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          且看超緊湊DC-DC轉(zhuǎn)換器如何解鎖Beyond 5G技術(shù)!

          作者: 時(shí)間:2023-05-11 來(lái)源:TDK 收藏

          自2019年起,5G服務(wù)就已進(jìn)入了商業(yè)化部署階段。然而,要想真正發(fā)揮這項(xiàng)技術(shù)所承諾的超高速和超低延遲的優(yōu)勢(shì),還需要進(jìn)一步提高相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。其中一項(xiàng)創(chuàng)新就是載波聚合技術(shù),這項(xiàng)技術(shù)通過(guò)同時(shí)利用多個(gè)頻段來(lái)提高通信吞吐量。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202305/446476.htm


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          自2019年起,5G服務(wù)就已進(jìn)入了商業(yè)化部署階段。然而,要想真正發(fā)揮這項(xiàng)技術(shù)所承諾的超高速和超低延遲的優(yōu)勢(shì),還需要進(jìn)一步提高相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。其中一項(xiàng)創(chuàng)新就是載波聚合技術(shù),這項(xiàng)技術(shù)通過(guò)同時(shí)利用多個(gè)頻段來(lái)提高通信吞吐量。


          研發(fā)的超緊湊DC-DC通過(guò)為網(wǎng)絡(luò)中的現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGAs)和下一代芯片組供電,以推動(dòng)這一目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。本期推文就帶您一探究竟!


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          雖然5G(第五代移動(dòng)通信技術(shù))服務(wù)在2020年左右才在全球推廣,但可以說(shuō)現(xiàn)在還未真正感受過(guò)5G優(yōu)勢(shì)的人群已為數(shù)不多。要想讓5G更實(shí)質(zhì)性地改善我們的生活和社會(huì),還將面臨諸多挑戰(zhàn),其中包括基站網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)、用戶(hù)設(shè)備的采用和內(nèi)容的開(kāi)發(fā),所有這些都離不開(kāi)持續(xù)性的技術(shù)創(chuàng)新。


          基于5G的下一代通信系統(tǒng)會(huì)具有更先進(jìn)的功能,所以被稱(chēng)為超越5G(Beyond),預(yù)計(jì)將于2030年左右亮相。它的特點(diǎn)包括功耗超低(只有5G 的1/100),面對(duì)安全威脅和災(zāi)難具有超高的靈活性和可靠性,設(shè)備在無(wú)人干預(yù)的情況下也能自主運(yùn)行,其超強(qiáng)的可擴(kuò)展性支持與衛(wèi)星和其他設(shè)備無(wú)縫連接。這一切都是大量技術(shù)突破的成果。


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          資料來(lái)源:《Beyond信息通信技術(shù)戰(zhàn)略中期報(bào)告》(草案),2022年5月。


          Beyond指繼5G之后的移動(dòng)通信系統(tǒng),該系統(tǒng)既推動(dòng)了新價(jià)值的創(chuàng)造,如超低功耗、超高安全性和可靠性、自主性和可擴(kuò)展性,又增強(qiáng)了現(xiàn)有5G功能,包括高速、高容量、低延遲和多并發(fā)連接。


          高速度和高容量是5G的基石,預(yù)計(jì)未來(lái)對(duì)這兩個(gè)方面的技術(shù)革新發(fā)展會(huì)有更高的需求。目前,一項(xiàng)名為載波聚合的技術(shù)受到了廣泛關(guān)注,它有望通過(guò)跨多個(gè)頻段捆綁傳輸?shù)臒o(wú)線電波來(lái)加快通信速度??紤]到捆綁需要大規(guī)模的基站設(shè)施,因此一些小型蜂窩基站已在部署當(dāng)中。小型蜂窩基站是一種緊湊、低功率、覆蓋區(qū)域狹窄的基站,可以作為現(xiàn)有基站的補(bǔ)充。與此同時(shí),為了實(shí)現(xiàn)載波聚合技術(shù),還需要小型蜂窩基站符合下一代ORAN*1規(guī)范,并增強(qiáng)光纖傳輸技術(shù)GPON*2。


          在這些通信系統(tǒng)的電子電路中,通常采用半導(dǎo)體集成電路(IC),如FPGA*3和SoC*4。因?yàn)槭怯糜谛⌒头涓C基站,電路板空間有限,所以包括集成電路在內(nèi)的所有電路都必須做到小型化。尤其是內(nèi)含大量元件的電源部分更需要縮小空間。具體來(lái)說(shuō),就是要用更少的外部元件實(shí)現(xiàn)更高的電流密度。


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          為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),在μPOL? DC-DC新系列中開(kāi)發(fā)了可通過(guò)世界上最小的封裝提供最高電流密度的FS1412。該產(chǎn)品的尺寸僅為5.8mm × 4.9mm × 1.6mm,為電路板空間受限的應(yīng)用提高了電源效率。該產(chǎn)品可放置在FPGA、SoC、ASIC*5等復(fù)雜芯片組附近,通過(guò)提供一流的電流密度,同時(shí)減少所需元件數(shù)量,因而有助于縮小整體電路板尺寸。由于它可以安裝在芯片組附近,因此最大限度地減少了電路板的走線功耗*6,從而實(shí)現(xiàn)了出色的散熱性能,同時(shí)降低元件、電路板尺寸和組裝成本。


          FS1412μPOL?可充分滿(mǎn)足小型蜂窩基站、O-RAN和GPON等應(yīng)用中的FPGA和SOC電源需求,從而支持5G中載波聚合技術(shù)的發(fā)展。這款產(chǎn)品的多功能也適用于其他應(yīng)用,例如大數(shù)據(jù)、機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能(AI)、5G蜂窩、IoT設(shè)備、通用電信和企業(yè)計(jì)算。


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          使用μPOL?可減少電源部分的外部元件數(shù)量,將占用空間縮減至傳統(tǒng)分立式電源的1/3。


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          μPOL?是美國(guó)電源IC設(shè)計(jì)初創(chuàng)企業(yè)Faraday Semi開(kāi)發(fā)的高功能功率半導(dǎo)體,該公司于2018年加入集團(tuán),其中還嵌入了TDK專(zhuān)有的SESUB*7封裝技術(shù),并采用了3D集成技術(shù)*8。該產(chǎn)品是TDK原創(chuàng)技術(shù)的集中體現(xiàn),與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比,能夠提供更佳的電流密度。


          來(lái)自Faraday Semi的Parviz Parto談及未來(lái)前景時(shí)提到:“μPOL?系列通過(guò)提升原理圖和布局的設(shè)計(jì),簡(jiǎn)化了整體電源規(guī)劃。我們堅(jiān)信這款產(chǎn)品是載波聚合技術(shù)中高性能芯片組所不可或缺的元件,今后我們也將繼續(xù)豐富我們的產(chǎn)品陣容?!?/p>


          實(shí)現(xiàn)高速通信的5G和Beyond 5G預(yù)計(jì)將推動(dòng)各行各業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型(DX)。展望未來(lái),1412μPOL?轉(zhuǎn)換器將是數(shù)字化轉(zhuǎn)型中不可或缺的元件。


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          FS1412可在更寬的結(jié)溫范圍(-40℃到125℃)內(nèi)工作,電流密度高,每立方英寸能達(dá)到1,000A。


          術(shù)語(yǔ)解說(shuō)


          1. ORAN:全稱(chēng)Open RAN(開(kāi)放式 RAN)。O-RAN聯(lián)盟正致力于為RAN接口制定開(kāi)放式技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。


          2. GPON:全稱(chēng)Gigabit Passive Optical Network(千兆無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)),一種支持在公共光纖網(wǎng)絡(luò)中通過(guò)單條PON線路使用多種通信方式傳輸和接收數(shù)據(jù)的技術(shù)。


          3. FPGA:全稱(chēng)Field-Programmable Gate Array(現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列),一種由門(mén)陣列組成的半導(dǎo)體集成電路,支持設(shè)計(jì)人員出廠后繼續(xù)配置電路邏輯(因此為“現(xiàn)場(chǎng)可編程”)。


          4. SoC:全稱(chēng)System-on-a-Chip(片上系統(tǒng)),一種半導(dǎo)體集成電路,用于在單個(gè)半導(dǎo)體芯片上實(shí)現(xiàn)所有系統(tǒng)功能。


          5. ASIC:全稱(chēng)System-on-a-Chip(片上系統(tǒng)),一種半導(dǎo)體集成電路,用于在單個(gè)半導(dǎo)體芯片上實(shí)現(xiàn)所有系統(tǒng)功能。


          6. 功率損耗:在傳輸過(guò)程中以熱能形式損失的電能。


          7. SESUB:全稱(chēng)Semiconductor Embedded in Substrate(嵌入至基板的半導(dǎo)體),一種將集成電路(半導(dǎo)體)嵌入樹(shù)脂基板并通過(guò)3D安裝無(wú)源元件和其他元件使其模塊化的技術(shù)。


          8. 3D集成:一種將半導(dǎo)體芯片堆疊到單一封裝的技術(shù)。



          關(guān)鍵詞: TDK 轉(zhuǎn)換器 5G

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