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	 > 電源與新能源 > 新品快遞 > Vishay推出采用改良設計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊，降低導通和開關損耗
          
    
          

          

          



	
	
	

          
	
          
		
          
			
          Vishay推出采用改良設計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊，降低導通和開關損耗
          
						
          —— 半橋器件采用Trench IGBT技術，可選低VCE(ON)或低Eoff，適用于大電流逆變級
          
						
          
				作者：時間：2024-02-29來源：電子產品世界收藏
			
          

			
          


			
          
			
          


			
          
			
          


			
          
			
          
			
			
          
			
			
          


			
          
                
				
          日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術制造，為設計人員提供兩種業內先進的技術選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運輸、能源及工業應用大電流逆變級導通或開關損耗。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202402/455815.htm
          日前發布的半橋器件使用節能效果優于市場上其他器件的Trench IGBT，與具有超軟反向恢復特性的第四代FRED Pt?反并聯二極管封裝在一起。模塊小型INT-A-PAK封裝采用新型柵極引腳布局，與34 mm工業標準封裝100%兼容，可采用機械插接方式更換。
          1709172046364262.jpg
          這款工業級器件可用于各種應用的電源逆變器，包括鐵路設備；發電、配電和儲電系統；焊接設備；電機驅動器和機器人。為降低TIG焊機輸出級導通損耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C，額定電流下，集電極至發射極電壓僅為 ≤ 1.07 V，達到業內先進水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N適用于高頻電源應用，開關損耗極低，+125 °C，額定電流下，Eoff僅為1.0 mJ。
          模塊符合RoHS標準，集電極至發射極電壓為650 V，集電極連續電流為100 A至200 A，結到外殼的熱阻極低。器件通過UL E78996認證，可直接安裝散熱片，EMI小，減少了對吸收電路的要求。
          器件規格表：
          產品編號
          VCES
          IC
          VCE(ON)
          Eoff
          速度
          封裝
          @ IC和 +125 °C
          VS-GT100TS065S
          650 V
          100 A
          1.02 V
          6.5 mJ
          DC~1 kHz
          INT-A-PAK
          VS-GT150TS065S
          650 V
          150 A
          1.05 V
          10.3 mJ
          DC~1 kHz
          INT-A-PAK
          VS-GT200TS065S
          650 V
          200 A
          1.07 V
          13.7 mJ
          DC~1 kHz
          INT-A-PAK
          VS-GT100TS065N
          650 V
          100 A
          2.12 V
          1.0 mJ
          8 kHz~30 kHz
          INT-A-PAK
          VS-GT200TS065N
          650 V
          200 A
          2.13 V
          3.86 mJ
          8 kHz~30 kHz
          INT-A-PAK
          新型IGBT功率模塊現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為15周。
          
				
            	
                
				
								
          
				          
                
				              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
          


			
          
			
            
			  
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          關鍵詞：
            			            Vishay
                        INT-A-PAK
                        IGBT功率模塊
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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