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          適用于運輸領(lǐng)域的SiC:設(shè)計入門

          作者:Microchip Technology Inc. Tomas Krecek和Nitesh Satheesh 時間:2023-04-19 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          簡介

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202304/445757.htm

          在這篇文章中,作者分析了運輸輔助動力裝置(APU)的需求,并闡述了 MOSFET、二極管及柵極驅(qū)動器的理想靜態(tài)和動態(tài)特性。

           

          為什么使用寬帶隙(WBG)材料?

          對于任何電力電子工程師來說,必須大致了解適用于功率半導(dǎo)體開關(guān)器件的半導(dǎo)體物理學(xué)原理,以便掌握非理想器件的電氣現(xiàn)象及其對目標(biāo)應(yīng)用的影響。理想開關(guān)在關(guān)斷時的電阻無窮大,導(dǎo)通時的電阻為零,并且可在這兩種狀態(tài)之間瞬間切換。從定量角度來看,由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件,因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)通狀態(tài)電流通過單極傳輸,這意味著N溝道器件中只有電子。由于沒有少數(shù)載流子注入,因此在柵極偏壓降低到一定的閾值電壓以下后,電流會立即斷開。

          另一方面,雙極性器件可利用雙極性(電子-空穴)調(diào)制,將空穴注入基極,從而顯著提高導(dǎo)通能力。這些“額外”注入的載流子必須在器件從導(dǎo)通狀態(tài)切換到關(guān)斷狀態(tài)時消除。這可通過以下兩種方法實現(xiàn):一是通過柵極驅(qū)動電流消除電荷,二是通過電子-空穴重組過程。雙極性器件的這種固有特點會造成顯著的功率損失,從而降低開關(guān)性能。因此,單極性器件更符合我們前文所述的三個理想條件之一,即理想的開關(guān)可以在導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)之間瞬間切換。

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          1. 價帶和導(dǎo)帶之間較寬的能量帶隙可使在關(guān)斷狀態(tài)下成為較好的隔離器,并且能減少MOSFET的厚度

           

          如何改善另外兩個理想條件?

          半導(dǎo)體器件內(nèi)的電流必須流經(jīng)一個稱為漂移區(qū)的區(qū)域(見圖2)。此區(qū)域的作用是完全阻斷關(guān)斷狀態(tài)下的額定電壓。阻斷電壓越高,需要的溝道長度越長,從而導(dǎo)致電阻越大。這表明我們的理想功率開關(guān)性能會隨著標(biāo)稱電壓的升高而變差。

          考慮到硅材料的特性,高于200V的標(biāo)稱電壓會因溝道過長而頗具挑戰(zhàn)性(使器件在電氣性能上和經(jīng)濟效益上都失去優(yōu)勢)。在這種情況下,IGBT等雙極性器件的優(yōu)勢較大(實現(xiàn)了開關(guān)權(quán)衡),寬帶隙半導(dǎo)體也是一種可以盡量減少不利影響的替代性技術(shù)解決方案。圖1重點介紹了寬價帶的優(yōu)勢(粒子不能占據(jù)這個帶區(qū))。“寬帶隙”材料的主要優(yōu)點在于,在阻斷模式下可成為較好的隔離器(更接近左側(cè)的隔離器),在導(dǎo)通模式下可成為極其出色的導(dǎo)體(Si的載流子流動性都很高)。

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          2. 漂移區(qū)更窄是SiCWBG特性的主要影響,這是導(dǎo)致總Rdson增大的最大因素。

           

          目標(biāo)應(yīng)用中存在哪些寬帶隙優(yōu)勢?

          我們已經(jīng)解釋過,WBG半導(dǎo)體支持采用固有快速MOSFET結(jié)構(gòu),適合非常高的阻斷電壓。對于諧振模式下的直流-直流轉(zhuǎn)換器,這一點尤為實用。輸出特性圖(圖3a)給出了有關(guān)這類器件導(dǎo)通性能的更多信息。Si-IGBT用作比較的參照物;我們可以看到,在某些交叉點上,當(dāng)接近兩種器件的標(biāo)稱電流時,SiC-MOSFET的固有性能更好(壓降更低)。這最終產(chǎn)生了一條平坦的效率曲線,并且有利于任何主要在略高于標(biāo)稱功率的輕載條件下工作的轉(zhuǎn)換器。


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          3. 直接影響功率開關(guān)選擇的三個最重要電氣特性

          如圖3c中所示,SiC-MOSFET結(jié)構(gòu)的第三象限(有時稱為整流象限)工作模式有一個非常有趣的特點。在這種模式下,SiC-MOSFET可以用作二極管?;蛘?,如果我們導(dǎo)通溝道,則會開啟器件并產(chǎn)生極小的導(dǎo)通損耗。這樣的開關(guān)可用作雙向開關(guān),在兩個方向上的性能幾乎相同。

           

          柵極驅(qū)動挑戰(zhàn)

          更高的柵極電壓需求:通常,SiC器件具有較寬的帶隙以及較高的P型基極層濃度水平(見圖2),因此其柵極電壓閾值較高,這樣主要是為了避免擊穿。因此,要在SiC功率MOSFET中達到合理的柵極驅(qū)動電壓以完全打開溝道,會成為一種根本性的挑戰(zhàn)。在圖3b中,捕捉到了SiC-MOSSi-IGBT的典型傳輸特性。讀者會發(fā)現(xiàn),SiC-MOS的溝道打開速度略微“緩慢”,在20V左右時,Rdson達到最小值。鑒于此,柵極驅(qū)動器應(yīng)持續(xù)提供20V的柵極電壓,最好是可以進行配置。

          由于存在柵極電荷殘留,SiC-MOS結(jié)構(gòu)中必須具有負(fù)偏壓,同樣,最好可以進行配置以實現(xiàn)優(yōu)化。近乎理想的功率開關(guān)和它們周圍的封裝寄生元件(見圖4)的組合會引起過壓和振蕩。關(guān)鍵在于(a)盡量減少所有外部直流鏈路+連接+柵極路徑和內(nèi)部雜散高級功率模塊的封裝元件,包括開爾文型柵極連接;(b)利用優(yōu)化的SiC-MOS技術(shù);以及(c)在適用的情況下,采用先進的柵極驅(qū)動技術(shù),如圖4所示的有源柵極電壓控制(Augmented Switching?)。

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          4. 實現(xiàn)可靠、高效SiC-MOS驅(qū)動的柵極驅(qū)動器和封裝的主要假設(shè)

           

          總結(jié)

          憑借快速開關(guān)和高壓操作的出色組合,SiC MOSFET成為輔助電源的理想選擇,尤其是其出色的第三象限工作模式,進一步凸顯了其優(yōu)勢。隨著電動列車等新興技術(shù)的問世,SiC MOSFET成為了更具吸引力的選擇,無論對軟開關(guān)還是硬開關(guān)均適用。借助可最大限度地減少寄生效應(yīng)的高級封裝技術(shù)和數(shù)字柵極驅(qū)動技術(shù),這些強大的器件能夠充分發(fā)揮全部優(yōu)勢。




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