GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上
近期,大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底,制作出了氮化鎵(GaN)晶體管,其散熱性能是使用碳化硅(SiC)襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上,有望應(yīng)用于5G通信基站、氣象雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波加熱、等離子體處理等領(lǐng)域,該研究成果已發(fā)表在“Small”雜志上。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202401/454492.htm隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展,功率密度和散熱等問(wèn)題日益凸顯,業(yè)界試圖通過(guò)新一代材料解決上述問(wèn)題。
據(jù)悉,金剛石具備極強(qiáng)的導(dǎo)熱性能,氮化鎵具有寬帶隙和高導(dǎo)電性等特性,居于上述特性,以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。
在最新研究中,大阪公立大學(xué)的科學(xué)家們成功地用金剛石作為襯底制造了GaN高電子遷移率晶體管。為了進(jìn)一步提高金剛石的導(dǎo)熱性,研究人員在GaN和金剛石之間加入了一層3C-SiC(立方碳化硅)層。這一技術(shù)顯著降低了界面的熱阻,從而提高了散熱效率。
評(píng)論