存儲器大廠:HBM4,2025年供貨!
人工智能浪潮之下,HBM從幕后走向臺前,市場需求持續(xù)看漲。全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)測,2023年HBM需求量將年增58%,2024年有望再成長約30%。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202310/451432.htm與傳統(tǒng)DRAM相比,HBM具備高帶寬、高容量、低延時與低功耗等優(yōu)勢,可以加快AI數(shù)據(jù)處理速度,更適用于ChatGPT等高性能計算場景,因而備受青睞,存儲大廠也在積極推動HBM技術(shù)迭代。
存儲大廠持續(xù)發(fā)力,三星將推出HBM4
自2014年首款硅通孔HBM產(chǎn)品問世至今,HBM技術(shù)已經(jīng)更新迭代出多款產(chǎn)品,分別有HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3e等。
原廠規(guī)劃方面,此前集邦咨詢調(diào)查顯示,兩大韓廠SK海力士(SK hynix)、三星(Samsung)先從HBM3開發(fā),代表產(chǎn)品為NVIDIA H100/H800以及AMD的MI300系列,兩大韓廠預(yù)計于2024年第一季送樣HBM3e;美系原廠美光(Micron)則選擇跳過HBM3,直接開發(fā)HBM3e。
HBM3e將由24Gb mono die堆棧,在8層(8Hi)的基礎(chǔ)下,單顆HBM3e容量將一口氣提升至24GB,此將導(dǎo)入在2025年NVIDIA推出的GB100上,故三大原廠預(yù)計要在2024年第一季推出HBM3e樣品,以期在明年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。
除了HBM3、HBM3e之外,最新消息顯示,存儲大廠還在規(guī)劃推出下一代HBM——HBM4。
近日,三星電子副社長、DRAM產(chǎn)品與技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人黃尚俊對外表示,三星電子已開發(fā)出9.8Gbps的HBM3E,計劃開始向客戶提供樣品。同時,三星正在開發(fā)HBM4,目標(biāo)2025年供貨。據(jù)悉,三星電子正開發(fā)針對高溫?zé)崽匦詢?yōu)化的非導(dǎo)電粘合膜(NCF)組裝技與混合鍵合(HCB)等技術(shù),以應(yīng)用于HBM4產(chǎn)品。
9月韓媒報道表示,為了掌握快速成長的HBM市場,三星將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù),并推出HBM4產(chǎn)品。據(jù)悉,HBM4內(nèi)存堆棧將采用2048位內(nèi)存接口 。此前所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位,足以可見HBM4具備的變革意義。
HBM4為時尚早,明年市場主流還得看HBM3與HBM3e
盡管HBM4將有大突破,但它畢竟不會很快到來,談應(yīng)用以及普及為時尚早。業(yè)界指出,當(dāng)前HBM市場以HBM2e為主,未來HBM3與HBM3e將挑起大梁。
集邦咨詢調(diào)查顯示,當(dāng)前HBM市場主流為HBM2e,包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數(shù)CSPs自研加速芯片皆以此規(guī)格設(shè)計。同時,為順應(yīng)AI加速器芯片需求演進(jìn),各原廠計劃于2024年推出新產(chǎn)品HBM3e,預(yù)期HBM3與HBM3e將成為明年市場主流。
以HBM不同世代需求比重而言,據(jù)TrendForce集邦咨詢表示,2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3,需求比重分別預(yù)估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量,2024年市場需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3,而2024年將直接超越HBM2e,比重預(yù)估達(dá)60%,且受惠于其更高的平均銷售單價(ASP),將帶動明年HBM營收顯著成長。
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