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	 > 電源與新能源 > 業(yè)界動態(tài) > DB HiTek超高壓（UHV）電力半導(dǎo)體業(yè)務(wù)正式展開
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          DB HiTek超高壓（UHV）電力半導(dǎo)體業(yè)務(wù)正式展開
          
						
          
				作者：
				時間：2023-11-07
				來源：全球半導(dǎo)體觀察

				
				
				
				
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          近日，據(jù)DB HITEK官方消息，DB HITEK正在升級超高壓（UHV）電力半導(dǎo)體工藝技術(shù)，并正式推進相關(guān)業(yè)務(wù)。超高壓電力半導(dǎo)體工藝技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括家電、汽車、通信、工業(yè)等，支持設(shè)計和制造用于驅(qū)動電機的
 Gate Driver IC。Gate Driver 
IC市場占電力半導(dǎo)體IC市場的8%，預(yù)計自2022年至2027年年平均增長率達109%，需求有望大幅增加。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202311/452556.htm
          通過此次工藝技術(shù)升級，DB HITEK將創(chuàng)造能夠在Gate Driver 
IC中同時使用Level-Shifter絕緣方式和Galvanic絕緣方式的環(huán)境。由此，客戶們可以發(fā)揮芯片便于設(shè)計的Level-Shifter和高壓操作穩(wěn)定性較高的Galvanic絕緣的各自優(yōu)勢，并且該工藝的應(yīng)用范圍也有望從現(xiàn)有的家電領(lǐng)域擴展至汽車、太陽能領(lǐng)域。
          今年5月，DB 
HITEK首度推出了可以應(yīng)用于系統(tǒng)空調(diào)等大功率壓縮機，且采用寬電壓，便于設(shè)計的900V級Level-Shifter。此外，實現(xiàn)了原本安裝于芯片外部的Bootstrap
 Diode內(nèi)置自主研發(fā)了縮小體積的技術(shù)，并申請了專利，創(chuàng)造了不同于其他代工廠的Gate Driver IC設(shè)計環(huán)境。
          DB HITEK表示，未來將確保可在矽電半導(dǎo)體中實現(xiàn)的全區(qū)間工藝技術(shù)， 并提供適用于各領(lǐng)域的最佳Gate Driver設(shè)計環(huán)境。
          具體來說，DB HITEK計劃于2024年1月將在Gate Driver IC市場中占最大比重10%的家電領(lǐng)域提供最佳600V工藝，并于年內(nèi)依次確保用于電動滑板車及電動踏板車的200V工藝和用于紡織機及工規(guī)用1200V工藝，提升超高壓電力半導(dǎo)體的競爭力。

          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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