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          MOS(場效應(yīng)管)最常用的方法

          作者: 時間:2024-01-08 來源:PCB設(shè)計老菜鳥 收藏

          使用方法

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202401/454570.htm


          1、N的主回路電流方向為D→S,導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差,一般為5~10V(G電位比S電位高);2、P的主回路電流方向為S→D,導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差,一般為-5~-10V(S電位比G電位高)。


          1、使用NMOS當(dāng)下管,S極直接接地(為固定值),只需將G極電壓固定值6V即可導(dǎo)通;2、若使用NMOS當(dāng)上管,D極接正電源,而S極的電壓不固定,無法確定控制NMOS導(dǎo)通的G極電壓,因為S極對地的電壓有兩種狀態(tài),MOS管截止時為低電平,導(dǎo)通時接近高電平VCC。當(dāng)然NMOS也是可以當(dāng)上管的,只是控制電路復(fù)雜,這種情況必須使用隔離電源控制,使用一個PMOS管就能解決的事情一般不會這么干,明顯增加電路難度。


          1、使用PMOS當(dāng)上管,S極直接接電源VCC,S極電壓固定,只需G極電壓比S極低6V即可導(dǎo)通,使用方便;2、如果使用PMOS當(dāng)下管,D極接地,S極的電壓不固定(0V或VCC),無法確定控制極G極的電壓,使用較麻煩,需采用隔離電壓設(shè)計。




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