onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅動IC 應用于工業馬達控制器
1.方案介紹:
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202309/450712.htmNCD57000 是一種具有內部電流隔離的高電流單通道驅動器，專為高功率應用的高系統效率和高可靠性而設計。
其特性包括互補的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時的軟關斷以及獨立的高低驅動器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統設計及開發。
NCD57000 可在輸入側提供 5 V 和 3.3 V 信號，并在驅動側提供較寬的偏置電壓范圍，方便線路應用與設計。并且在驅動側也考慮了因開關作動下可能產生的負電壓問題，考慮到了NCD57000在承受負電壓之能力。NCD57000 擁有內部的電流隔離，其隔離能力為> 5 kVrms，（UL1577 等級）和> 1200 VIORM（工作電壓）能力。NCD57000考慮應用在開關切換應用，擁有很低的傳播延遲能力，最大延遲90 ns和最小的小脈沖失真 25 ns，并擁有很高的共模瞬變抗擾度 (CMTI) ，提高了對雜訊的抗干擾能力，在 VCM = 1500 V 條件下至少可以承受 100kV/us（最小值）
目前NCD57000 采用寬體 SOIC-16 封裝，可保證輸入和輸出之間的爬電距離為 8 mm，以滿足增強的安全絕緣要求。
2.方塊圖:
3.電路圖:
4.測試數據:
延遲時間量測:
NCD57000應用在開關切換有很低的傳播延遲能力。波型量測下可以看到延遲僅約0.05uS。
(IN+:輸入訊號;VG: NCD57000驅動訊號;Ig:驅動電流)
驅動電壓基準電位:
NCD57000驅動電壓的基準電位穩定且不太受環境溫度影響，不論驅動(source)或關斷(Sink)基準電位應用在大范圍的溫度變化，仍可保持在一個穩定區間，可使線路設計穩定，時實際應用也會較方便.
5.方案規格:
?場景應用圖
?展示板照片
?方案方塊圖
?核心技術優勢
? 高電流驅動能力 (+4/?6 A) .
? DESAT 的高負電壓能力（?9 V）.
? IGBT 短路期間的軟關斷功能.
? IGBT短路期間的柵極箝位功能.
? 5 kV電流隔離能力(UL1577).
? 1200V高工作電壓(VDE0884?11)
? 通過AEC-Q100認證.
? 可更換負載電容器和柵極電阻器
? 使用外部電源的自定義電壓電平
?方案規格
? 輸入電壓 (VDD1):6V
? 輸入電壓(VDD2):25V
? 負壓承受能力:-0.3V
? 驅動電流:4A
? 關斷電流:6A
? 電流隔離能力:5KV
? 抗靜電能力:2KV
? 功耗:1400mW
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