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          DDR5 成競(jìng)逐焦點(diǎn)

          作者: 時(shí)間:2023-10-31 來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

          如今,無(wú)論是 PC、筆記本電腦還是人工智能,各行業(yè)正在加速向 新紀(jì)元邁進(jìn)。今年,生成式 AI 市場(chǎng)蓬勃發(fā)展,用于大模型應(yīng)用的 AI 服務(wù)器大力推動(dòng)了對(duì) 的需求。隨著內(nèi)存市場(chǎng)需求的回暖,內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第四季度全面拉高 產(chǎn)能。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202310/452258.htm

          那么,DDR5 究竟有哪些優(yōu)勢(shì)?以及它如何成為未來(lái)存儲(chǔ)市場(chǎng)的焦點(diǎn)?

          DDR3、DDR4 再到 DDR5

          在過(guò)去的十多年,DDR3 內(nèi)存是服務(wù)器中常用的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),其時(shí)鐘頻率通常從 800MHz 到 2133MHz 不等,適用于小型企業(yè)和辦公環(huán)境等,隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步以及服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?nèi)存帶寬等提出更高的需求,DDR4 登場(chǎng)。

          相比 DDR3,DDR4 具有更高的頻率和帶寬、更大的容量以及更低的能耗。據(jù)悉,DDR4 內(nèi)存的時(shí)鐘頻率通常從 2133MHz 開(kāi)始,隨后逐步提高,達(dá)到 3200MHz 以上。這使得 DDR4 可以更好地服務(wù)于企業(yè)級(jí)服務(wù)器、科學(xué)計(jì)算和數(shù)據(jù)分析、高性能計(jì)算等領(lǐng)域。

          然而現(xiàn)代應(yīng)用的復(fù)雜度在不斷提升,對(duì)計(jì)算能力的要求也越來(lái)越高。為了提高計(jì)算性能,無(wú)論是英特爾還是 AMD,都將多核 CPU 視為重點(diǎn)。隨著核數(shù)增多,實(shí)際性能卻并非線性增長(zhǎng),限制性能發(fā)揮的原因之一,就是單核內(nèi)存帶寬的下降。受限于帶寬降低,應(yīng)用延遲就會(huì)增大、性能會(huì)降低,為進(jìn)一步提高內(nèi)存性能、降低功耗并增強(qiáng)數(shù)據(jù)完整性,DDR5 應(yīng)運(yùn)而生。

          DDR5 內(nèi)存的時(shí)鐘頻率通常在 4800MHz 以上,隨后又有了 5600MT/s 等更高標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存,未來(lái) DDR5 的峰值將達(dá)到 8800MT/s,DDR5 的內(nèi)存提升幅度會(huì)很大。

          此外,在架構(gòu)層面,DDR5 的芯片密度是 DDR4 的兩倍,結(jié)合新的芯片設(shè)計(jì),這意味著 DDR4 內(nèi)存芯片的容量最高可達(dá) 16GB,而 DDR5 芯片的容量最高可達(dá) 64GB。

          盡管 DDR5 提供了更高的頻率和帶寬以及更大的容量,DDR5 卻能做到更省電。DDR4 的工作電壓為 1.2V,而 DDR5 的工作電壓下降至 1.1V,功耗降低 8%。

          整體來(lái)看,DDR5 可提供更高的效率、更大的容量卻只需要更低的能耗,因此備受市場(chǎng)青睞。

          存儲(chǔ)三巨頭,DDR5 爭(zhēng)鋒

          在 DRAM 這個(gè)重要的存儲(chǔ)芯片細(xì)分領(lǐng)域,三星、SK 海力士和美光是當(dāng)之無(wú)愧的佼佼者。

          SK 海力士在 DDR5 市場(chǎng)先聲奪人,于 2021 年 10 月推出了全球首款 DDR5 產(chǎn)品,發(fā)布產(chǎn)品的時(shí)間節(jié)點(diǎn)略微領(lǐng)先其他兩家廠商。今年 5 月,SK 海力士宣布,已完成現(xiàn)有 DRAM 中最為微細(xì)化的第五代 10 納米級(jí)(1β)技術(shù)研發(fā),并向英特爾供應(yīng)使用該技術(shù)的服務(wù)器的 DDR5 產(chǎn)品,進(jìn)入數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)器認(rèn)證流程。本次向英特爾供應(yīng)的 DDR5 產(chǎn)品,處理速度為 6.4Gbps,與 DDR5 初期樣品 4.8Gbps 相比,提高了 33%。同時(shí),采用高介電常數(shù)金屬閘極(High-kMetalGate;HKMG)制程,與 10 納米級(jí)(1a)DDR5 相比,耗電量降低 20%,處理速度約提高 14%。

          三星是業(yè)界第一個(gè)「吃螃蟹的人」,率先將 EUV 處理技術(shù)成功應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)。2021 年 10 月,三星宣布已開(kāi)始量產(chǎn)基于 EUV 技術(shù)的 14 納米 DRAM 芯片。

          今年 5 月,三星宣布開(kāi)始量產(chǎn) 12nm 級(jí) 16Gb DDR5,與上一代產(chǎn)品相比,三星的 12 納米級(jí) DDR5 功耗降低了 23%,晶圓生產(chǎn)率提高了 20%,最高可支持 7.2Gbps 的速度。隨后在今年 9 月,三星又成功開(kāi)發(fā)出 2 倍容量的 32Gb DDR5 產(chǎn)品,三星計(jì)劃在今年底量產(chǎn) 32Gb DDR5 內(nèi)存芯片。

          比起三星和 SK 海力士,美光在 EUV 光刻的使用方面起步稍晚?;蛟S是三星和 SK 海力士對(duì)于 EUV 光刻的追逐給美光帶來(lái)了一定壓力,美光如今也將 EUV 光刻技術(shù)用于 DRAM 發(fā)展。據(jù)了解,美光計(jì)劃從 2024 年開(kāi)始,將 EUV 納入 DRAM 開(kāi)發(fā)路線圖。今年 5 月 26 日,美光表示在中國(guó)臺(tái)灣中科新廠啟用后,將導(dǎo)入最先進(jìn)的 EUV 設(shè)備生產(chǎn) 1α DRAM 制程。

          今年 10 月,美光宣布已將業(yè)界領(lǐng)先的 1β制程技術(shù)應(yīng)用于 16Gb 容量版本的 DDR5 內(nèi)存。美光 1βDDR5 DRAM 在系統(tǒng)內(nèi)的速率高達(dá) 7,200MT/s,現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場(chǎng)的所有客戶出貨。

          在 2023 年過(guò)去的十個(gè)月,存儲(chǔ)市場(chǎng)經(jīng)歷了沉重的打擊,降價(jià)、減產(chǎn)和去庫(kù)存環(huán)繞著三大廠商,但是仔細(xì)觀察來(lái)看,這些動(dòng)作似乎都聚焦在 DDR4 以及更成熟的存儲(chǔ)產(chǎn)品中,DDR5 的影響似乎并不太大,反而各大廠商還在奮力推動(dòng) DDR5 的技術(shù)進(jìn)步。

          據(jù)悉,目前服務(wù)器用 DDR5 DRAM 的大多由 SK 海力士供應(yīng),特別是主力產(chǎn)品 64GB DDR5 DRAM、高效能產(chǎn)品 128GB DDR5 DRAM。有分析指出,SK 海力士 DDR5 產(chǎn)品良率較高,因而成功掌握 DDR5 初期市場(chǎng)。以 10 納米級(jí)第四代(1a)、14 納米級(jí)(1a)為基準(zhǔn),SK 海力士產(chǎn)品良率大多已達(dá)黃金良率 95%。另外,也有部分產(chǎn)品良率接近 90%,進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)。

          新韓投資證券分析,在 DRAM 三巨頭三星、美光、SK 海力士之中,SK 海力士新一代制程(1β)發(fā)展進(jìn)度也較為領(lǐng)先,預(yù)計(jì)到 2024 年,SK 海力士都可以在 DDR5 領(lǐng)域拿下市占冠軍寶座。

          不過(guò),僅憑 SK 海力士一家的 DDR5 產(chǎn)能是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。

          各界押寶 DDR5

          根據(jù) Yole Developpement 的報(bào)告顯示,從 DDR4 到 DDR5 內(nèi)存過(guò)渡將會(huì)非常迅速。DDR5 內(nèi)存大規(guī)模應(yīng)用將在 2022 年從服務(wù)器和企業(yè)市場(chǎng)開(kāi)始,到 2023 年,消費(fèi)級(jí)的主流市場(chǎng)將廣泛采用 DDR5 內(nèi)存,無(wú)論是臺(tái)式電腦、筆記本電腦還是手機(jī),都會(huì)充分利用新一代內(nèi)存技術(shù)。DDR5 內(nèi)存在 2023 年出貨量會(huì)超越 DDR4 內(nèi)存,兩種內(nèi)存技術(shù)之間會(huì)快速過(guò)渡。

          得益于服務(wù)器市場(chǎng),2022 年 DDR5 內(nèi)存的使用率將增加 25%,到了 2023 年,DDR5 內(nèi)存的市場(chǎng)份額會(huì)超過(guò) 50%。2024 年至 2026 年,隨著 DDR5 內(nèi)存全面被各個(gè)市場(chǎng)采用,DDR4 內(nèi)存的市場(chǎng)份額將僅有 5%。

          面對(duì)海量市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求,全球 DRAM 三巨頭美光、三星、SK 海力士均已緊鑼密鼓地展開(kāi)籌備,計(jì)劃在第四季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能。

          據(jù)悉,在今年 7 月為主要機(jī)構(gòu)投資者和證券分析師舉行的私人企業(yè)簡(jiǎn)報(bào)(IR)上,SK 海力士預(yù)計(jì)其兩條產(chǎn)品線的規(guī)模將在 2024 年增長(zhǎng)到兩倍以上。韓國(guó)投資證券分析師預(yù)計(jì),由于 DDR5 需求高漲,拉動(dòng)產(chǎn)品平均銷(xiāo)售單價(jià),SK 海力士 DRAM 業(yè)務(wù)有望加快轉(zhuǎn)虧為盈,公司整體業(yè)績(jī)也有望提前擺脫虧損。

          另一存儲(chǔ)巨頭美光之前也已透露,將加速向 DDR5 過(guò)渡。美光科技在 9 月末的財(cái)報(bào)會(huì)議上表示,正在出樣 128GB DDR5 內(nèi)存模塊,采用美光 32GbDDR5 內(nèi)存芯片。公司預(yù)計(jì)其 DDR5 出貨量將在 2024 年第一季度末超過(guò) DDR4,超過(guò)行業(yè)進(jìn)展速度。

          三星也正在為明年可能出現(xiàn)的 DDR5 強(qiáng)勁訂單需求做準(zhǔn)備,計(jì)劃今年第 4 季度提高 DDR5 內(nèi)存產(chǎn)量。

          除了押寶 DDR5 的存儲(chǔ)大廠外,英特爾、AMD 等芯片大廠也正在全面擁抱 DDR5 技術(shù)。

          據(jù)悉,英特爾、AMD 等 PC 平臺(tái)計(jì)劃明年推出新的平臺(tái),進(jìn)一步推廣和普及 DDR5 內(nèi)存,吸引消費(fèi)者從 DDR4 上升級(jí)。除了消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)之外,在服務(wù)器市場(chǎng) DDR5 內(nèi)存也受到追捧。英特爾計(jì)劃在今年年底前推出第五代 EmeraldRapids 服務(wù)器平臺(tái),加之未來(lái) AI 服務(wù)器需求增加,DDR5 內(nèi)存有望進(jìn)入高速增長(zhǎng)期。

          根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù),得益于英特爾 MeteorLake 處理器僅支持 DDR5 和 LPDDR5,推動(dòng) DDR5 內(nèi)存的普及,有望在 2024 年下半年超過(guò) DDR4 成為主流,因此 DRAM 平均容量預(yù)計(jì)增長(zhǎng) 12.4%。值得一提的是 2022 年 5 月 AMD 發(fā)布的 Ryzen 7000 也只支持 DDR5,對(duì)于 AMD 來(lái)說(shuō),只支持 DDR5 無(wú)疑是一次大膽的嘗試,此舉也無(wú)疑將進(jìn)一步擴(kuò)大 DDR5 內(nèi)存的需求,足以見(jiàn)得 AMD 押注 DDR5 的決心。

          漲價(jià)號(hào)角已然吹起

          根據(jù) TrendForce 集邦咨詢發(fā)布數(shù)據(jù)顯示,2022 年第四季 DRAM 全球營(yíng)收 122.8 億美元,環(huán)比下降 32.5%,跌幅甚至超越第三季的 28.9%,已逼近 2008 年底金融海嘯時(shí)的單季 36% 跌幅,主要下跌原因是受 DRAM 產(chǎn)品平均價(jià)(ASP)下跌影響。

          在存儲(chǔ)市場(chǎng)蕭條之際,DDR5 也沒(méi)扛得住壓力,價(jià)格不斷走低。

          TrendForce 數(shù)據(jù)顯示,2022 年第四季 DDR4 價(jià)格環(huán)比下降 23%~28%;DDR5 價(jià)格環(huán)比下降擴(kuò)大至 30%~35%。2023 年上半年期間 DDR5 價(jià)格繼續(xù)下跌。

          其實(shí)提高 DDR5 滲透率的最大障礙就是價(jià)格,造成 DDR5 內(nèi)存價(jià)格居高不下的罪魁禍?zhǔn)资请娫垂芾硇酒?PMIC,其價(jià)格比 DDR4 上使用的貴了足有 10 倍,而且供應(yīng)非常緊缺,漫長(zhǎng)的 35 周采購(gòu)周期,讓產(chǎn)業(yè)鏈不斷抬價(jià),DDR5 內(nèi)存的價(jià)格自然就水漲船高。

          同時(shí),DDR5 的應(yīng)用需要 CPU 芯片的支持,目前已發(fā)布的可支持 DDR5 的 CPU 產(chǎn)品還比較少,這也是限制 DDR5 滲透的重要原因。但也有很多專家認(rèn)為,DDR5 對(duì)產(chǎn)品性能、功耗等方面大幅度提升,隨著技術(shù)不斷成熟、成本持續(xù)降低,DDR5 產(chǎn)品未來(lái)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?huì)繼續(xù)擴(kuò)張。

          如今伴隨著 DDR5 來(lái)到價(jià)格甜蜜點(diǎn),DDR5 漲價(jià)的暖風(fēng)率先吹來(lái)。

          市場(chǎng)研究公司 DRAM Exchange 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,8 月最新 DRAM 規(guī)格 DDR5 16Gb(2Gx8) 固定成交價(jià)平均為 3.40 美元,環(huán)比上漲 7.26%。分析指出,由于供應(yīng)商在價(jià)格談判中態(tài)度強(qiáng)硬,需求方企業(yè)也接受了小幅提價(jià)。

          此前中泰證券數(shù)據(jù)也顯示,7 月 DDR5 模組合約價(jià)首次環(huán)比上漲,環(huán)比增幅在 3%-4% 之間。TrendForce 表示,需求方因預(yù)期價(jià)格反彈,正在增加 DDR5 產(chǎn)品的庫(kù)存,預(yù)計(jì)第四季度 DRAM 固定交易價(jià)格將保持穩(wěn)定,但 DDR5 可能會(huì)小幅上漲,漲幅最高可達(dá) 5%。

          南亞科技總經(jīng)理李培瑛日前也于法說(shuō)會(huì)上透露,目前 DDR5 價(jià)格已上漲,并看好 DDR4、DDR3 價(jià)格翻漲。

          國(guó)產(chǎn) DDR5 仍在路上

          在行業(yè)加速發(fā)展的背景下,中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)也在快速發(fā)展。然而在 DDR5 這條賽道,中國(guó)還需要面臨諸多阻礙。

          目前中國(guó)眾多的內(nèi)存廠商,大都是從三星、SK 海力士和美光這三家廠商中采購(gòu) DDR5 芯片顆粒,再找模組廠商購(gòu)買(mǎi)內(nèi)存模組等,然后在工廠組裝成 DDR5 內(nèi)存條。這是因?yàn)槲覀冏陨磉€沒(méi)有 DDR5 顆粒的制造能力。

          中國(guó)缺席 DDR5 顆粒的原因主要有兩方面:一方面是中國(guó)大陸半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)起步較晚,另一方面美國(guó)商務(wù)部的新一輪技術(shù)制裁,也精準(zhǔn)的打擊了中國(guó)正在迅速發(fā)展的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)。

          2022 年,美國(guó)發(fā)布公告稱禁止 16/14 nm 邏輯制程、18 nm 以下 DRAM 制程、128 層以上 3D NAND 制程的機(jī)臺(tái)設(shè)備出口到中國(guó)。

          近日,在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示:目前我們的 DDR4、LPDDR4 最新工藝是 25 納米,目前正在研發(fā) 21nm 的產(chǎn)品。我們目前還沒(méi)有進(jìn)行 DDR5 的研發(fā),這需要有非常先進(jìn)的制程,是美光這類 IDM 大廠做的,我們和美光的主要產(chǎn)品是差異化競(jìng)爭(zhēng)的,短時(shí)間內(nèi)還是做 DDR4、LPDDR4 及以下的產(chǎn)品,但是我們會(huì)往更高容量去做。

          這也意味著,18 nm 以下 DRAM 制程設(shè)備的限制直接制約了國(guó)產(chǎn) DRAM 公司的 DDR5 研發(fā)進(jìn)程。不過(guò)在 DDR5 的內(nèi)存接口方面,、聚辰股份等公司已經(jīng)取得一些成就。如今已推進(jìn) DDR5 第二子代 RCD 芯片量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,并開(kāi)展 DDR5 第三子代 RCD 芯片量產(chǎn)版本的研發(fā);聚辰股份與合作開(kāi)發(fā)配套新一代 DDR5 內(nèi)存條的 SP 產(chǎn)品,為 DDR5 內(nèi)存模組不可或缺的組件。

          綜合來(lái)看,雖然中國(guó)是全球最大的 DRAM 芯片消費(fèi)國(guó)之一,但在 DDR5 顆粒制造方面,中國(guó)企業(yè)的技術(shù)積累尚不充分,因此難以實(shí)現(xiàn)自主制造。不過(guò),中國(guó)在內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展正在逐步提高。一些國(guó)內(nèi)企業(yè)正在加大科研投入,積極研發(fā) DDR5 顆粒的制造技術(shù),并取得了一些進(jìn)展,國(guó)產(chǎn) DDR5 攻堅(jiān)之路或許不會(huì)太遠(yuǎn)。



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