下,SiC具有更高的性能、效率、功率密度和可靠性。這些優(yōu)勢(shì)正幫助設(shè)計(jì)人員降低功率轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和成本,使其更具競(jìng)爭(zhēng)力,特別是在利潤(rùn)豐厚的細(xì)分市場(chǎng)中,比如航空、軍工和電動(dòng)汽車(chē)。

          由于SiC s能夠在基于更小元器件的設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高的能效,因此其在下一代功率轉(zhuǎn)換設(shè)備開(kāi)發(fā)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。同時(shí),這種轉(zhuǎn)換還要求工程師重新審視在創(chuàng)建電力電子器件時(shí)傳統(tǒng)上一直使用的部分設(shè)計(jì)和測(cè)試技術(shù)。

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          5系MSO示波器上的雙脈沖測(cè)試軟件自動(dòng)測(cè)量啟動(dòng)期間的能量損耗(Eon)和關(guān)鍵定時(shí)參數(shù)。

          對(duì)嚴(yán)格測(cè)試的要求不斷增長(zhǎng)

          為了充分實(shí)現(xiàn)SiC和GaN器件的潛力,需要在開(kāi)關(guān)操作期間進(jìn)行精確測(cè)量,以?xún)?yōu)化效率和可靠性。SiC和GaN半導(dǎo)體器件的測(cè)試程序必須考慮到這些器件的更高工作頻率和電壓。

          測(cè)試測(cè)量工具的發(fā)展,如任意函數(shù)發(fā)生器(AFGs)、示波器、源測(cè)量單元(SMU)儀器和參數(shù)分析儀,正在幫助電源設(shè)計(jì)工程師更迅速地獲得更強(qiáng)大的結(jié)果。這種設(shè)備的升級(jí)換代,正幫助他們應(yīng)對(duì)日常挑戰(zhàn)。泰克/吉時(shí)利電源市場(chǎng)部負(fù)責(zé)人Jonathan Tucker表示:"最大限度地減少開(kāi)關(guān)損耗仍然是電源設(shè)備工程師面臨的一個(gè)主要挑戰(zhàn);這些設(shè)計(jì)必須進(jìn)行嚴(yán)格測(cè)量,以確保一致性。其中一項(xiàng)關(guān)鍵測(cè)量技術(shù)稱(chēng)為雙脈沖測(cè)試 (DPT),這是測(cè)量s或功率器件開(kāi)關(guān)參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)方法。"

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          執(zhí)行SiC半導(dǎo)體雙脈沖測(cè)試的設(shè)置包括:函數(shù)發(fā)生器,用來(lái)驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極;示波器及分析軟件,用來(lái)測(cè)量VDS和 ID。除雙脈沖測(cè)試外,即除了電路級(jí)測(cè)試外,還有材料級(jí)測(cè)試、元件級(jí)測(cè)試和系統(tǒng)級(jí)測(cè)試都需要進(jìn)行。測(cè)試工具的創(chuàng)新使得處于生命周期各個(gè)階段的設(shè)計(jì)工程師都能朝著電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的方向努力,使其能夠經(jīng)濟(jì)高效地滿(mǎn)足嚴(yán)格的設(shè)計(jì)要求。

          泰克為成功實(shí)現(xiàn)寬禁帶器件提供了多種工具,下面是泰克為滿(mǎn)足當(dāng)今寬禁帶要求提供的部分工具:

          ●   源測(cè)量單元(SMU)儀器

          ●   任意函數(shù)發(fā)生器(AFGs)

          ●   示波器

          ●   參數(shù)分析儀

          準(zhǔn)備好針對(duì)監(jiān)管變化和從發(fā)電到電動(dòng)汽車(chē)等終端用戶(hù)設(shè)備的新技術(shù)需求對(duì)設(shè)備進(jìn)行認(rèn)證,使研發(fā)電力電子的公司能夠?qū)W⒂谠鲋祫?chuàng)新,為未來(lái)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。



          關(guān)鍵詞: MOSFET IGBT

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