目標(biāo)

本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是研究有源整流器電路。具體而言，有源整流器電路集成了運(yùn)算放大器、低閾值P溝道MOSFET和反饋環(huán)路，以合成一個(gè)正向壓降低于傳統(tǒng)PN結(jié)二極管的單向電流閥或整流器。 

背景知識(shí)

電源使用傳統(tǒng)二極管整流交流電壓以獲得直流電壓時(shí)，必須對某些本身效率低下的部分進(jìn)行整流。標(biāo)準(zhǔn)二極管或超快速二極管在額定電流時(shí)可能具有1 V或更高的正向電壓。二極管的該正向壓降與交流電源串聯(lián)，這會(huì)降低潛在的直流輸出電壓。此外，該壓降與通過二極管提供的電流的乘積意味著功耗和發(fā)熱量可能相當(dāng)大。 

肖特基二極管的較低正向電壓是對標(biāo)準(zhǔn)二極管的改進(jìn)。但是，肖特基二極管同樣有一個(gè)內(nèi)置的固定正向電壓。利用FET較低的傳導(dǎo)損耗，與輸入交流波形同步地主動(dòng)開關(guān)MOSFET器件以模仿二極管，可以實(shí)現(xiàn)更高的效率。有源整流常被稱為同步整流，是指根據(jù)極性在交流波形的適當(dāng)時(shí)間點(diǎn)開關(guān)FET器件，因此它可充當(dāng)整流器，僅在所需方向上傳導(dǎo)電流。 

與結(jié)型二極管的情況不同，FET的傳導(dǎo)損耗取決于導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))和電流。選擇低R_DS(ON)的足夠大FET可將正向壓降降低到任何二極管所能實(shí)現(xiàn)的壓降的一小部分。因此，同步整流器的損耗將比二極管低得多，有助于提高整體效率。 

由于必須同步用于開關(guān)FET的柵極信號，因此相比基于二極管的整流器，電路設(shè)計(jì)更為復(fù)雜。與必須去除二極管所產(chǎn)生熱量而增加的復(fù)雜性相比，這種復(fù)雜性常常更容易處理。隨著效率要求不斷提高，很多情況下沒有比使用同步整流更好的選擇。 

材料

u ADALM2000主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊

u 無焊試驗(yàn)板

u 跳線

u 一個(gè)具有軌到軌到軌輸入/輸出的AD8541 CMOS運(yùn)算放大器

u 一個(gè)ZVP2110A PMOS晶體管（或等效元件）

u 一個(gè)4.7 μF電容

u 一個(gè)220 μF電容

u 一個(gè)10 Ω電阻

u 一個(gè)2.2 kΩ電阻

u 一個(gè)47 kΩ電阻

u 一個(gè)1 kΩ電阻 

說明

在試驗(yàn)板上構(gòu)建圖1所示的簡易半波整流器電路。有源柵極驅(qū)動(dòng)電路使用運(yùn)算放大器(AD8541)檢測來自AWG輸出的交流輸入波形何時(shí)高于輸出電壓V_OUT（在正值方向上），進(jìn)而接通PMOS晶體管M1。該電路可以為低至運(yùn)算放大器最小電源電壓（AD8541為2.7 V）或PMOS器件柵極閾值電壓（ZVP2110A典型值為1.5 V）的交流電壓提供有源整流。在較低輸入電壓下，MOSFET的背柵極到漏極二極管接管，充當(dāng)普通二極管整流器。 

圖1.使用自供電運(yùn)算放大器的有源半波整流器 

圖2.使用自供電運(yùn)算放大器試驗(yàn)板電路的有源半波整流器

當(dāng)V_IN大于V_OUT時(shí)，運(yùn)算放大器將接通PMOS晶體管，公式如下：

其中（電壓以地為基準(zhǔn)）： 

V_GATE為M1柵極的電壓。

V_IN為交流輸入電壓。

V_OUT為C1和R_L處的輸出電壓。

輸入和輸出電壓可以與PMOS的漏源電壓V_DS和柵源電壓V_GS關(guān)聯(lián)起來，公式如下：

將這些方程組合起來，便可得到MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)與漏源電壓的函數(shù)關(guān)系：

如果R2的值是R1的21倍(1 MΩ/47 kΩ)，則M1漏源電壓V_DS上的75 mV壓降足以導(dǎo)通閾值電壓為–1.5 V的PMOS晶體管。R2與R1的比率可以更大，從而降低輸入到輸出電壓降或支持閾值電壓更高的晶體管。 

運(yùn)算放大器由輸出平整電容C1供電，因此不需要額外的電源。對于為該電路選擇的運(yùn)算放大器有一定的要求。放大器必須具有軌到軌輸入和輸出，并且在電源軌附近工作時(shí)不會(huì)出現(xiàn)增益相位反轉(zhuǎn)。運(yùn)算放大器的帶寬限制了電路的頻率響應(yīng)。為了提高效率，該應(yīng)用常常選擇低電源電流運(yùn)算放大器，因此帶寬和壓擺率一般較低。在較高交流輸入頻率（可能高于500 Hz）下，放大器的增益將開始下降。AD8541單電源CMOS運(yùn)算放大器滿足所有這些要求，并且電源電流低至僅45 μA。 

硬件設(shè)置

使用自供電運(yùn)算放大器的有源半波整流器的試驗(yàn)板連接如圖2所示。

程序步驟

AWG1連接為V_IN，應(yīng)配置為幅度大于6 V峰峰值、零偏移和100 Hz頻率的正弦波。示波器輸入用于監(jiān)視電路周圍的各個(gè)點(diǎn)，例如V_IN、V_OUT、R_S兩端的電壓，以及通過R_S和M1柵極的電流。

開始時(shí)，C1使用220 μF的較大電容。220 μF和4.7 μF電容都是極化的，因此請務(wù)必將正極和負(fù)極正確連接到電路。

使用兩個(gè)示波器輸入監(jiān)視V_IN處的輸入交流波形和V_OUT處的直流輸出波形。V_OUT應(yīng)該非常接近V_IN的峰值?，F(xiàn)在用小得多的4.7 μF電容替換220 μF大電容。觀察V_OUT處的波形變化。當(dāng)V_OUT的值最接近V_IN時(shí)，將交流輸入周期的間隔與晶體管M1的柵極電壓進(jìn)行比較。 

圖3.使用220 μF電容的V_OUT和V_IN Scopy圖 

圖4.使用4.7 μF電容的V_OUT和V_IN Scopy圖 

示波器通道2連接在分流器（即10 Ω電阻R_S）兩端，使用測量特性獲取電流的峰值和平均值。將平均值與2.2 kΩ負(fù)載電阻R_L的直流值進(jìn)行比較，后者是根據(jù)V_OUT測量電壓計(jì)算得出的。對220 μF和4.7 μF電容值重復(fù)此測量。 

此電路的其他用途

一個(gè)僅允許電流沿一個(gè)方向流動(dòng)且開關(guān)兩端的電壓降非常低的電路，還有其他潛在用途。在電池充電器中，輸入電源可能是間歇性的（例如太陽能電池板或風(fēng)力渦輪發(fā)電機(jī)），當(dāng)輸入電源沒有產(chǎn)生足夠高的電壓來為電池充電時(shí)，有必要防止電池放電。為此目的一般使用簡單的肖特基二極管，但正如背景部分所指出的，這會(huì)導(dǎo)致效率損失。使用工作電源電流足夠低的運(yùn)算放大器時(shí)，其電流通?？梢缘陀诖笮ぬ鼗O管的反向漏電流。 

問題：

能否說出有源整流器的若干實(shí)際應(yīng)用？您可以在學(xué)子專區(qū) 論壇上找到答案。 

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關(guān)于ADI公司

Analog Devices, Inc. (NASDAQ: ADI)是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，致力于在現(xiàn)實(shí)世界與數(shù)字世界之間架起橋梁，以實(shí)現(xiàn)智能邊緣領(lǐng)域的突破性創(chuàng)新。ADI提供結(jié)合模擬、數(shù)字和軟件技術(shù)的解決方案，推動(dòng)數(shù)字化工廠、汽車和數(shù)字醫(yī)療等領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)展，應(yīng)對氣候變化挑戰(zhàn)，并建立人與世界萬物的可靠互聯(lián)。ADI公司2022財(cái)年收入超過120億美元，全球員工2.4萬余人。攜手全球12.5萬家客戶，ADI助力創(chuàng)新者不斷超越一切可能。 

關(guān)于作者

Doug Mercer于1977年畢業(yè)于倫斯勒理工學(xué)院(RPI)，獲電子工程學(xué)士學(xué)位。自1977年加入ADI公司以來，他直接或間接貢獻(xiàn)了30多款數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品，并擁有13項(xiàng)專利。他于1995年被任命為ADI研究員。2009年，他從全職工作轉(zhuǎn)型，并繼續(xù)以名譽(yù)研究員身份擔(dān)任ADI顧問，為“主動(dòng)學(xué)習(xí)計(jì)劃”撰稿。2016年，他被任命為RPI ECSE系的駐校工程師。聯(lián)系方式：doug.mercer@analog.com。 

Antoniu Miclaus現(xiàn)為ADI公司的系統(tǒng)應(yīng)用工程師，從事ADI教學(xué)項(xiàng)目工作，同時(shí)為Circuits from the Lab?、QA自動(dòng)化和流程管理開發(fā)嵌入式軟件。他于2017年2月在羅馬尼亞克盧日-納波卡加盟ADI公司。他目前是貝碧思鮑耶大學(xué)軟件工程碩士項(xiàng)目的理學(xué)碩士生，擁有克盧日-納波卡科技大學(xué)電子與電信工程學(xué)士學(xué)位。聯(lián)系方式：antoniu.miclaus@analog.com。