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          需求好轉(zhuǎn)??jī)杉掖鎯?chǔ)廠商部分應(yīng)用領(lǐng)域出現(xiàn)急單

          作者: 時(shí)間:2023-05-24 來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

          受消費(fèi)電子市場(chǎng)需求疲弱影響,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)2022年下半年以來(lái)持續(xù)“過(guò)冬”,加上今年一季度為市場(chǎng)淡季,供過(guò)于求關(guān)系下,產(chǎn)業(yè)庫(kù)存高企。第二季度存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)市況如何?未來(lái)是否將有所好轉(zhuǎn)?近期,南亞科、華邦電兩家對(duì)此進(jìn)行了回應(yīng)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202305/446927.htm

          南亞科:庫(kù)存逐步去化,部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單

          近期,媒體報(bào)道,廠商南亞科表示,今年一季度是產(chǎn)業(yè)庫(kù)存高點(diǎn),在需求與供應(yīng)端改善下,庫(kù)存正逐步去化,預(yù)期本季市況有望落底,公司在部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單。

          為滿(mǎn)足市場(chǎng)應(yīng)用需求趨勢(shì),南亞科持續(xù)開(kāi)發(fā)高速與低功耗產(chǎn)品,在技術(shù)推進(jìn)上,20納米產(chǎn)品在既有消費(fèi)型應(yīng)用客戶(hù)基礎(chǔ)上,會(huì)優(yōu)化低功率產(chǎn)品的多元應(yīng)用,不僅提升產(chǎn)品速度,而且會(huì)擴(kuò)展至高端車(chē)載、高端電視等領(lǐng)域。

          業(yè)界認(rèn)為,在CXL與車(chē)用需求帶動(dòng)下,以南亞科為代表的非先進(jìn)制程廠商有望從中受益。CXL有望為低端DRAM帶來(lái)重要的增長(zhǎng)機(jī)會(huì),而車(chē)用芯片需求正持續(xù)高漲,車(chē)用內(nèi)存需求未來(lái)也有望呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性增長(zhǎng)。

          華邦電子:部分應(yīng)用市場(chǎng)需求回溫,客戶(hù)急單涌入

          無(wú)獨(dú)有偶,另一家華邦電子近期也對(duì)外表示,公司需求有所回溫,部分應(yīng)用市場(chǎng)出現(xiàn)急單的現(xiàn)象。

          華邦電子透露,消費(fèi)電子、電視、物聯(lián)網(wǎng)等三大應(yīng)用客戶(hù)需求回溫,工控相關(guān)接單也持續(xù)發(fā)燙,客戶(hù)急單涌入,而且“量也不少”,將對(duì)公司營(yíng)收有所助力。

          另外,今年5月初華邦電總經(jīng)理陳沛銘曾表示,PC廠調(diào)整庫(kù)存已經(jīng)到達(dá)健康水平情況,許多商用PC及消費(fèi)電子回補(bǔ)庫(kù)存的急單涌入。預(yù)期華邦電的營(yíng)運(yùn)在2023年的第一季達(dá)到谷底,第二季營(yíng)運(yùn)將有機(jī)會(huì)調(diào)升。因此,公司臺(tái)中廠第二季產(chǎn)能利用率將較第一季提升10個(gè)百分點(diǎn),之后維持每季成長(zhǎng)的趨勢(shì)。

          整體需求尚未好轉(zhuǎn),DRAM及NAND Flash均價(jià)跌幅將再擴(kuò)大

          南亞科、華邦電子急單涌入的情況為行業(yè)帶來(lái)了好消息,不過(guò)要指出的是,整體存儲(chǔ)市場(chǎng)仍舊受到經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹、消費(fèi)電子市場(chǎng)疲軟等因素影響,目前整體需求尚未明顯復(fù)蘇。

          全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)5月最新研究顯示,由于DRAM及NAND Flash供應(yīng)商減產(chǎn)不及需求走弱速度,部分產(chǎn)品第二季均價(jià)季跌幅有擴(kuò)大趨勢(shì),DRAM擴(kuò)大至13~18%,NAND Flash則擴(kuò)大至8~13%。

          其中,DRAM價(jià)格跌幅擴(kuò)大的主因是DDR4與LPDDR5的庫(kù)存過(guò)高。NAND Flash均價(jià)下跌主要因?yàn)槭袌?chǎng)供過(guò)于求狀況仍未改善,Enterprise SSD、UFS跌幅擴(kuò)大。



          關(guān)鍵詞: 存儲(chǔ)廠商 DRAM

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