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          為何晶振并聯(lián)一個(gè)1MΩ電阻?晶振低溫不起振如何解決?

          作者: 時(shí)間:2024-04-09 來源:硬件筆記本 收藏

          無源并聯(lián)一個(gè)1MΩ電阻電路圖

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202404/457295.htm

          問題描述:

          在一些方案中,并聯(lián)1MΩ電阻時(shí),程序運(yùn)行正常,而在沒有1MΩ電阻的情況下,程序運(yùn)行有滯后及無法運(yùn)行現(xiàn)象發(fā)生。

          原因分析:

          在無源應(yīng)用方案中,兩個(gè)外接電容能夠微調(diào)晶振產(chǎn)生的時(shí)鐘頻率。而并聯(lián)1MΩ電阻可以幫助晶振起振。因此,當(dāng)發(fā)生程序啟動(dòng)慢或不運(yùn)行時(shí),建議給晶振并聯(lián)1MΩ的電阻。

          這個(gè)1MΩ電阻是為了使本來為邏輯反相器的器件工作在線性區(qū), 以獲得增益, 在飽和區(qū)不存在增益, 而在沒有增益的條件下晶振不起振。簡而言之,并聯(lián)1M電阻增加了電路中的負(fù)性阻抗(-R),即提升了增益,縮短了晶振起振時(shí)間,達(dá)到了晶振起振更容易之目的。

          換一種說法,假設(shè)電路中無任何的擾動(dòng)信號,晶振不可能起振。實(shí)際上反相門電路中許多電路不加這個(gè)電阻也能起振,因?yàn)橐话愕碾娐范加袛_動(dòng)信號,但有個(gè)別的反相門電路不加這個(gè)電阻就不能起振,因?yàn)閿_動(dòng)信號強(qiáng)度不夠。

          需要指出的是,在低溫環(huán)境下振蕩電路阻抗也會發(fā)生變化,當(dāng)阻抗增加到一定程度時(shí),晶振就會發(fā)生起振困難或不起振現(xiàn)象。這時(shí),我們也需要給晶振并聯(lián)1MΩ電阻,建議為了增加振蕩電路穩(wěn)定性,給晶振同時(shí)串聯(lián)一個(gè)100Ω的電阻,這樣可以減少晶振的頻率偏移程度。

          注:并聯(lián)電阻不能太小,串聯(lián)電阻不能太大。否則,在溫度較低的情況下不易起振。




          關(guān)鍵詞: 晶振 無源器件

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