HBM4將迎來大突破?
AI大勢下,高帶寬內(nèi)存 (HBM) 從幕后走向臺(tái)前,備受存儲(chǔ)市場關(guān)注。近期,媒體報(bào)道下一代HBM將迎來重大變化,HBM4內(nèi)存堆棧將采用2048位內(nèi)存接口 。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202309/450668.htm自2015年以來,所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位,足以可見HBM4具備的變革意義。
另據(jù)韓媒報(bào)道,三星為了掌握快速成長的HBM市場,將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù),預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)HBM4。
盡管HBM4將有大突破,但它不會(huì)很快到來。當(dāng)前HBM市場以HBM2e為主,未來HBM3將挑起大梁。
全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,當(dāng)前HBM市場主流為HBM2e,包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數(shù)CSPs自研加速芯片皆以此規(guī)格設(shè)計(jì)。同時(shí),為順應(yīng)AI加速器芯片需求演進(jìn),各原廠計(jì)劃于2024年推出新產(chǎn)品HBM3e,預(yù)期HBM3與HBM3e將成為明年市場主流。
以HBM不同世代需求比重而言,據(jù)TrendForce集邦咨詢表示,2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3,需求比重分別預(yù)估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量,2024年市場需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3,而2024年將直接超越HBM2e,比重預(yù)估達(dá)60%,且受惠于其更高的平均銷售單價(jià)(ASP),將帶動(dòng)明年HBM營收顯著成長。
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