SK海力士開發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM
2023年4月20日, SK海力士宣布,再次超越了現有最高性能DRAM(內存)——HBM3*的技術界限,全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片,成功開發(fā)出最高容量24GB(Gigabyte,千兆字節(jié))**的HBM3 DRAM新產品,并正在接受客戶公司的性能驗證。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202304/445826.htmSK海力士強調“公司繼去年6月全球首次量產HBM3 DRAM后,又成功開發(fā)出容量提升50%的24GB套裝產品?!?“最近隨著人工智能聊天機器人(AI Chatbot)產業(yè)的發(fā)展,高端存儲器需求也隨之增長,公司將從今年下半年起將其推向市場,以滿足市場需求?!?/p>
公司技術團隊在此次此新產品采用了先進(Advanced)MR-MUF*和TSV**技術。SK海力士表示,通過先進MR-MUF技術加強了工藝效率和產品性能的穩(wěn)定性,又利用TSV技術將12個比現有芯片薄40%的單品DRAM芯片垂直堆疊,實現了與16GB產品相同的高度。
SK海力士于2013年在世界上首次開發(fā)的HBM DRAM是實現需要高性能計算的生成式AI所必要的存儲器半導體產品,因此在受到業(yè)界的高度關注。
最新規(guī)格的HBM3 DRAM被評價為能夠快速處理龐大數據的首選產品,從而大型科技公司的需求也在逐漸擴大。
公司已向數多全球客戶公司提供了24GB HBM3 DRAM樣品正在進行性能驗證,據悉客戶對此產品抱有極大的期待。
SK海力士封裝測試(P&T)擔當副社長洪相后表示:“公司以全球頂級后端工藝技術力為基礎,接連開發(fā)出了超高速、高容量的HBM DRAM產品。將在今年上半年內完成新產品的量產準備,以鞏固人工智能時代尖端DRAM市場的主導權”。
*HBM(High Bandwidth Memory):垂直連接多個DRAM,與DRAM相比顯著提升數據處理速度的高附加值、高性能產品。HBM DRAM產品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)的順序開發(fā)。
**現有HBM3 DRAM的最大容量是垂直堆疊8個單品DRAM芯片的16GB。
*MR-MUF:將半導體芯片堆疊后,為了保護芯片和芯片之間的電路,在其空間中注入液體形態(tài)的保護材料,并固化的封裝工藝技術。與每堆疊一個芯片時,鋪上薄膜型材料的方式對比工藝效率高,散熱方面也更有效。
**TSV(Through Silicon Via, 硅通孔技術)在DRAM芯片打上數千個細微的孔,并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的先進封裝(Advanced Packaging)技術。采用該技術的SK海力士HBM3 DRAM可每秒傳輸163部全高清(Full-HD)電影,最大速度可達819GB/s(每秒819千兆字節(jié))。
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