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          實戰(zhàn)經(jīng)驗 | 如何選擇 S2-LP 的外部晶體

          作者: 時間:2023-12-28 來源:STM32單片機(jī) 收藏

          01 前言

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202312/454332.htm

          鑒于經(jīng)常有基于 S2-LP 的客戶對如何選擇,如何選擇外部 TXCO 及如何測試和校準(zhǔn)頻偏存在諸多困惑,我整理了該文檔以備解惑之用。

          02 S2-LP 的選擇問題分析

          2.1. 的選擇

          下面是 S2-LP 規(guī)格書上列的一些指標(biāo),主要關(guān)注 Crystal frequency 為 24MHZ~26MHZ 或者 48MHZ~52MHZ, Frequency tolerance 不要超過+-40ppm 就可以了:

          圖片

          2.2. 外部 的選擇

          考慮到窄帶通訊的需要,有些項目必須選擇 才能滿足需求,選擇 的時候需要額外考慮的指標(biāo)有:

          1) DC coupling with a minimum 0.2 VDC level 

          2) Minimum AC amplitude of 400 mVpp

          3) The instantaneous level at input cannot exceed the 0 – 1.4 V range.

          為節(jié)約客戶驗證所選 TCXO 的時間,下面是已經(jīng)驗證 OK 的 TCXO 供客戶選擇:NDK, NT1612AB 50MHz END5348A。

          03 頻偏的測試及調(diào)試

          3.1. C++模板編程基礎(chǔ)

          3.1.1. 下面以 STEVAL-FKI868V1 為例做說明:

          1.用 MINI USB 線連接到 PC;

          2. 下載 C:Program Files (x86)STMicroelectronicsS2-LP_DK_1.3.2BinariesCLI_Project S2LP_CLI_NUCLEO_L1.bin 軟件到STEVAL-FKI868V1 板子;

          3.通過 S2-LP_DK V1.3.x GUI 工具打開對應(yīng)的串口,如下圖所示:


          圖片

          4.按下圖設(shè)置相應(yīng)的 RF 參數(shù),點擊 CONFIGURE RADIO(1)->點擊圖中 TX CW START(2) 按鈕,就可以產(chǎn)生功率為 10dbm 的 868MHZ 非調(diào)制載波信號:

          圖片

          產(chǎn)生的實測波形如下圖所示:

          圖片

          5.當(dāng)需要產(chǎn)生調(diào)制信號,按下圖設(shè)置相應(yīng)的 RF 參數(shù),點擊 CONFIGURE RADIO(1)->點擊圖中 TX PN9 START(3) 按鈕,就可以產(chǎn)生功率為 10dbm 的 868MHZ 調(diào)制信號:

          圖片

          產(chǎn)生的實測波形如下圖所示:

          圖片

          3.2. 頻偏的調(diào)試方法

          3.2.1. 下圖是STEVAL-FKI868V1 的原理圖:

          圖片

          3.2.2. 根據(jù)下面原則調(diào)節(jié)圖中紅色區(qū)域中晶體的負(fù)載電容 C19/C20 就可以了,當(dāng)

          If DUT frequency > 868MHZ → increases XTAL caps (C19/C20) 

          If DUT frequency < 868MHz → decreases XTAL caps (C19/C20) 

          注意:允許頻偏由實際應(yīng)用場景決定。

          04 小結(jié)

          本篇從的選擇、TCXO 選擇的注意事項以及頻偏的調(diào)試著手提供有用的指導(dǎo),讓客戶在實際選型、設(shè)計中少走彎路。



          關(guān)鍵詞: 高速晶體 TCXO 外部晶體

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