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          存儲大廠業(yè)績高于預期

          作者: 時間:2024-03-25 來源:全球半導體觀察 收藏

          當?shù)貢r間3月20日,存儲大廠公布截止2024年2月29日的2024財年第二季度業(yè)績。受惠于人工智能AI對HBM的強烈需求,該財季意外實現(xiàn)轉虧為盈,且本季財測優(yōu)于預期。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202403/456738.htm

          數(shù)據(jù)顯示,2 大 024財年第二季度收入為58.2億美元,上一季度為47.3億美元,去年同期為36.9億美元,同比增長約57.7%,增速遠超第一財季的15.6%,高于51億到55億美元的公司自身指引區(qū)間。另外,2024年第二季度資本支出投資凈額為12.5億美元。


          圖片來源:美光科技官網(wǎng)截圖

          美光科技總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示,公司第二財季的業(yè)績,收入、毛利率和每股收益均遠高于預期。面對AI給半導體行業(yè)帶來的多年機遇,相信公司將是最大的受益者之一。

          下游需求強盛,HBM產(chǎn)能吃緊

          HBM是一款新型的CPU/GPU內存芯片,具備高帶寬、高容量、低延時與低功耗等優(yōu)勢,被視為“最適用于AI訓練、推理的”。業(yè)界認為,HBM是加速未來AI技術發(fā)展的關鍵科技之一。

          受人工智能(AI)熱潮推動,HBM成為存儲大廠業(yè)績回升的主要推動力。美光科技預計整個2024財年,HBM產(chǎn)品將帶來“數(shù)億美元”的收入。Mehrotra表示,2024年的HBM已經(jīng)售罄,2025年的大部分供應也已獲得分配。

          TrendForce集邦咨詢表示,HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長,從投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個季度以上。因此,急欲取得充足供貨的買家需要更早鎖定訂單量。大部分針對2024年度的訂單都已經(jīng)遞交給供應商,除非有驗證無法通過的情況,否則目前來看這些訂單量均無法取消(non-cancellable)。

          以HBM產(chǎn)能來看,TrendForce集邦咨詢觀察,三星、SK海力士(SK hynix)至今年底的HBM產(chǎn)能規(guī)劃最積極,三星HBM總產(chǎn)能至年底將達約130K(含TSV);SK海力士約120K,但產(chǎn)能會依據(jù)驗證進度與客戶訂單持續(xù)而有變化。另以現(xiàn)階段主流產(chǎn)品HBM3產(chǎn)品市占率來看,目前SK海力士于HBM3市場比重逾9成,而三星將隨著后續(xù)數(shù)個季度AMD MI300逐季放量持續(xù)緊追。

          此外,HBM產(chǎn)業(yè)比重逐漸增長,TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷預估,截至2024年底,整體DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)劃生產(chǎn)HBM TSV的產(chǎn)能約為250K/m,占總DRAM產(chǎn)能(約1,800K/m)約14%,供給位元年成長約260%。預估2023年HBM產(chǎn)值占比之于DRAM整體產(chǎn)業(yè)約8.4%,至2024年底將擴大至20.1%。

          大廠競相追逐,HBM3e將于今年迎放量周期

          目前,高帶寬存儲器HBM(High Bandwidth Memory)已經(jīng)從HBM、HBM2、HBM2E,發(fā)展至HBM3、HBM3E。存儲大廠擴產(chǎn)重心主要在HBM3以及HBM3e產(chǎn)品上。

          HBM3主要有SK海力士和三星供應,從供應端情況來看,據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示,目前,NVIDIA現(xiàn)有主攻H100的存儲器解決方案為HBM3,SK海力士是最主要供應商,然而供應不足以應付整體AI市場所需。至2023年末,三星以1Znm產(chǎn)品加入NVIDIA供應鏈,盡管比重仍小,但可視為三星于HBM3世代的首要斬獲。

          TrendForce集邦咨詢調查指出,2024年第一季,三星HBM3產(chǎn)品也陸續(xù)通過AMD MI300系列驗證,其中包含其8h與12h產(chǎn)品,故自2024年第一季以后,三星HBM3產(chǎn)品將會逐漸放量。值得注意的是,過去在HBM3世代的產(chǎn)品競爭中,美光(Micron)始終沒有加入供應行列,僅有兩大韓系供應商獨撐,且SK海力士HBM市占率目前為最高,三星將隨著后續(xù)數(shù)個季度MI300逐季放量,市占率將急起直追。

          HBM3e方面,今年以來,市場目光將從HBM3轉向HBM3e,預計下半年將逐季放量,并逐步成為HBM市場主流。據(jù)悉,英偉達(NVIDIA)新一代含B100或H200的規(guī)格將為最新HBM3e產(chǎn)品。

          從大廠最新動態(tài)來看,SK海力士于3月19日宣布已開始量產(chǎn)高帶寬內存產(chǎn)品HBM3E,將從3月下旬起向客戶供貨。據(jù)透露,該公司新芯片將首先發(fā)貨給英偉達,并用于其最新的Blackwell GPU。

          美光科技透露在最近一個季度,公司首次從其新品HBM3E中獲得收入。該公司特別提到,HBM3E將于第二季末供給英偉達的AI芯片H200 Tensor Core GPU。

          三星方面,該公司將于今年上半年開始批量生產(chǎn)HBM3E 12H。TrendForce集邦咨詢表示,由于遞交樣品的時程較其他兩家供應商略晚,預計其HBM3e將于第一季末前通過驗證,并于第二季開始正式出貨。由于三星HBM3的驗證已經(jīng)有了突破,且HBM3e的驗證若無意外也即將完成,這也意味著該公司的出貨市占于今年末將與SK海力士拉近差距。

          值得一提的是,近期,英偉達聯(lián)合創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛對外暗示,英偉達正考慮從三星采購HBM芯片。黃仁勛表示,英偉達正處于對三星的HBM芯片進行測試的階段,可能會在未來采用。不過英偉達“尚未”使用三星的HBM芯片。

          半導體釋放上行信號

          從周期性來看,半導體行業(yè)是典型的周期性行業(yè),周期長度約為4年左右,上行周期通常為2年至3年,下行周期通常為1年至1.5年。隨著供需調整、庫存改善、價格上揚等上行信號釋放,業(yè)界預估半導體行業(yè)或將邁入上行周期。

          不過美光科技總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示,2024會計年度的DRAM和NAND位元供應成長仍低于需求成長。但隨著供應過剩問題的緩解,Mehrotra認為,所有存儲器和存儲終端市場的定價都在改善,預估今年DRAM和NAND定價水準將進一步提高。

          價格自去年第三季度末開始上揚,目前價格走勢仍是業(yè)界關心的重點。據(jù)TrendForce集邦咨詢指出,AI功能并未在今年實際帶動NAND Flash容量升級,若最主要的需求市場Enterprise SSD采購沒有明顯回升,今年整體NAND Flash需求位元成長可能不如預期。預估NAND Flash合約價漲幅自第二季起,將收斂至10~15%,至第三季會再降至0~5%。

          展望2024年第一季DRAM市場趨勢,TrendForce集邦咨詢認為,原廠目標仍為改善獲利,漲價意圖強烈,促使DRAM合約價季漲幅近兩成,然出貨位元則面臨傳統(tǒng)淡季而略微衰退。




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