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          Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET
          
						
          
				作者：
				時間：2023-04-13
				來源：電子產(chǎn)品世界

				
				
				
				
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          【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達驅(qū)動、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動車 (EV) 電池充電器等應(yīng)用，對更高效率與更高功率密度的需求。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202304/445538.htm
          1681351819550453.png
          DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作，同時維持低導(dǎo)熱性 (RθJC = 0.6°C/W)，非常適合用于在惡劣環(huán)境中運作的應(yīng)用。這款 MOSFET 的 RDS(ON) (典型值) 很低，僅 80mΩ (對于 15V 的閘極驅(qū)動)，能將傳導(dǎo)耗損降至最低，并提高效率。而這款裝置的閘極電荷僅 52nC，可減少開關(guān)耗損與降低封裝溫度。
           
          本產(chǎn)品是市場上首款采用 TO247-4 封裝的碳化硅 MOSFET。額外的凱爾文感應(yīng)接腳可以接到 MOSFET 的源極，以優(yōu)化切換效能，達到更高的功率密度。

          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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                        碳化硅
                        MOSFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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