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          談談SiC MOSFET的短路能力

          作者:時間:2024-02-02來源:英飛凌收藏

          在電力電子的很多應用,如電機驅動,有時會出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力,即在一定的時間內承受住短路電流而不損壞。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202402/455315.htm


          目前市面上大部分IGBT都會在數據手冊中標出短路能力,大部分在5~10us之間,例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us,IGBT7短路時間是8us。


          而 大 部 分 的 SiC 都 沒 有 標 出 短 路 能 力 , 即 使 有 , 也 比 較 短 , 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM 單管封裝器件標稱短路時間是3us,EASY封裝器件標稱短路時間是2us。


          為什么IGBT和SiC 短路能力差這么多,這是SiC天生的缺陷嗎?今天我們簡單分析一下。


          先以IGBT為例,看一下短路時,功率器件內部發生了什么?


          功率器件正常工作時處于飽和區,CE電壓很低,此時器件電流隨CE電壓提高而上升。隨著CE電壓進一步提升,反型層溝道被夾斷,器件電流相對保持穩定,不再隨CE電壓上升而上升,我們稱之為退出飽和區。在IGBT的輸出特性曲線上,我們能看到明顯的退飽和現象。


          (關于IGBT退飽和特性更詳細分析可參考如何理解IGBT的退飽和現象以及安全工作區)


          談談SiC MOSFET的短路能力

          (a) IGBT工作在飽和區



          談談SiC MOSFET的短路能力
          (b) IGBT退出飽和區,溝道夾斷



          談談SiC MOSFET的短路能力

          IGBT輸出特性曲線


          有的SiC MOSFET沒有短路能力,是因為它沒有退飽和特性嗎?非也,SiC MOSFET也有退飽和特性,只不過對于MOSFET,工作區的命名方式和IGBT正好相反,正常工作的狀態為線性區。當DS之間電壓上升到一定程度后,溝道夾斷,電流隨DS電壓上升的趨勢變小,這時MOSFET進入了飽和區。只不過從輸出特性上看,對于SiC MOSFET,進入飽和的拐點不太明顯。SiC MOSFET進入飽和區的拐點不太明顯,和DIBL(漏致勢壘降低效應)有關,有興趣了解的讀者請戳這篇文章SiC MOSFET的短溝道效應


          談談SiC MOSFET的短路能力


          我們以下圖為例,來說明SiC MOSFET的一類短路過程。這是兩個45mΩ 1200V CoolSiC?MOSFET的短路波形:一個是4腳的TO-247封裝,另一個是3腳TO-247封裝。圖中顯示了兩者在VDS=800V的直流電壓下的情況。


          談談SiC MOSFET的短路能力


          短路剛開始發生時,漏極電流迅速上升,很快到達一個峰值。由于開爾文源設計中的反饋回路減少,4腳TO-247封裝的MOSFET的電流上升得更快,在短路事件開始時,它也顯示出較少的自熱,峰值電流很高,超過300A。相反,3腳TO-247封裝的器件顯示出較小的峰值電流。造成這種情況的主要原因是di/dt作用于3腳元件的功率回路中的雜散電感,產生的瞬時電壓對VGS產生負反饋,從而降低了開關速度。隨后,短路電流引起SiC MOSFET芯片結溫上升,溝道遷移率μn隨之降低,同時疊加JFET效應,使得短路電流自峰值后開始下降,漏極電流下降到大約150A,直至關斷。測試波形證明了兩種封裝的TO-247 CoolSiC? MOSFET的典型3μs短路能力。對于功率模塊,根據相關的目標應用要求,目前的短路能力最高為2μs。我們的CoolSiC? MOSFET是第一個在數據表中保證短路耐受時間的器件。


          TO247 3pin 封裝的IMW120R030M1H中,關于短路時間的定義:


          EASY封裝的FF33MR12W1M1H中,關于短路時間的定義:


          談談SiC MOSFET的短路能力


          大部分IGBT短路時間在5~10μs,SiC MOSFET器件短路時間相對比較低,主要原因有以下幾點:


          談談SiC MOSFET的短路能力


          1.通過以上分析,我們可以看到,當功率器件處于短路狀態時,短路電流相對恒定。對于IGBT來說,短路電流一般是額定電流的4~6倍,而SiC MOSFET的短路電流一般可達額定電流的10倍。這一點從二者的輸出特性曲線就可以看出來。

          2.當功率器件短路時,器件承受母線電壓,電場分布在整個漂移區。因為SiC材料的臨界電場強度約是Si材料的10倍,因此,要達到同樣的耐壓等級,SiC MOSFETI漂移區僅需要SiIGBT的十分之一。這意味著SiC MOSFET短路時發熱熱量更集中,溫度也更高。


          3.SiC MOSFET芯片面積小于同電流等級的IGBT,電流密度更高,熱量更集中。


          綜上所述,SiC MOSFET面積小、短路電流高、漂移層薄等特性,導致其短路時發熱量集中,相對IGBT來說,短路時間就相對短一些。


          是不是SiC MOSFET短路能力就一定不如IGBT呢?也并不是這樣。功率器件的短路能力都是設計出來的,短路能力需要和其他性能做折衷。比如增加器件溝道密度,MOSFET的導通電阻會下降,但相應的,電流密度更高,短路電流會更大,因此短路時間下降。


          除了導通電阻,SiC MOSFET短路能力設計還要考慮耐壓、損耗、壽命等多種因素??梢栽O計一個損耗極低但沒有短路能力的器件,也可以稍微犧牲一點性能,使器件具備短路能力,從而提升整體系統的可靠性。選擇哪一個方向,使器件最終呈現什么樣的性能,都是針對目標應用權衡的結果。

          本文轉載自:



          關鍵詞: infineon MOSFET

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