SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E，向英偉達(dá)提供樣品

早在 6 月，就有報(bào)道稱 SK 海力士已收到英偉達(dá)的下一代 HBM3E DRAM 樣品請(qǐng)求，當(dāng) 英偉達(dá)宣布其采用增強(qiáng)型 HBM3E DRAM 的 GH200 GPU（每芯片可提供高達(dá) 5 TB/s 的帶寬）時(shí)，這一請(qǐng)求成為現(xiàn)實(shí)。

SK 海力士公司今天宣布成功開發(fā)出 HBM3E，這是目前用于人工智能應(yīng)用的下一代最高規(guī)格 DRAM，并表示客戶的樣品評(píng)估正在進(jìn)行中。

該公司表示，HBM3E（HBM3 的擴(kuò)展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的 HBM3 大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大 HBM 產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平，SK 海力士計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn) HBM3E，鞏固其在 AI 內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。

該公司表示，最新產(chǎn)品不僅滿足業(yè)界最高的速度標(biāo)準(zhǔn)（AI 內(nèi)存產(chǎn)品的關(guān)鍵規(guī)格），而且所有類別都包括容量、散熱和用戶友好性。

在速度方面，HBM3E 每秒可處理高達(dá) 1.15 TB 的數(shù)據(jù)，相當(dāng)于每秒處理 230 多部 5GB 大小的全高清電影。

此外，該產(chǎn)品在最新產(chǎn)品上采用先進(jìn)質(zhì)量回流成型底部填充（MR-MUF）尖端技術(shù)，散熱性能提高了 10%。它還提供向后兼容性，甚至可以在為 HBM3 準(zhǔn)備的系統(tǒng)上采用最新產(chǎn)品，而無需修改設(shè)計(jì)或結(jié)構(gòu)。

MR-MUF 是指將芯片附著到電路上并在堆疊芯片時(shí)用液體材料填充芯片之間的空間而不是鋪設(shè)薄膜以提高效率和散熱的工藝。向后兼容性是無需修改設(shè)計(jì)即可實(shí)現(xiàn)新舊系統(tǒng)之間的互操作性的能力，特別是在信息技術(shù)和計(jì)算領(lǐng)域。具有向后兼容性的新型內(nèi)存產(chǎn)品允許繼續(xù)使用現(xiàn)有的 CPU 和 GPU，而無需修改設(shè)計(jì)。

英偉達(dá) Hyperscale 和 HPC 部門副總裁伊恩·巴克（Ian Buck）表示：「英偉達(dá)為了最先進(jìn)加速計(jì)算解決方案 (Accelerated Computing Solutions) 所應(yīng)用的 HBM，與 SK 海力士進(jìn)行了長期的合作。為展示新一代 AI 計(jì)算，期待兩家公司在 HBM3E 領(lǐng)域的持續(xù)合作?！?/span>

SK 海力士 DRAM 商品企劃擔(dān)當(dāng)副社長柳成洙表示：「公司通過 HBM3E，在 AI 技術(shù)發(fā)展的同時(shí)備受矚目的 HBM 市場中有效提升了產(chǎn)品陣容的完成度，并進(jìn)一步夯實(shí)了市場主導(dǎo)權(quán)。今后隨著高附加值產(chǎn)品 HBM 的供應(yīng)比重持續(xù)加大，經(jīng)營業(yè)績反彈趨勢(shì)也將隨之加速。」

根據(jù) TrendForce 集邦咨詢調(diào)查顯示，為順應(yīng) AI 加速器芯片需求演進(jìn)，各原廠計(jì)劃于 2024 年推出新產(chǎn)品 HBM3E，預(yù)期 HBM3 與 HBM3E 將成為明年市場主流。HBM3E 將由 24Gb mono die 堆棧，在 8 層 (8Hi) 的基礎(chǔ)下，單顆 HBM3E 容量將一口氣提升至 24GB。除了英偉達(dá)外，Google 與 AWS 正著手研發(fā)次世代自研 AI 加速芯片，將采用 HBM3 或 HBM3E。

HBM3 平均銷售單價(jià)高，2024 年 HBM 整體營收將因此大幅提升。觀察 HBM 供需變化，2022 年供給無虞，2023 年受到 AI 需求突爆式增長導(dǎo)致客戶的預(yù)先加單，即便原廠擴(kuò)大產(chǎn)能但仍無法完全滿足客戶需求。展望 2024 年，TrendForce 集邦咨詢認(rèn)為，基于各原廠積極擴(kuò)產(chǎn)的策略，HBM 供需比（Sufficiency Ratio）有望獲改善，預(yù)估將從 2023 年的-2.4%，轉(zhuǎn)為 0.6%。

8 月 8 日，英偉達(dá)創(chuàng)始人兼 CEO 黃仁勛在計(jì)算機(jī)圖形年會(huì) SIGGRAPH 上發(fā)布了 HBM3E 內(nèi)存新一代 GH200 Grace Hopper 超級(jí)芯片。這款芯片被黃仁勛稱為「加速計(jì)算和生成式 AI 時(shí)代的處理器」，旨在用于任何大型語言模型，以降低推理成本。

與今年 5 月發(fā)布的 GH200 不同，新一代 GH200 芯片搭載了全球首款 HBM3E 內(nèi)存，內(nèi)存容量和帶寬都有顯著提高，專為加速計(jì)算和生成式 AI 時(shí)代而設(shè)計(jì)。

新版 GH200 芯片平臺(tái)基于 72 核 Grace CPU，配備 480GB ECC LPDDR5X 內(nèi)存以及 GH100 計(jì)算 GPU。此外，它還搭配著 141GB 的 HBM3E 內(nèi)存，分為六個(gè) 24GB 的堆棧，并采用了 6，144 位的內(nèi)存接口。盡管實(shí)際上英偉達(dá)安裝了 144GB 的內(nèi)存，但可用的內(nèi)存容量為 141GB。

借助全球最快的 HBM3E 內(nèi)存，這款芯片的內(nèi)存容量高達(dá) 141GB，帶寬每秒可達(dá)到 5TB。每個(gè) GPU 的容量比英偉達(dá) H100 GPU 多出 1.7 倍，帶寬比 H100 高 1.55 倍。

英偉達(dá)強(qiáng)調(diào)，新版 GH200 Grace Hopper 芯片使用了與原版相同的 Grace CPU 和 GH100 GPU 芯片，因此無需推出新的軟件版本或步進(jìn)。原版 GH200 和升級(jí)版 GH200 將共存于市場，后者將以更高的價(jià)格銷售，因?yàn)樗邆涓冗M(jìn)的內(nèi)存技術(shù)帶來的更高性能。

英偉達(dá)表示，新版 GH200 旨在處理世界上最復(fù)雜的生成式 AI 工作負(fù)載，包括大型語言模型、推薦系統(tǒng)和矢量數(shù)據(jù)庫，并將提供多種配置。