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          談?wù)剮追N常用的MOSFET驅(qū)動電路

          作者:電子電路設(shè)計 時間:2024-04-22 來源:今日頭條 收藏

          一、MOS管驅(qū)動簡述

          因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和的參數(shù)選擇合適的電路。在使用MOSFET設(shè)計開關(guān)電源時,大部分人都會考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202404/457893.htm


          但很多時候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但并不是一個好的設(shè)計方案。更細(xì)致的,MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET,其驅(qū)動電路,驅(qū)動腳輸出的峰值電流,上升速率等,都會影響MOSFET的開關(guān)性能。

          當(dāng)電源IC與MOS管選定之后,選擇合適的驅(qū)動電路來連接電源IC與MOS管就顯得尤其重要了。

          二、MOS管驅(qū)動要求

          一個好的MOSFET驅(qū)動電路有以下幾點要求:

          (1)開關(guān)管開通瞬時,驅(qū)動電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值,保證開關(guān)管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。

          (2)開關(guān)導(dǎo)通期間驅(qū)動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定且可靠導(dǎo)通。

          (3)關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放,保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。

          (4)驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)簡單可靠、損耗小。

          (5)根據(jù)情況施加隔離。

          三、MOS管驅(qū)動實例

          下面介紹幾個模塊電源中常用的MOSFET驅(qū)動電路。

          1、電源IC直接驅(qū)動MOSFET

          圖1 IC直接驅(qū)動MOSFET

          電源IC直接驅(qū)動是我們最常用的驅(qū)動方式,同時也是最簡單的驅(qū)動方式,使用這種驅(qū)動方式,應(yīng)該注意幾個參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。

          ①最大驅(qū)動峰值電流

          不同芯片,驅(qū)動能力很多時候是不一樣的,需要注意驅(qū)動能力是否足夠;

          ②MOS管寄生電容

          如圖1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比較大,MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大,如果電源IC沒有比較大的驅(qū)動峰值電流,那么管子導(dǎo)通的速度就比較慢。如果驅(qū)動能力不足,上升沿可能出現(xiàn)高頻振蕩,即使把圖1中Rg減小,也不能解決問題!IC驅(qū)動能力、MOS寄生電容大小、MOS管開關(guān)速度等因素,都影響驅(qū)動電阻阻值的選擇,所以Rg并不能無限減小。

          2、電源IC驅(qū)動能力不足時

          如果選擇MOS管寄生電容比較大,電源IC內(nèi)部的驅(qū)動能力又不足時,需要在驅(qū)動電路上增強(qiáng)驅(qū)動能力,常使用圖騰柱電路增加電源IC驅(qū)動能力,其電路如圖2虛線框所示。

          圖2 圖騰柱驅(qū)動MOS

          這種驅(qū)動電路作用在于:提升電流提供能力,迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓?fù)湓黾恿藢?dǎo)通所需要的時間,但是減少了關(guān)斷時間,開關(guān)管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。

          3、驅(qū)動電路加速MOS管關(guān)斷時間

          圖3 加速MOS關(guān)斷

          關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放,保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放,常在驅(qū)動電阻上并聯(lián)一個電阻和一個二極管,如圖3所示,其中D1常用的是快恢復(fù)二極管。這使關(guān)斷時間減小,同時減小關(guān)斷時的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時電流過大,把電源IC給燒掉。

          圖4 改進(jìn)型加速MOS關(guān)斷

          在第二點介紹的圖騰柱電路也有加快關(guān)斷作用。當(dāng)電源IC的驅(qū)動能力足夠時,對圖2中電路改進(jìn)可以加速MOS管關(guān)斷時間,得到如圖4所示電路。用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果Q1的發(fā)射極沒有電阻,當(dāng)PNP三極管導(dǎo)通時,柵源極間電容短接,達(dá)到最短時間內(nèi)把電荷放完,最大限度減小關(guān)斷時的交叉損耗。與圖3拓?fù)湎啾容^,還有一個好處,就是柵源極間電容上的電荷泄放時電流不經(jīng)過電源IC,提高了可靠性。

          4、驅(qū)動電路加速MOS管關(guān)斷時間

          圖5 隔離驅(qū)動

          為了滿足如圖5所示高端MOS管的驅(qū)動,經(jīng)常會采用變壓器驅(qū)動,有時為了滿足安全隔離也使用變壓器驅(qū)動。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩,C1的目的是隔開直流,通過交流,同時也能防止磁芯飽和。

          除了以上驅(qū)動電路之外,還有很多其它形式的驅(qū)動電路。對于各種各樣的驅(qū)動電路并沒有一種驅(qū)動電路是最好的,只有結(jié)合具體應(yīng)用,選擇最合適的驅(qū)動。




          關(guān)鍵詞: MOSFET

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