存儲(chǔ)大廠業(yè)績(jī)高于預(yù)期

當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月20日，存儲(chǔ)大廠美光科技公布截止2024年2月29日的2024財(cái)年第二季度業(yè)績(jī)。受惠于人工智能AI對(duì)HBM的強(qiáng)烈需求，美光科技該財(cái)季意外實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)虧為盈，且本季財(cái)測(cè)優(yōu)于預(yù)期。

數(shù)據(jù)顯示，美光科技2 大 024財(cái)年第二季度收入為58.2億美元，上一季度為47.3億美元，去年同期為36.9億美元，同比增長(zhǎng)約57.7%，增速遠(yuǎn)超第一財(cái)季的15.6%，高于51億到55億美元的公司自身指引區(qū)間。另外，2024年第二季度資本支出投資凈額為12.5億美元。

圖片來(lái)源：美光科技官網(wǎng)截圖

美光科技總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示，公司第二財(cái)季的業(yè)績(jī)，收入、毛利率和每股收益均遠(yuǎn)高于預(yù)期。面對(duì)AI給半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)的多年機(jī)遇，相信公司將是最大的受益者之一。

下游需求強(qiáng)盛，HBM產(chǎn)能吃緊

HBM是一款新型的CPU/GPU內(nèi)存芯片，具備高帶寬、高容量、低延時(shí)與低功耗等優(yōu)勢(shì)，被視為“最適用于AI訓(xùn)練、推理的存儲(chǔ)芯片”。業(yè)界認(rèn)為，HBM是加速未來(lái)AI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵科技之一。

受人工智能（AI）熱潮推動(dòng)，HBM成為存儲(chǔ)大廠業(yè)績(jī)回升的主要推動(dòng)力。美光科技預(yù)計(jì)整個(gè)2024財(cái)年，HBM產(chǎn)品將帶來(lái)“數(shù)億美元”的收入。Mehrotra表示，2024年的HBM已經(jīng)售罄，2025年的大部分供應(yīng)也已獲得分配。

TrendForce集邦咨詢表示，HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長(zhǎng)，從投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個(gè)季度以上。因此，急欲取得充足供貨的買家需要更早鎖定訂單量。大部分針對(duì)2024年度的訂單都已經(jīng)遞交給供應(yīng)商，除非有驗(yàn)證無(wú)法通過(guò)的情況，否則目前來(lái)看這些訂單量均無(wú)法取消（non-cancellable）。

以HBM產(chǎn)能來(lái)看，TrendForce集邦咨詢觀察，三星、SK海力士（SK hynix）至今年底的HBM產(chǎn)能規(guī)劃最積極，三星HBM總產(chǎn)能至年底將達(dá)約130K（含TSV）；SK海力士約120K，但產(chǎn)能會(huì)依據(jù)驗(yàn)證進(jìn)度與客戶訂單持續(xù)而有變化。另以現(xiàn)階段主流產(chǎn)品HBM3產(chǎn)品市占率來(lái)看，目前SK海力士于HBM3市場(chǎng)比重逾9成，而三星將隨著后續(xù)數(shù)個(gè)季度AMD MI300逐季放量持續(xù)緊追。

此外，HBM產(chǎn)業(yè)比重逐漸增長(zhǎng)，TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷預(yù)估，截至2024年底，整體DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)劃生產(chǎn)HBM TSV的產(chǎn)能約為250K/m，占總DRAM產(chǎn)能（約1,800K/m）約14%，供給位元年成長(zhǎng)約260%。預(yù)估2023年HBM產(chǎn)值占比之于DRAM整體產(chǎn)業(yè)約8.4%，至2024年底將擴(kuò)大至20.1%。

大廠競(jìng)相追逐，HBM3e將于今年迎放量周期

目前，高帶寬存儲(chǔ)器HBM（High Bandwidth Memory）已經(jīng)從HBM、HBM2、HBM2E，發(fā)展至HBM3、HBM3E。存儲(chǔ)大廠擴(kuò)產(chǎn)重心主要在HBM3以及HBM3e產(chǎn)品上。

HBM3主要有SK海力士和三星供應(yīng)，從供應(yīng)端情況來(lái)看，據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，目前，NVIDIA現(xiàn)有主攻H100的存儲(chǔ)器解決方案為HBM3，SK海力士是最主要供應(yīng)商，然而供應(yīng)不足以應(yīng)付整體AI市場(chǎng)所需。至2023年末，三星以1Znm產(chǎn)品加入NVIDIA供應(yīng)鏈，盡管比重仍小，但可視為三星于HBM3世代的首要斬獲。

TrendForce集邦咨詢調(diào)查指出，2024年第一季，三星HBM3產(chǎn)品也陸續(xù)通過(guò)AMD MI300系列驗(yàn)證，其中包含其8h與12h產(chǎn)品，故自2024年第一季以后，三星HBM3產(chǎn)品將會(huì)逐漸放量。值得注意的是，過(guò)去在HBM3世代的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)中，美光（Micron）始終沒(méi)有加入供應(yīng)行列，僅有兩大韓系供應(yīng)商獨(dú)撐，且SK海力士HBM市占率目前為最高，三星將隨著后續(xù)數(shù)個(gè)季度MI300逐季放量，市占率將急起直追。

HBM3e方面，今年以來(lái)，市場(chǎng)目光將從HBM3轉(zhuǎn)向HBM3e，預(yù)計(jì)下半年將逐季放量，并逐步成為HBM市場(chǎng)主流。據(jù)悉，英偉達(dá)（NVIDIA）新一代含B100或H200的規(guī)格將為最新HBM3e產(chǎn)品。

從大廠最新動(dòng)態(tài)來(lái)看，SK海力士于3月19日宣布已開始量產(chǎn)高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品HBM3E，將從3月下旬起向客戶供貨。據(jù)透露，該公司新芯片將首先發(fā)貨給英偉達(dá)，并用于其最新的Blackwell GPU。

美光科技透露在最近一個(gè)季度，公司首次從其新品HBM3E中獲得收入。該公司特別提到，HBM3E將于第二季末供給英偉達(dá)的AI芯片H200 Tensor Core GPU。

三星方面，該公司將于今年上半年開始批量生產(chǎn)HBM3E 12H。TrendForce集邦咨詢表示，由于遞交樣品的時(shí)程較其他兩家供應(yīng)商略晚，預(yù)計(jì)其HBM3e將于第一季末前通過(guò)驗(yàn)證，并于第二季開始正式出貨。由于三星HBM3的驗(yàn)證已經(jīng)有了突破，且HBM3e的驗(yàn)證若無(wú)意外也即將完成，這也意味著該公司的出貨市占于今年末將與SK海力士拉近差距。

值得一提的是，近期，英偉達(dá)聯(lián)合創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛對(duì)外暗示，英偉達(dá)正考慮從三星采購(gòu)HBM芯片。黃仁勛表示，英偉達(dá)正處于對(duì)三星的HBM芯片進(jìn)行測(cè)試的階段，可能會(huì)在未來(lái)采用。不過(guò)英偉達(dá)“尚未”使用三星的HBM芯片。

半導(dǎo)體釋放上行信號(hào)

從周期性來(lái)看，半導(dǎo)體行業(yè)是典型的周期性行業(yè)，周期長(zhǎng)度約為4年左右，上行周期通常為2年至3年，下行周期通常為1年至1.5年。隨著供需調(diào)整、庫(kù)存改善、價(jià)格上揚(yáng)等上行信號(hào)釋放，業(yè)界預(yù)估半導(dǎo)體行業(yè)或?qū)⑦~入上行周期。

不過(guò)美光科技總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示，2024會(huì)計(jì)年度的DRAM和NAND位元供應(yīng)成長(zhǎng)仍低于需求成長(zhǎng)。但隨著供應(yīng)過(guò)剩問(wèn)題的緩解，Mehrotra認(rèn)為，所有存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)終端市場(chǎng)的定價(jià)都在改善，預(yù)估今年DRAM和NAND定價(jià)水準(zhǔn)將進(jìn)一步提高。

存儲(chǔ)芯片價(jià)格自去年第三季度末開始上揚(yáng)，目前價(jià)格走勢(shì)仍是業(yè)界關(guān)心的重點(diǎn)。據(jù)TrendForce集邦咨詢指出，AI功能并未在今年實(shí)際帶動(dòng)NAND Flash容量升級(jí)，若最主要的需求市場(chǎng)Enterprise SSD采購(gòu)沒(méi)有明顯回升，今年整體NAND Flash需求位元成長(zhǎng)可能不如預(yù)期。預(yù)估NAND Flash合約價(jià)漲幅自第二季起，將收斂至10~15%，至第三季會(huì)再降至0~5%。

展望2024年第一季DRAM市場(chǎng)趨勢(shì)，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，原廠目標(biāo)仍為改善獲利，漲價(jià)意圖強(qiáng)烈，促使DRAM合約價(jià)季漲幅近兩成，然出貨位元?jiǎng)t面臨傳統(tǒng)淡季而略微衰退。