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	 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) > 新品快遞 > 不改變工藝讓芯片面積減少 30%，三星組建團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā) 4F2 DRAM
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          不改變工藝讓芯片面積減少 30%，三星組建團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā) 4F2 DRAM
          
						
          
				作者：故淵
				時(shí)間：2023-05-26
				來(lái)源：IT之家
				
				
				
				
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          IT之家 5 月 26 日消息，根據(jù)韓媒 The Elec 報(bào)道，三星組建了一支專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)，負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā) 4F2 DRAM 存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。相比較現(xiàn)有的 6F2 級(jí)別，在不改變工藝節(jié)點(diǎn)的情況下，芯片面積最高可減少 30%。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202305/447033.htm
          4F Square 是一種單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，DRAM 行業(yè)早在 10 年前就嘗試商業(yè)化，但最后以失敗告終。
          三星組建了專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)，研發(fā) 4F2 結(jié)構(gòu)。IT之家從韓媒報(bào)道中獲悉，晶體管根據(jù)電流流入和流出的方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）整套系統(tǒng)。
          不改變工藝讓芯片面積減少 30%，三星組建團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā) 4F2 DRAM
          在漏極（D）上方安裝一個(gè)存儲(chǔ)電荷的電容器，晶體管和水平排列的 WL 線和垂直排列的 BL 線接觸，其中 WL 連接到柵極（G），負(fù)責(zé)晶體管的開(kāi) / 關(guān)；而 BL 連接到源極（S），負(fù)責(zé)讀取和寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
          不改變工藝讓芯片面積減少 30%，三星組建團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā) 4F2 DRAM
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            三星
                        DRAM
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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