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	 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 韓媒：三星已組建開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          韓媒：三星已組建開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2023-05-28
				來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察
				
				
				
				
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          5月26日，韓國(guó)媒體The Elec引用知情人士消息稱，三星電子近日在其半導(dǎo)體研究中心內(nèi)組建了一個(gè)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202305/447058.htm
          4F2結(jié)構(gòu)DRAM能夠大大提高DRAM的存儲(chǔ)密度，方便研究團(tuán)隊(duì)克服DRAM線寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。
          報(bào)道稱，如果三星4F2 DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)研究成功，在不改變節(jié)點(diǎn)的情況下，與現(xiàn)有的6F2 DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。
          4F2結(jié)構(gòu)是大約10年前DRAM產(chǎn)業(yè)未能商業(yè)化的單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，據(jù)說(shuō)工藝難點(diǎn)頗多。不過(guò)三星認(rèn)為，與SK海力士和美光正在開(kāi)發(fā)的3D DRAM相比，這種結(jié)構(gòu)更容易實(shí)現(xiàn)。
          The Elec報(bào)道指出，三星電子的目標(biāo)是將4F2應(yīng)用于10納米或以下節(jié)點(diǎn)的DRAM制程，因?yàn)橐阅壳暗募夹g(shù)預(yù)計(jì)會(huì)面臨線寬縮減的極限。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            三星
                        4F2結(jié)構(gòu)
                        DRAM
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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