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          MOS管基礎(chǔ)及選型指南

          作者: 時(shí)間:2024-03-20 來(lái)源:硬件筆記本 收藏

          ,即金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202403/456567.htm


          和普通雙極型晶體管相比,具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢(shì),在開(kāi)關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來(lái)越普遍的應(yīng)用。


          ▉ 場(chǎng)效應(yīng)管分類

          場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型(JFET)和金屬-氧化物-半導(dǎo)體型(MOSFET)兩種類型。

          JFET的英文全稱是Junction Field-Effect Transistor,也分為N溝道和P溝道兩種,在實(shí)際中幾乎不用。

          MOSFET英文全稱是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,應(yīng)用廣泛,MOSFET一般稱


          MOS管是FET的一種(另一種為JFET結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管),主要有兩種結(jié)構(gòu)形式:N溝道型和P溝道型。


          根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)原理的不同,分為耗盡型(當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流)和增強(qiáng)型(當(dāng)柵壓為零,漏極電流也為零,必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流)兩種。


          因此,MOS管可以被制構(gòu)成P溝道增強(qiáng)型、P溝道耗盡型、N溝道增強(qiáng)型、N溝道耗盡型4種類型產(chǎn)品。


          一般主板上使用最多的是增強(qiáng)型MOS管,NMOS最多,一般多用在信號(hào)控制上,其次是PMOS,多用在電源開(kāi)關(guān)等方面,耗盡型幾乎不用。


          ▉ N和P區(qū)分

          每一個(gè)MOS管都提供有三個(gè)電極:Gate柵極(表示為“G”)、Source源極(表示為“S”)、Drain漏極(表示為“D”)。接線時(shí),對(duì)于N溝道的電源輸入為D,輸出為S;P溝道的電源輸入為S,輸出為D;且增強(qiáng)型、耗盡型的接法基本一樣。


          紅色箭頭指向G極的為NMOS,箭頭背向G極的為PMOS


          ▉ 寄生二極管

          由于生產(chǎn)工藝,一般的MOS管會(huì)有一個(gè)寄生二極管,有的也叫體二極管。


          紅色標(biāo)注的為體二極管

          從上圖可以看出NMOS和PMOS寄生二極管方向不一樣,NMOS是由S極→D極,PMOS是由D極→S極。


          寄生二極管和普通二極管一樣,正接會(huì)導(dǎo)通,反接截止,對(duì)于NMOS,當(dāng)S極接正,D極接負(fù),寄生二極管會(huì)導(dǎo)通,反之截止;對(duì)于PMOS管,當(dāng)D極接正,S極接負(fù),寄生二極管導(dǎo)通,反之截止。


          某些應(yīng)用場(chǎng)合,也會(huì)選擇走體二極管,以降低DS之間的壓降(體二極管的壓降是比MOS的導(dǎo)通壓降大很多的),同時(shí)也要關(guān)注體二極管的過(guò)電流能力。


          當(dāng)滿足MOS管的導(dǎo)通條件時(shí),MOS管的D極和S極會(huì)導(dǎo)通,這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài),因?yàn)镸OS管的導(dǎo)通內(nèi)阻極小,一般mΩ級(jí)別,流過(guò)1A級(jí)別的電流,也才mV級(jí)別,所以D極和S極之間的導(dǎo)通壓降很小,不足以使寄生二極管導(dǎo)通,這點(diǎn)需要特別注意。


          ▉ MOS管工作原理(以N溝道增強(qiáng)型為例)

          N溝道增強(qiáng)型MOS管在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層,然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜的N型區(qū),從N型區(qū)引出電極(漏極D、源極S);在源極和漏極之間的SiO2絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G;P型半導(dǎo)體稱為襯底,用符號(hào)B表示。由于柵極與其它電極之間是相互絕緣的,所以NMOS又被稱為絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。


          當(dāng)柵極G和源極S之間不加任何電壓,即VGS=0時(shí),由于漏極和源極兩個(gè)N+型區(qū)之間隔有P型襯底,相當(dāng)于兩個(gè)背靠背連接的PN結(jié),它們之間的電阻高達(dá)1012Ω,即D、S之間不具備導(dǎo)電的溝道,所以無(wú)論在漏、源極之間加何種極性的電壓,都不會(huì)產(chǎn)生漏極電流ID。


          N溝道增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)示意圖

          當(dāng)將襯底B與源極S短接,在柵極G和源極S之間加正電壓,即VGS>0時(shí),如上圖所示,則在柵極與襯底之間產(chǎn)生一個(gè)由柵極指向襯底的電場(chǎng)。在這個(gè)電場(chǎng)的作用下,P襯底表面附近的空穴受到排斥將向下方運(yùn)動(dòng),電子受電場(chǎng)的吸引向襯底表面運(yùn)動(dòng),與襯底表面的空穴復(fù)合,形成了一層耗盡層。


          如果進(jìn)一步提高VGS電壓,使VGS達(dá)到某一電壓VT時(shí),P襯底表面層中空穴全部被排斥和耗盡,而自由電子大量地被吸引到表面層,由量變到質(zhì)變,使表面層變成了自由電子為多子的N型層,稱為“反型層”,如下圖所示。


          反型層將漏極D和源極S兩個(gè)N+型區(qū)相連通,構(gòu)成了漏、源極之間的N型導(dǎo)電溝道。把開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的VGS值稱為閾值電壓或開(kāi)啟電壓,用VGS(th)表示。顯然,只有VGS>VGS(th)時(shí)才有溝道,而且VGS越大,溝道越厚,溝道的導(dǎo)通電阻越小,導(dǎo)電能力越強(qiáng);“增強(qiáng)型”一詞也由此得來(lái)。


          耗盡層與反型層產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)示意圖


          在VGS>VGS(th)的條件下,如果在漏極D和源極S之間加上正電壓VDS,導(dǎo)電溝道就會(huì)有電流流通。漏極電流由漏區(qū)流向源區(qū),因?yàn)闇系烙幸欢ǖ碾娮?,所以沿著溝道產(chǎn)生電壓降,使溝道各點(diǎn)的電位沿溝道由漏區(qū)到源區(qū)逐漸減小,靠近漏區(qū)一端的電壓VGD最小,其值為VGD=VGS-VDS,相應(yīng)的溝道最薄;靠近源區(qū)一端的電壓最大,等于VGS,相應(yīng)的溝道最厚。


          這樣就使得溝道厚度不再是均勻的,整個(gè)溝道呈傾斜狀。隨著VDS的增大,靠近漏區(qū)一端的溝道越來(lái)越薄。


          當(dāng)VDS增大到某一臨界值,使VGD≤VGS(th)時(shí),漏端的溝道消失,只剩下耗盡層,把這種情況稱為溝道“預(yù)夾斷”,如下圖(a)所示。繼續(xù)增大VDS[即VDS>VGS-VGS(th)],夾斷點(diǎn)向源極方向移動(dòng),如下圖(b)所示。


          盡管夾斷點(diǎn)在移動(dòng),但溝道區(qū)(源極S到夾斷點(diǎn))的電壓降保持不變,仍等于VGS-VGS(th)。因此,VDS多余部分電壓[VDS-(VGS-VGS(th))]全部降到夾斷區(qū)上,在夾斷區(qū)內(nèi)形成較強(qiáng)的電場(chǎng)。這時(shí)電子沿溝道從源極流向夾斷區(qū),當(dāng)電子到達(dá)夾斷區(qū)邊緣時(shí),受夾斷區(qū)強(qiáng)電場(chǎng)的作用,會(huì)很快的漂移到漏極。


          預(yù)夾斷及夾斷區(qū)形成示意圖


          ▉ 導(dǎo)通條件

          MOS管是壓控型,導(dǎo)通由G和S極之間壓差決定。


          對(duì)NMOS來(lái)說(shuō),Vg-Vs>Vgs(th),即G極和S極的壓差大于一定值,MOS管會(huì)導(dǎo)通,但是也不能大太多,否則燒壞MOS管,開(kāi)啟電壓和其他參數(shù)可以看具體器件的SPEC。


          對(duì)PMOS來(lái)說(shuō),Vs-Vg>Vgs(th),即S極和G極的壓差大于一定值,MOS管會(huì)導(dǎo)通,同樣的,具體參數(shù)看器件的SPEC。


          ▉ 與三極管的區(qū)別

          三極管是電流控制,MOS管是電壓控制,主要有如下的區(qū)別:


          1、只容許從信號(hào)源取少量電流的情況下,選用MOS管;在信號(hào)電壓較低,有容許從信號(hào)源取較多電流的條件下,選用三極管。

          2、MOS管是單極性器件(靠一種多數(shù)載流子導(dǎo)電),三極管是雙極性器件(既有多數(shù)載流子,也要少數(shù)載流子導(dǎo)電)。

          3、有些MOS管的源極和漏極可以互換運(yùn)用,柵極也可正可負(fù),靈活性比三極管好。

          4、MOS管應(yīng)用普遍,可以在很小電流和很低電壓下工作。

          5、MOS管輸入阻抗大,低噪聲,MOS管較貴,三極管的損耗大。

          6、MOS管常用來(lái)作為電源開(kāi)關(guān),以及大電流開(kāi)關(guān)電路、高頻高速電路中,三極管常用來(lái)數(shù)字電路開(kāi)關(guān)控制。


          ▉ G和S極串聯(lián)電阻的作用

          MOS管的輸入阻抗很大,容易受到外界信號(hào)的干擾,只要少量的靜電,就能使G-S極間等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓,如果不及時(shí)把靜電釋放掉,兩端的高壓容易使MOS管產(chǎn)生誤動(dòng)作,甚至有可能擊穿G-S極,起到一個(gè)固定電平的作用。


          ▉ G極串聯(lián)電阻的作用

          MOS管是壓控型,有的情況下,為什么還需要在G極串聯(lián)一個(gè)電阻呢?

          1、減緩Rds從無(wú)窮大到Rds(on)。

          2、防止震蕩,一般單片機(jī)的I/O輸出口都會(huì)帶點(diǎn)雜散電感,在電壓突變的情況下,可能與柵極電容形成LC震蕩,串聯(lián)電阻可以增大阻尼減小震蕩效果。

          3、減小柵極充電峰值電流。


          ▉ 選型要點(diǎn)

          1、電壓值

          關(guān)注Vds最大導(dǎo)通電壓和Vgs最大耐壓,實(shí)際使用中,不能超過(guò)這個(gè)值,否則MOS管會(huì)損壞。


          關(guān)注導(dǎo)通電壓Vgs(th),一般MOS管都是用單片機(jī)進(jìn)行控制,根據(jù)單片機(jī)GPIO的電平來(lái)選擇合適導(dǎo)通閾值的MOS管,并且盡量留有一定的余量,以確保MOS可以正常開(kāi)關(guān)。


          2、電流值

          關(guān)注ID電流,這個(gè)值代表了NMOS管的能流過(guò)多大電流,反應(yīng)帶負(fù)載的能力,超過(guò)這個(gè)值,MOS管也會(huì)損壞。


          3、功率損耗

          功率損耗需要關(guān)注以下幾個(gè)參數(shù),包括熱阻、溫度。熱阻指的是當(dāng)有熱量在物體上傳輸時(shí),在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值,單位是℃/W或者是K/W,熱阻的公式為ThetaJA = (Tj-Ta)/P,和功率和環(huán)境溫度都有關(guān)系。


          4、導(dǎo)通內(nèi)阻

          導(dǎo)通內(nèi)阻關(guān)注NMOS的Rds(on)參數(shù),導(dǎo)通內(nèi)阻越小,NMOS管的損耗越小,一般NMOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都是在mΩ級(jí)別。


          5、開(kāi)關(guān)時(shí)間

          MOS作為開(kāi)關(guān)器件,就會(huì)有開(kāi)關(guān)時(shí)間概念,在高速電路中,盡可能選擇輸入、輸出電容Ciss&Coss小、開(kāi)關(guān)時(shí)間Ton&Toff短的MOS管,以保證數(shù)據(jù)通信正常。


          6、封裝

          根據(jù)PCB板的尺寸,選擇合適的NMOS管尺寸,在板載面積有限的情況下,盡可能選擇小封裝;盡量選擇常見(jiàn)封裝,以備后續(xù)選擇合適的替代料。





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