H橋電機驅動解析
一、簡介
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202403/455950.htm之前介紹過H橋電機驅動電路的基本原理,但是以集成的電機驅動芯片為示例。這些集成的芯片使用起來比較簡單,但是只能適用于一些小電流電機,對于大電流的電機(比如:RS380和RS540電機),則不能使用這些集成的芯片(否則會導致芯片嚴重發熱并燒毀)。
此時便需要自行用半橋/全橋驅動芯片和MOS管搭建合適的H橋電機驅動電路實現對大電流電機的驅動控制。
二、示例原理圖和PCB展示
此原理圖和PCB采用的是網上分享的電路設計(IR2104半橋驅動+LR7843MOS管),為了便于焊接,對其中的一些封裝進行了修改,并重新布線。
該電機驅動板有兩個H橋電路,可以同時控制雙路電機??赏ㄟ^相應的控制信號來控制電機的轉速和正反轉。
1.原理圖
2.PCB 3D圖
三、輔助電路部分講解
本驅動模塊默認采用7.4V的鋰電池組接入右側的P1端子進行供電。
1、BOOST升壓電路
★BOOST升壓電路采用的是MC34063這款芯片。此模塊主要是將7.4V的輸入電壓升到12V后為后面的IR2104S半橋驅動芯片供電(需要12V的原因將在下面介紹)。此芯片的工作原理在此不多做介紹,可自行下載數據手冊進行學習。
注意事項:
(1).此BOOST電路模塊是此驅動板中較為容易出問題的部分,因此焊接時需要先對其進行焊接調試,確認沒有問題后再進行后續的焊接。
(2).此電路需要尤其注意0.22Ω的精密電流檢測電阻,如果電阻質量不合格很容易出現問題,導致電路不能正常工作。
2、降壓穩壓電路
★降壓穩壓電路采用的是MIC5219這款LDO芯片。此電路模塊將7.4V的輸入電壓降壓穩壓到3.3V給后面的74LVC245芯片供電。類似芯片較多,使用也較為簡單。
3、隔離電路部分
在設計電機驅動板時,很多都會有一個用于隔離的電路模塊。主要用于將控制器與H橋驅動電路隔離開,防止損壞控制器。
此電機驅動板采用了74lvc245這款三態輸出的收發器芯片作為隔離芯片。也可以使用74HC125(三態四線非反相緩沖器)或74HC244(三態八線非反相緩沖器)。具體使用說明可參考相應的數據手冊。
四、搭建的H橋驅動電路詳解
1、簡介
在學習此部分之前,需要先掌握基礎H橋驅動的工作原理,具體可參看此篇博客:電機驅動芯片(H橋、直流電機驅動方式)
自行搭建的H橋驅動電路一般都包括兩個部分:半橋/全橋驅動芯片和MOS管。自行搭建的H橋驅動所能通過的電流幾乎由MOS管的導通漏極電流所決定。因此,選擇適當的MOS管,即可設計出驅動大電流電機的H橋驅動電路。
2、NMOS管IRLR7843
在選擇MOS管搭建H橋時,主要需注意以下一些參數:
★1.漏極電流(Id):該電流即限制了所能接入電機的最大電流(一般要選擇大于電機堵轉時的電流,否則可能在電機堵轉時燒毀MOS管),LR7843的最大漏極電流為160A左右,完全可以滿足絕大部分電機的需要。
★2.柵源閾值電壓/開啟電壓(Vth):該電壓即MOS管打開所需的最小電壓,也將決定后續半橋驅動芯片的選擇和設計(即芯片柵極控制腳的輸出電壓)。LR7843的最大柵源閾值電壓為2.3V。
★3.漏源導通電阻(Rds):該電阻是MOS管導通時,漏極和源極之間的損耗內阻,將會決定電機轉動時,MOS管上的發熱量,因此一般越小越好。LR7843的漏源導通電阻為3.3mΩ。
★4.最大漏源電壓(Vds):該電壓是MOS管漏源之間所能承受的最大電壓,必須大于加在H橋上的電機驅動電壓。LR7843的最大漏源電壓為30V。滿足7.4V的設計需要。
3、半橋驅動芯片IR2104S
在H橋驅動電路中,一共需要4個MOS管。而這四個MOS管的導通與截止則需要專門的芯片來進行控制,即要介紹的半橋/全橋驅動芯片。
★所謂半橋驅動芯片,便是一塊驅動芯片只能用于控制H橋一側的2個MOS管(1個高端MOS和1個低端MOS,在前述推薦的博客中有介紹)。因此采用半橋驅動芯片時,需要兩塊該芯片才能控制一個完整的H橋。
★相應的,全橋驅動芯片便是可以直接控制4個MOS管的導通與截止,一塊該芯片便能完成一個完整H橋的控制。
這里使用的IR2104便是一款半橋驅動芯片,因此在原理圖中可以看到每個H橋需要使用兩塊此芯片。
1、典型電路設計(來源于數據手冊)
2、引腳功能(來源于數據手冊)
★VCC為芯片的電源輸入,手冊中給出的工作電壓為10~20V。(這便是需要boost升壓到12V的原因)
★IN和SD作為輸入控制,可共同控制電機的轉動狀態(轉向、轉速和是否轉動)。
★VB和VS主要用于形成自舉電路。(后續將詳細講解)
★HO和LO接到MOS管柵極,分別用于控制高端和低端MOS的導通與截止。
★COM腳直接接地即可。
3、自舉電路
此部分是理解該芯片的難點,需要進行重點講解。從上面的典型電路圖和最初的設計原理圖中均可發現:該芯片在Vcc和VB腳之間接了一個二極管,在VB和VS之間接了一個電容。這便構成了一個自舉電路。
作用:在高端和低端MOS管中提到過,由于負載(電機)相對于高端和低端的位置不同,而MOS的開啟條件為Vgs>Vth,這便會導致想要高端MOS導通,則其柵極對地所需的電壓較大。
補充說明:因為低端MOS源極接地,想要導通只需要令其柵極電壓大于開啟電壓Vth。而高端MOS源極接到負載,如果高端MOS導通,那么其源極電壓將上升到H橋驅動電壓,此時如果柵極對地電壓不變,那么Vgs可能小于Vth,又關斷。因此想要使高端MOS導通,必須想辦法使其Vgs始終大于或一段時間內大于Vth(即柵極電壓保持大于電源電壓+Vth)。
首先看下IR2104S的內部原理框圖(來源于數據手冊)。此類芯片的內部原理基本類似,右側兩個柵極控制腳(HO和LO)均是通過一對PMOS和NMOS進行互補控制。
自舉電路工作流程圖:
以下電路圖均只畫出半橋,另外一半工作原理相同因此省略。
假定Vcc=12V,VM=7.4V,MOS管的開啟電壓Vth=6V(不用LR7843的2.3V,原因后續說明)。
(1).第一階段:首先給IN和SD對應的控制信號,使HO和LO通過左側的內部控制電路(使上下兩對互補的PMOS和NMOS對應導通),分別輸出低電平和高電平。此時,外部H橋的高端MOS截止,低端MOS導通,電機電流順著②線流通。同時VCC通過自舉二極管(①線)對自舉電容充電,使電容兩端的壓差為Vcc=12V。
(2).第二階段:此階段由芯片內部自動產生,即死區控制階段(在H橋中介紹過,不能使上下兩個MOS同時導通,否則VM直接通到GND,短路燒毀)。HO和LO輸出均為低電平,高低端MOS截止,之前加在低端MOS柵極上的電壓通過①線放電。
(3).第三階段:通過IN和SD使左側的內部MOS管如圖所示導通。由于電容上的電壓不能突變,此時自舉電容上的電壓(12V)便可以加到高端MOS的柵極和源極上,使得高端MOS也可以在一定時間內保持導通。此時高端MOS的源極對地電壓≈VM=7.4V,柵極對地電壓≈VM+Vcc=19.4V,電容兩端電壓=12V,因此高端MOS可以正常導通。
(此時,自舉二極管兩端的壓差=VM,因此在選擇二極管時,需要保證二極管的反向耐壓值大于VM。)
注意:因為此時電容在持續放電,壓差會逐漸減小。最后,電容正極對地電壓(即高端MOS柵極對地電壓)會降到Vcc,那么高端MOS的柵源電壓便≈Vcc-VM=12V-7.6V=4.4V < Vth=6V,高端MOS仍然會關斷。
補充總結:
★因此想要使高端MOS連續導通,必須令自舉電容不斷充放電,即循環工作在上述的三個階段(高低端MOS處于輪流導通的狀態,控制信號輸入PWM即可),才能保證高端MOS導通。自舉二極管主要是用來當電容放電時,防止回流到VCC,損壞電路。
★但是,在對上面的驅動板進行實際測試時會發現,不需要令其高低端MOS輪流導通也可以正常工作,這是因為即使自舉電容放電結束,即高端MOS的柵源電壓下降到4.4V仍然大于LR7843的Vth=2.3V。
那么在上述驅動板中,自舉電路就沒有作用了嗎?當然不是,由于MOS管的特性,自舉電路在增加柵源電壓的同時,還可令MOS管的導通電阻減小,從而減少發熱損耗,因此仍然建議采用輪流導通的方式,用自舉電容產生的大壓差使MOS管導通工作。
4.控制邏輯
時序控制圖:
簡單看來,就是SD控制輸出的開關(高電平有效),IN控制柵極輸出腳的高低電平(即H橋MOS管的開關)。
在最上面的驅動板中,SD接到VCC,即處于輸出常開狀態。只需要對IN腳輸入對應控制信號即可進行電機的驅動。
上面為半橋的驅動方式,驅動一個H橋要同時對兩個IR2104進行控制。
以上面設計的電機驅動板為例,驅動真值表:
改變PWM的占空比,即可改變電機的轉速。
五、相關補充
★1.自舉二極管一般選用肖特基二極管(比如上述驅動板中的1N5819)。
在自舉電容選擇時,其耐壓值需大于Vcc并留有一定余量(如上述驅動板中為16V的鉭電容)。而自舉電容的容值選擇需要一定的計算。具體可自行查找或參看此鏈接:自舉電容的選擇。此驅動板中選用1uF的鉭電容,經測試運行穩定。一般來說,PWM的輸入頻率越大(即電容充放電頻率),電容所需容值越小。
★2.H橋MOS管柵極串聯的電阻主要用于限流和抑制振蕩。為了加快MOS管的關斷還可以在柵源之間并聯一個10K電阻或在柵極串聯電阻上反向并聯一個二極管。這部分內容網上可找到較多介紹。
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