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          貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

          作者: 時間:2023-04-12 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          2023412專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨 (onsemi) (SiC) 系列解決方案。產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBTSiC二極管功率集成模塊 (PIM),以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經(jīng)過優(yōu)化,可為能源基礎(chǔ)設(shè)施工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用提供高可靠性和高性能。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202304/445523.htm

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          可再生能源和大功率工業(yè)應(yīng)用需要高擊穿電壓 (BV),1700V NTH4L028N170M1 MOSFET就可以提供這樣的特性。NTH4L028N170M1的最大柵極至源極電壓 (VGS) 范圍為-15V+25V,適用于柵極電壓達到-10V的快速開關(guān)應(yīng)用,從而提高系統(tǒng)可靠性。1700V EliteSiC MOSFET1200V、40A測試條件下的柵極電荷 (Qg) 僅為200nC,在快速開關(guān)、大功率可再生能源應(yīng)用中具有很高的效率。

           

          NDSH25170ANDSH10170A EliteSiC肖特基二極管的額定BV1700V,在最大反向電壓 (VRRM) 和重復(fù)峰值反向電壓之間具有更大的容限。這些器件還使設(shè)計人員能夠在高溫下實現(xiàn)穩(wěn)定的高壓操作,并且不會影響SiC的高效率。

           

          無論是電動汽車充電站、利用可再生能源的電網(wǎng),還是高壓/大電流的工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用,EliteSiC都能實現(xiàn)出色的效率,并降低功率損耗。

           

          在過去兩年中提供了超122,000個新物料編號。



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