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          存儲大廠技術(shù)之爭愈演愈烈

          作者: 時間:2024-04-15 來源:全球半導體觀察 收藏

          AI、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用催生海量存儲數(shù)據(jù)需求,也對存儲技術(shù)提出了更高要求,這一背景下,存儲大廠技術(shù)競爭愈演愈烈。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202404/457639.htm

          閃存方面,大廠聚焦層數(shù)突破。近期,韓媒報道,三星電子預計將于本月晚些時候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存,該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存,即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結(jié)構(gòu),層數(shù)將達到290層。另據(jù)業(yè)界預測,三星未來第十代V-NAND層數(shù)有望達到430層,屆時三星將換用三堆棧結(jié)構(gòu)。

          而更遙遠的未來,三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計劃2030年前實現(xiàn)1000層NAND Flash,鎧俠則計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。

          內(nèi)存方面,存儲大廠瞄準先進制程節(jié)點以及3D 。

          今年3月美光在財報中透露,目前絕大多數(shù)顆粒處于1α與1β先進節(jié)點,下一代1γ 將引入EUV光刻機,已經(jīng)進行了試生產(chǎn)。

          三星DRAM芯片工藝處于1b nm級別,近期媒體報道三星計劃在年內(nèi)啟動1c nm DRAM量產(chǎn),將采用極紫外光(EUV)技術(shù)制造。2025年三星還將進入3D DRAM時代,該公司已經(jīng)對外展示了垂直通道電晶體和堆疊DRAM兩項3D DRAM技術(shù)。

          SK海力士同樣也在布局3D DRAM,此前《BusinessKorea》去年報道,SK海力士提出了將IGZO作為3D DRAM的新一代通道材料。據(jù)業(yè)界人士表示,IGZO是由銦、鎵、氧化鋅組成的金屬氧化物材料,IGZO 的最大優(yōu)勢是其低待機功耗,這種特點適合要求長續(xù)航時間的DRAM芯晶體管。通過調(diào)節(jié)In、Ga、ZnO等三個成分的組成比,很容易實現(xiàn)。



          關(guān)鍵詞: 存儲器 DRAM TrendForce

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