吉利科技旗下晶能微電子自研首款車規(guī)級 IGBT 產品成功流片

IT之家 3 月 16 日消息，吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布，其自主設計研發(fā)的首款車規(guī)級 IGBT 產品成功流片。新款芯片各項參數均達到設計要求。

晶能自主研發(fā) IGBT 流片晶圓

該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術，通過優(yōu)化表面結構和 FS 結構，兼具短路耐受同時實現更低的導通 / 開關損耗，功率密度增大約 35%，綜合性能指標達到行業(yè)領先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。

晶能表示，一輛典型的新能源汽車芯片用量超過 1200 顆。功率半導體占比接近 1/4。公司將圍繞動力總成系統(tǒng)中的開發(fā)需求，不斷研制性能優(yōu)越的芯片和模塊產品。

晶能自主研發(fā) IGBT HP Drive 模塊

IGBT 是現代電力電子中的主導型器件，被譽為電力電子行業(yè)里的 CPU。近期，也有行業(yè)開發(fā)者討論將 Si IGBT 和 SiC MOS 封裝在一起，形成混合并聯模塊的解決方案。未來，功率芯片和模塊的創(chuàng)新應用場景會更加豐富。

晶能微電子是吉利科技集團孵化的功率半導體公司，聚焦于 Si IGBT&SiC MOS 的研制與創(chuàng)新，發(fā)揮“芯片設計 + 模塊制造 + 車規(guī)認證”的綜合能力，為新能源汽車、電動摩托車、光伏、儲能、新能源船舶等客戶提供性能優(yōu)越的功率產品和服務。

IT之家注：

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET 驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為 600V 及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT 是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產業(yè)，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與 FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的 IGBT 模塊直接應用于變頻器、UPS 不間斷電源等設備上。

IGBT 模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的 IGBT 也指 IGBT 模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見。