<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 模擬技術 > 新品快遞 > 2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET

          2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET

          作者:時間:2024-02-19來源:貝能國際收藏

          ? 2000V SiC 系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,規格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯技術,?技術的輸出電流能力強,可靠性提高。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202402/455487.htm

          圖片

          產品型號:

          ?? IMYH200R012M1H

          ?? IMYH200R024M1H

          ?? IMYH200R050M1H

          ?? IMYH200R075M1H

          ?? IMYH200R0100M1H

          產品特點

          ■ VDSS=2000V,可用于最高母線電壓為1500VDC系統

          ■ 開關損耗極低

          ■ 創新的HCC封裝

          ■ 針腳間爬電距離為14毫米

          ■ 5.4毫米電氣間隙

          ■ 柵極閾值電壓,VGS(th)=4.5V

          ■ 用于硬換流的堅固體二極管

          ■ .XT互聯技術可實現同類最佳的散熱性能

          ■ 高耐濕性

          應用價值

          ■ 市場上首款分立式碳化硅器件,阻斷電壓高達2000V

          ■ 1500V的DC的變流器可以用兩電平實現

          ■ 與1700V SiC 相比,1500 VDC系統具有足夠的過壓裕量

          ■ 創新的TO-247封裝,具有高爬電距離和間隙

          應用領域

          ■ 光伏逆變器

          ■ 儲能系統

          ■ 電動汽車充電



          關鍵詞: MOSFET CoolSiC Infineon

          評論


          相關推薦

          技術專區

          關閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();