GaN FET讓您實現高性能D類音頻放大器
宜普電源轉換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設計,可實現優越、緊湊型和高效的D類音頻放大器,于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設計中發揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優勢,在4Ω負載時,每聲道輸出功率達700 W。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202404/457365.htmEPC9192是可擴展的模塊化設計,其主板配有兩個PWM調制器和兩個半橋功率級子板,實現具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設計的靈活性高,使用戶能夠實現PWM調制器和功率級定制電路,以便于對不同器件和調制技術進行評估和比較。
EPC9192參考設計的主要特性包括:
● 于小尺寸(4 in3)提供700 W 功率,包含輸出濾波器和散熱器
● 用于單路穩壓、12 V輸入的輔助管理電源
● 雙分離電源輸入、非穩壓式、功率級為±42 V~±85 V
● 模擬音頻接口為XLR平衡輸入或RCA非平衡輸入
● 可配置為兩個獨立的SE聲道或單聲道BTL模式
● 欠壓、過壓、過流和過熱保護
● 開關頻率高于600 kHz
EPC9192性能測量指標包括:
● 700 W @ 2 Ω - 4 Ω / 350 W @ 8 Ω / 聲道
● 支持 BTL模式(1400 W @ 4 Ω~8 Ω)
● < 0.005% THD+N、> 120 dB 信噪比
● 底噪:40 μV
● 頻率響應:5 Hz - 20 kHz +/- 0.5 dB,無論是任何負載
EPC首席執行官Alex Lidow說:“對于希望利用氮化鎵技術優勢的音頻放大器設計人員來說,EPC9192是性能出色的工具,憑借其高功率密度和可擴展性,它讓設計者實現緊湊型、高性能D類音頻放大器的快速原型設計?!?/p>
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