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          2024年中國碳化硅晶圓產(chǎn)能,或超全球總產(chǎn)能的50%

          作者: 時間:2023-10-25 來源:半導體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

          2023 年,中國化合物半導體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)歷史性突破。在(SiC)晶體生長領域,中國尤其獲得國際 IDM 的認可,導致產(chǎn)量大幅增長。此前中國材料僅占全球約 5% 的產(chǎn)能,然而業(yè)界樂觀預計,2024 年中國在全球的占比有望達到 50%。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202310/452049.htm

          天岳先進、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅/襯底產(chǎn)能,目前這些中國企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為 6 萬片。隨著各公司產(chǎn)能釋放,預計 2024 年月產(chǎn)能將達到 12 萬片,年產(chǎn)能 150 萬。

          根據(jù)行業(yè)消息和市調(diào)機構(gòu)的統(tǒng)計,此前天岳先進、天科合達合計占據(jù)全球 5% 的市場份額,而全球四大碳化硅領先廠商的份額要大得多,其中 Wolfspeed 占比 60%,Coherent 占比 15%,羅姆電子占比 13%,SK Siltron 占比 5%。

          業(yè)界稱,此前不少海外研究機構(gòu)對中國企業(yè)的制造能力表示懷疑,然而近期博世、意法半導體、英飛凌等都與中國企業(yè)簽訂碳化硅合約,足以證明中國在供應鏈中的地位快速提升。

          今年 5 月,天岳先進、天科合達兩大廠商均在其官微宣布,與國際半導體大廠英飛凌簽訂了供貨協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,天科合達和天岳先進將為英飛凌供應用于生產(chǎn) SiC 半導體的 6 英寸(150mm)碳化硅和晶錠,兩家企業(yè)的供應量均將占到英飛凌未來長期預測需求的兩位數(shù)份額。未來也將提供 200mm 直徑碳化硅材料,助力英飛凌向 200mm 直徑晶圓的過渡。

          今年 6 月,意法半導體在官網(wǎng)宣布,將同三安光電在中國重慶建立一個新的 8 英寸碳化硅器件合資制造廠。新的 SiC 制造廠計劃于 2025 年第四季度開始生產(chǎn),預計將于 2028 年全面落成,屆時將更好地支持中國的汽車電氣化、工業(yè)電力和能源等應用日益增長的需求。同時,三安光電將利用自有 SiC 襯底工藝,單獨建造和運營一個新的 8 英寸 SiC 襯底制造廠,以滿足該合資廠的襯底需求。

          分析人士表示,目前全球市場主要使用 150mm 碳化硅晶圓,預計到 2024 年隨著制造商的擴產(chǎn),產(chǎn)品價格將明顯下滑,這會給競爭力較弱的制造商帶來挑戰(zhàn)。

          根據(jù) TrendForce 集邦咨詢此前研究,從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看,中國的 SiC 功率半導體產(chǎn)值以功率元件業(yè) (包含 Fabless、IDM 以及 Foundry) 占比最高,達 42.4%,接續(xù)為襯底片制造業(yè)及外延片制造業(yè)。

          對于 SiC 襯底及外延材料環(huán)節(jié),中國廠商已逐漸贏得海外領先業(yè)者的認可,尤其體現(xiàn)在外延片環(huán)節(jié)。須留意的是,在 SiC 晶體厚度與一致性指標上,本土廠商仍需付出諸多努力,以期實現(xiàn)在汽車電驅(qū)系統(tǒng)等更多高端場景中的應用。當前中國正在展開大規(guī)模的 SiC 材料擴產(chǎn)行動,TrendForce 集邦咨詢預估 2023 年中國 N-Type SiC 襯底產(chǎn)能 (折合 6 英寸) 可達 1020Kpcs,其中以天科合達份額續(xù)居首位。

          隨著新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等下游市場的快速爆發(fā),中國的 SiC 功率元件市場規(guī)模正在迅速擴大。據(jù) TrendForce 集邦咨詢統(tǒng)計,按 2022 年應用結(jié)構(gòu)來看,光伏儲能為中國 SiC 市場最大應用場景,占比約 38.9%,接續(xù)為汽車、工業(yè)以及充電樁等。當然,汽車市場作為未來發(fā)展主軸,即將超越光伏儲能應用,其份額至 2026 年有望攀升至 60.1%。

          在此情況下,中國已有約 70 家廠商切入 SiC 功率元件業(yè)務,整體市場進入高度競爭階段。尤其針對低階二極管,不少廠商深感無力而陸續(xù)退出,進一步聚焦凸顯核心競爭力的 MOSFET 業(yè)務。

          再觀察 SiC 晶圓產(chǎn)線情況,據(jù) TrendForce 集邦咨詢不完全統(tǒng)計,截至 3Q23,中國已有約 24 家廠商涉足 SiC 晶圓制造。其中 IDM 廠商 15 家,7 家實現(xiàn)量產(chǎn);Foundry 廠商 9 家,5 家實現(xiàn)量產(chǎn)。以各家晶圓產(chǎn)能來看,三安光電與積塔半導體分別位居 IDM 與 Foundry 廠商首位。

          整體來看,盡管中國 SiC 晶圓廠產(chǎn)能擴張的步伐仍在繼續(xù),但有效的 MOSFET 產(chǎn)能并不理想。TrendForce 集邦咨詢統(tǒng)計 2022 年由中國廠商釋放的 SiC MOSFET 晶圓產(chǎn)能尚不足全球 10%,不過這一情況預計自 4Q23 開始會有所好轉(zhuǎn)。

          如今,無論是上游材料、晶圓代工廠、器件、封裝,國內(nèi)在 SiC 的各個細分供應鏈環(huán)節(jié)都已有玩家在積極參與。但目前海外廠商在碳化硅領域仍占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢,國內(nèi)企業(yè)仍在起步階段,技術(shù)不斷追趕同時產(chǎn)能尚在爬坡。雖然市場產(chǎn)銷兩旺,但中國碳化硅功率器件仍處于早期階段,如何降低成本、穩(wěn)定質(zhì)量、提升良率,是國產(chǎn)碳化硅功率半導體大規(guī)模應用的關鍵。



          關鍵詞: 碳化硅 晶圓

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