SiC并購戰(zhàn)：誰是頂級(jí)收購者？

得益于電動(dòng)汽車和可再生能源等市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，近年來化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)蓬勃發(fā)展。隨著公司競(jìng)相確立其在行業(yè)中的地位，并購活動(dòng)也在日益增加。

過去幾年，市場(chǎng)的并購交易顯著激增：從 2006 年到 2017 年，每?jī)赡曛挥幸还P交易，但自 2018 年以來，每年都有 6 筆交易，超過了歷史數(shù)據(jù)。

雖然 SiC 和 GaN 是并購的主要類別，但其中 21 筆交易與 SiC 直接相關(guān)。這是因?yàn)榻?jīng)過 20 多年的發(fā)展，SiC 已經(jīng)能夠量產(chǎn)以滿足市場(chǎng)需求，尤其是在 SiC 已經(jīng)成為主流技術(shù)的汽車行業(yè)。

行業(yè)巨頭驅(qū)動(dòng)的垂直整合

Wolfspeed、On Semi、II-VI、ST、Infineon 等歐美行業(yè)龍頭近年來開始加速垂直整合，體現(xiàn)在并購頻率上。

美國(guó)主導(dǎo)了 12 起并購交易，其中只有四起發(fā)生在 2018 年之前，而 Wolfspeed 促成了其中三起。在過去的三年中，On-Semi、II-VI 和 Macom 牽頭進(jìn)行了幾筆交易，重點(diǎn)是 SiC 的垂直整合以滿足市場(chǎng)需求。

在歐洲，共有 8 筆并購交易，均發(fā)生在 2018 年及以后，ST 和英飛凌是主要參與者。兩家公司都通過戰(zhàn)略收購積累技術(shù)實(shí)力，以保持在 SiC 功率器件市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

在 2019 年和 2020 年，ST 收購了 Norstel AB 以增強(qiáng)其 SiC 晶圓制造能力，并收購了 Exgan 以提高 GaN 功率器件設(shè)計(jì)專業(yè)知識(shí)。同樣，英飛凌于 2018 年收購了 Siltectra GMbH，以控制關(guān)鍵的 SiC 晶圓冷分割工藝技術(shù)，最近還收購了 GaN Systems 以加強(qiáng)其在 GaN 市場(chǎng)的地位。

從案例中可以看出，歐美并購的高頻率主要是由行業(yè)龍頭企業(yè)帶動(dòng)，逐漸形成市場(chǎng)格局。

經(jīng)過很長(zhǎng)一段時(shí)間成長(zhǎng)為龍頭企業(yè)的 Wolfspeed，積累了足夠的并購資本，逐步向平臺(tái)型企業(yè)轉(zhuǎn)型。受益于 SiC 在新能源汽車以及光伏等領(lǐng)域需求旺盛，Wolfspeed 的功率及射頻業(yè)務(wù)毛利率水平整體高于照明及 LED 業(yè)務(wù)，在 FY2020 前保持 48% 左右的毛利率水平，在擴(kuò)產(chǎn)后毛利率水平下降。FY2020-21 由于疫情影響與產(chǎn)能調(diào)整，公司產(chǎn)能利用率下降，毛利率持續(xù)下滑。FY22Q4 毛利率為 36.5%，同比增長(zhǎng) 4.3%，高于指引中值 36.3%，主要系疫情影響有所減弱，疊加產(chǎn)能效率優(yōu)化以及新工廠開業(yè)等一系列調(diào)整。隨 著設(shè)備生產(chǎn)從達(dá)勒姆向莫霍克谷轉(zhuǎn)移的加速，預(yù)計(jì)在未來 8 英寸量產(chǎn)及整體產(chǎn)量 提高后，成本有望下降，毛利水平有望回歸，公司預(yù)計(jì) FY2024 產(chǎn)品毛利率從目 前 30% 提升至 50% 水平。

與此同時(shí)，Onsemi、ST 和 Infineon 這些傳統(tǒng)上在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域具有成熟專業(yè)知識(shí)的平臺(tái)型公司，現(xiàn)在正在加緊并購活動(dòng)以擴(kuò)大市場(chǎng)份額并產(chǎn)生強(qiáng)勁的增長(zhǎng)動(dòng)力。

市場(chǎng)格局持續(xù)變化

半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)間的并購交易也備受關(guān)注。近期，ASM 和 Veeco 相繼收購了 LPE 和 Epiluvac，表明設(shè)備制造商也意識(shí)到了 SiC 市場(chǎng)的巨大潛力，正在加速投資。

TrendForce 最新報(bào)告顯示，鑒于技術(shù)的快速突破，預(yù)計(jì)整體 SiC 功率器件市場(chǎng)將以每年 41.4% 的速度增長(zhǎng)，到 2023 年將達(dá)到 22.8 億美元，到 2026 年將達(dá)到 53.3 億美元，年增長(zhǎng)率為 35%。

然而，伴隨當(dāng)前的市場(chǎng)繁榮而來的是一個(gè)新的挑戰(zhàn)——供應(yīng)短缺。盡管 STM 和 Onsemi 等公司努力提高產(chǎn)量，但行業(yè)增長(zhǎng)的最大障礙之一是 SiC 襯底材料的稀缺。

制造商現(xiàn)在正在尋找內(nèi)部和外部資源以保持供應(yīng)暢通。雖然大部分 SiC 襯底供應(yīng)商都在擴(kuò)張，但只有像 Wolfspeed 這樣的少數(shù)供應(yīng)商控制著高端汽車主逆變器用 SiC 襯底的制造能力，這加劇了車用 SiC 器件生產(chǎn)的瓶頸。

話雖如此，主要參與者必須迅速解決技術(shù)障礙和供應(yīng)問題，以彌合市場(chǎng)差距。這將不可避免地推動(dòng)激烈的競(jìng)爭(zhēng)和行業(yè)整合，只有能夠快速適應(yīng)的企業(yè)才能長(zhǎng)期蓬勃發(fā)展。

襯底制備技術(shù)成熟度正在追趕：尺寸方面，國(guó)內(nèi) SiC 商業(yè)化襯底 4 英寸導(dǎo)電和半絕緣襯底已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，6 英 寸導(dǎo)電襯底小批量供貨，2022 年上半年，山西爍科晶體和中科院物理所先后宣布 突破 8 英寸 SiC 襯底，國(guó)內(nèi)水平與行業(yè)龍頭的差距正不斷縮小。厚度方面，哈爾濱科友宣布其 6 英寸 SiC 導(dǎo)電型晶體厚度達(dá)到 32mm，SiC 晶 錠的厚度提升能增加切片得到的襯底片數(shù)，降低襯底生產(chǎn)成本。

產(chǎn)品性能方面，目前國(guó)際上 8 英寸 SiC 襯底樣品微管密度達(dá)到 0.6cm-2，國(guó)產(chǎn) SiC 襯底實(shí)現(xiàn)微管密度小于 1 個(gè)/cm2，襯底面積 95% 可用，位錯(cuò)約在 103/cm2；在單晶一致性、成品率方面與國(guó)際先進(jìn)水平仍有差距。但國(guó)內(nèi) SiC 龍頭企業(yè)技術(shù) 水平也在不斷提升，例如天岳先進(jìn)、天科合達(dá)已經(jīng)掌握半絕緣型 SiC 襯底和導(dǎo)電 型 SiC 襯底的生產(chǎn)技術(shù)，其產(chǎn)品參數(shù)包括直徑、微管密度、多型面積、電阻率范 圍、總厚度變化、彎曲度、翹曲度、表面粗糙度等已經(jīng)能夠比肩國(guó)際先進(jìn)水平。