三星發布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，滿足人工智能時代的更高要求
三星電子今日宣布，公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產品。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202402/455771.htm三星HBM3E 12H支持全天候最高帶寬達1280GB/s，產品容量也達到了36GB。相比三星8層堆疊的HBM3 8H，HBM3E 12H在帶寬和容量上大幅提升超過50%。
“當前行業的人工智能服務供應商越來越需要更高容量的HBM，而我們的新產品HBM3E 12H正是為了滿足這種需求而設計的，” 三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁 Yongcheol Bae 表示，“這一新的存儲解決方案是我們研發多層堆疊HBM核心技術以及在人工智能時代為高容量HBM市場提供技術領導力而努力的一部分。
三星首款36GB HBM3E 12H DRAM
HBM3E 12H采用了先進的熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術，使得12層和8層堆疊產品的高度保持一致，以滿足當前HBM封裝的要求。因為行業正在尋找緩解薄片帶來的芯片彎曲問題，這項技術將在更高的堆疊中帶來更多益處。三星一直在努力降低其非導電薄膜（NCF）材料的厚度，并實現芯片之間的間隙最小化至7微米（μm），同時消除了層與層之間的空隙。這些努力使其HBM3E 12H產品的垂直密度比其HBM3 8H產品提高了20%以上。
三星先進的熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術還通過允許在芯片之間使用不同尺寸的凸塊（bump）改善HBM的熱性能。在芯片鍵合（chip bonding）過程中，較小凸塊用于信號傳輸區域，而較大凸塊則放置在需要散熱的區域。這種方法有助于提高產品的良率。
隨著人工智能應用的指數級增長，HBM3E 12H有望成為未來系統的優選解決方案，滿足系統對更大存儲的需求。憑借超高性能和超大容量，HBM3E 12H將幫助客戶更加靈活地管理資源，同時降低數據中心的總體擁有成本（TCO）。相比HBM3 8H，HBM3E 12H搭載于人工智能應用后，預計人工智能訓練平均速度可提升34%，同時推理服務用戶數量也可增加超過11.5倍[1]。
目前，三星已開始向客戶提供HBM3E 12H樣品，預計于今年下半年開始大規模量產。
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