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          羅姆即將亮相2023上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會

          作者: 時間:2023-08-17 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          全球知名半導體制造商(總部位于日本京都市)將于8月29日~31日參加在上海新國際博覽中心舉辦的2023上海國際、管理展覽會(以下簡稱PCIM Asia)(展位號:W2館2D03)。屆時,將聚焦碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體,展示其面向工業(yè)設備和汽車領域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時,工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“第三代半導體論壇”以及“電力電子應用技術論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享最新的功率電子技術成果。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202308/449703.htm

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          展位效果圖

          羅姆擁有世界先進的碳化硅為核心的功率元器件技術,以及充分發(fā)揮其性能的控制IC和模塊技術,在提供電源解決方案的同時,為工業(yè)設備和汽車領域的節(jié)能化、小型化做出貢獻。在本次PCIM Asia展會上,針對日益增長的中國市場需求,羅姆將重點展示以下產(chǎn)品和解決方案:

          碳化硅:憑借低開關損耗、低導通電阻特性,為節(jié)能做貢獻

          與傳統(tǒng)的硅器件相比,碳化硅器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能,已經(jīng)成為下一代低損耗半導體可行的候選元器件。羅姆在碳化硅功率元器件和模塊的開發(fā)領域處于先進地位,其先進的SiC MOSFET技術實現(xiàn)了業(yè)界領先的低導通電阻,充分地減少了開關損耗,并支持15V和18V的柵極-源極電壓,有助于在包括汽車逆變器和各種開關電源在內的各種應用中實現(xiàn)顯著的小型化和低功耗。在本次展會上,羅姆將帶來面向車載應用的第3代以及第4代SiC MOSFET系列產(chǎn)品展示。

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          氮化鎵相關產(chǎn)品:助力應用產(chǎn)品進一步節(jié)能和小型化

          GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。2022年,羅姆將柵極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產(chǎn);2023年3月,又確立了能夠更大程度地發(fā)揮出GaN性能的控制IC技術。近期,為助力各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化,推出了器件性能達到業(yè)界超高水平的650V耐壓GaN HEMT。此外,還結合自身功率電子和模擬兩大核心技術優(yōu)勢,又推出了EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”,該產(chǎn)品集GaN HEMT和柵極驅動器于一體,使GaN器件輕輕松松即可實現(xiàn)安裝,助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積。在本次PCIM Asia展會上,羅姆將展示氮化鎵相關的一系列重點產(chǎn)品。

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          用于電動汽車以及工業(yè)設備領域的高性能解決方案:

          內置絕緣元件的柵極驅動器“BM611x系列”,是3.75kV隔離、AEC-Q100認證的柵極驅動器,專為xEV牽引逆變器應用而設計。其中,“BM6112FV-C”專為高功率IGBT和SiC應用而設計,柵極驅動電流20A。此外,AC-DC轉換器IC產(chǎn)品系列(650V、800V、1700V)為各種外接交流電源產(chǎn)品提供更佳系統(tǒng),準諧振操作可實現(xiàn)軟開關,并有助于保持較低的EMI。其中,“BM2SC12xFP2-LBZ”內置1700V SiC MOSFET,方便設計,有效降低輕負載時的電力消耗,具備各種保護功能。

          一直以來,羅姆不僅在產(chǎn)品研發(fā)上投入力量,還積極與行業(yè)伙伴建立戰(zhàn)略關系,聯(lián)合推動技術創(chuàng)新,旨在解決社會面臨的問題。除了以上豐富的產(chǎn)品及解決方案展示以外,屆時還將展示眾多合作伙伴的應用案例,不容錯過!在現(xiàn)場更有來自羅姆的專業(yè)銷售和經(jīng)驗豐富的技術人員助陣,互動交流。

          【展會信息】

          時  間:2023年8月29日(周二)~31日(周四)09:30~17:00(僅31日16:00結束)

          會  場:上海新國際博覽中心W2館

          展位號:2D03

          地  址:上海市浦東新區(qū)龍陽路2345號

          【羅姆演講場次】

          論壇名稱:第三代半導體論壇

          地點:W2館二樓M9會議室

          時間:8月30日(周三)10:40~11:00

          主題:氮化鎵相關新產(chǎn)品及系統(tǒng)介紹

          論壇名稱: “電力電子應用技術論壇”

          地點:W2館G40論壇區(qū)

          時間:8月30日(周三)13:00~13:20

          主題:第四代SiC以及模塊設計的注意點

          <關于PCIM Asia 上海國際、管理展覽會>

          作為全球電力電子頂尖展會PCIM Europe的姐妹展,PCIM Asia 國際、管理展覽會是一場在亞洲領先的電力電子國際展覽會及研討會。PCIM Asia 作為一個涵蓋組件、驅動控制、散熱管理及終端智能系統(tǒng)的全方位展示平臺,向業(yè)界人士呈現(xiàn)一條完整的產(chǎn)業(yè)價值鏈。



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