SK海力士與美國印第安納州簽約先進后端工藝領域投資合作

2024年4月4日，SK海力士宣布，在美國印第安納州西拉斐特（West Lafayette）建造適于AI的存儲器先進封裝生產基地，同時與美國普渡（Purdue）大學等當地研究機構進行半導體研究和開發合作。公司計劃向該項目投資38.7億美元。

當地時間4月3日，公司與印第安納州、普渡大學、美國政府有關人士在位于西拉斐特的普渡大學舉辦了投資簽約儀式活動，并在此發表了上述計劃。

印第安納州州長埃里克·霍爾科姆（Eric Holcomb）、美國參議員（印第安納州）托德·楊（Todd Young）、白宮科技政策辦公室主任阿拉提·普拉巴卡爾(Arati Prabhakar)、美國商務部部長助理阿倫·文卡塔拉曼（Arun Venkataraman）、印第安納州商務部部長大衛·羅森伯格（David Rosenberg）、普渡大學校長蔣濛（Mung Chiang）、普渡研究財團理事長米奇·丹尼爾斯（Mitch Daniels）、西拉斐特市市長艾琳·伊斯特（Erin Easter）等美方有關人士和韓國政府的駐美韓國大使趙賢東（Hyundong Cho）、駐芝加哥總領事金丁漢（Junghan Kim）出席了此次活動。SK集團由SK美洲對外合作主管副會長俞柾準、SK海力士CEO郭魯正、P&T擔當副社長崔宇鎮等高層人士參加了會議。

SK海力士表示：“印第安納州工廠預計在2028年下半年開始量產新一代HBM等適于AI的存儲器產品。公司將以此領先激活全球AI半導體供應鏈?！边€補充道：“通過在印第安納州建設的生產基地和R&D設施，將在當地創造1000個以上的工作崗位，為地區社會發展做出貢獻?！?/p>

在去年AI時代開始的同時，HBM等超高性能存儲器的需求劇增，半導體先進封裝的重要性也隨之加大。

SK海力士在用于AI的存儲器市場掌握主導權，隨后為了加強技術領導力考慮在美國投資先進后端工藝領域，并尋找最合適的地點。美國聚集了AI領域的大型科技客戶，也在積極推進先進后端工藝方面的技術研究。

公司經過評估多處候選地點，最終選擇印第安納州為投資地。印第安納州政府積極推進招商引資，并且該地區擁有了豐富的半導體生產所需的制造基礎設施，還有以半導體等先進研究而聞名的普渡大學等因素獲得了高度評價。

印第安納州州長埃里克·霍爾科姆（Eric Holcomb）表示：“印第安納州是創造將成為未來經濟原動力的創新產品的全球領先者。堅信與SK海力士的伙伴關系將帶來印第安納州和普渡大學等地區社會的長期發展”。

參議員托德·楊(Todd Young)表示感謝道：“SK海力士即將在美國成為一個知名企業。美國政府的半導體法案為印第安納州的發展提供了契機，SK海力士將協力構建我們的尖端技術未來?！?/p>

普渡大學校長蔣濛（Mung Chiang）說：“SK海力士是用于AI的存儲器領域全球開拓者，也是主導市場的領導者。此次投資展示了印第安納州和普渡大學在先進半導體領域的競爭力，是在美國完善數字化供應鏈的里程碑式事件?！?/p>

SK海力士CEO郭魯正對印第安納州和普渡大學的支持表示感謝，并表示：“很高興能夠在半導體業界首次在美國建設先進封裝生產設施。通過此次投資，公司將為了應對日益升級的客戶需求和期待，提供量身定做的（Customized）存儲器產品?！?nbsp;

SK海力士與印第安納州建立地區社會發展伙伴關系的同時，也將為普渡研究財團、地區非營利組織和慈善組織的活動提供支持。

另外，SK海力士還將順利推進已計劃的韓國國內投資項目。公司將投資120萬億韓元建設的龍仁半導體集群目前正在進行用地在建工程。SK海力士計劃在明年3月開工建造第一座工廠，并于2027年初完工。而且還將建造“迷你工廠*”以此加強材料、零部件、設備生態系統。